- •3.П/п диоды. Классификация по конструкции, материалу, назначению. Маркировка диодов. Основные св-ва и применение.
- •4. Выпрямительные диоды. Классификация. Влияние материала, степени легирования и температуры на вах выпрямительных диодов. Основные параметры. Особенности применения.
- •9. Эквивалентные схемы полупроводниковых диодов для малого переменного сигнала, низкой и высокой частоты. Физическое содержание элементов схемы, методы определения.
- •10. Биполярный бездрейфовый транзистор. Определение и классификация транзисторов.
- •11. Устр-во и степень легирования областей. Распределение поля и потенциала вдоль т. Распределение носителей в базе. Схемы включения т. Коэф. Усиления - Кi, кu, кp.
- •13.Эффект модуляции толщины базы. Определения, следствия.
- •14. Зависимость коэффициентов передачи по току (α, β) транзистора от напряжения коллектора, тока эмиттера и температуры.
- •15.Входные характеристики транзистора с общей базой. Их зависимость от напряжения колектора и температуры.
- •16. Вых. Хар-ки транзистора в схеме с об. Их зав-ть от тока эмиттера и температуры.
- •17. Общ. Хар-ка транзистора в схеме включения с оэ. Понятие сквозного тока транз.
- •18. Вх. Хар-ки транзистора в схеме с оэ. Их зав-ть от напряжения к и температуры.
- •19. Выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. Их зависимость от тока базы и температуры.
- •22. Физические линейные эквивалентные схемы транзистора, включённого по с хеме с общей базой. Упрощённые схемы входной и выходной цепей. Физическое содержание и величины элементов.
- •23. Физические линейные эквивалентные схемы транзистора, включённого по с хеме с общим эмиттером. Упрощённые схемы входной и выходной цепей. Физическое содержание и величины элементов.
- •24. Частотные свойства биполярного транзистора. Источники инерционности. Граничные и предельные частоты транзистора (fα, fβ, fт, fген, fs), соотношения между ними. Пути уменьшения инерционности.
- •25. Инерционные свойства транзистора в режиме большого сигнала. Ненасыщенный, насыщенный, переключательный режим работы. Искажения импульса выходного тока, временные параметры.
- •27. Сравнение параметров транзисторов в трех схемах включения.
- •28. Полевой транзистор с упр. P-n переходом. Конструкция, принцип действия.
- •29. Выходные и сток затворные хар-ки полевого транзистора с управляющим p-n переходом, их зависимость от температуры.
- •30. Моп-транзисторы с изолированным затвором. Принцип действия, эффект поля.
- •31. Моп-транзисторы со встроенным каналом. Конструкция, принцип действия, выходные и сток-затворные хар-ки, их зав-ть от т.
- •32. Моп-транзисторы с индуцированным каналом. Конструкция, принцип действия, выходные и сток-затворные хар-ки, их зав-ть от т.
- •33. Статические параметры полевых транзисторов и методы их определения.
- •34. Полная и упрощённая экв. Схемы полевого транзистора. Применение полевых транзисторов, достоинства и недостатки.
- •35. Динамический режим работы транзистора. Схема включения транзистора с нагрузкой. Методы построения нагрузочной прямой. Динамические параметры ki ,ku, графический и аналитический методы определения.
- •36. Схемы включения биполярного и полевого транзисторов. Цепи, задающие и стабилизирующие режим работы усилительных элементов.
13.Эффект модуляции толщины базы. Определения, следствия.
Эффект модуляции толщины базы - изменение толщины базы при изменение напряжения на К.
На ЭП напряжение подается в прямом направлении, и оно мало изменяется при работе транзистора, поэтому ЭП узкий и ширина его изменяется незначительно. КП смещен в обр. направлении, поэтому его ширина больше и изменяется в широких пределах при изменении напряжения на коллекторе. А т.к. в биполярных транзисторах рб>> рк, то КП расширяется в основном в область базы, уменьшая ее толщину.
Следствия модуляции:
Iк=f(Uкб), w= f(Uкб), Iк=аIэ+ Iк0 ,то есть Iк=а(Uкб)Iэ+ Iк0
Частотные св-ва транзистора зависят от Uкб (увел. Uкб умен.W, уменьш. время пролёта tпр)
КП кроме барьерной области обладает диффузионной (Ск_бар+Ск_диф)
Эффект модуляции толщины базы обуславливает наличие обратной связи, характеризующей влияние коллекторного перехода на эмиттерный переход из-за их близкого расположения.
Изменение распределения избыточной концентрации дырок в базе с увеличением коллекторного напряжения (пунктирная линия) при фиксированных значениях напряжения на эмиттером переходе (а) и тока эмиттера (б):
а) Uэб = сонст, ↑Uкб => ↑Iэ б) Iэ=сонст, ↑Uкб =>↓Uэб
р0 — избыточная концентрация дырок в базе на границе эмиттерного перехода.
∆p зависит от Uэп. Чем выше прямое напряжение эмиттер - база, тем больше концентрация дырок в базе у эмиттерного перехода, тем больше градиент концентрации дырок в базе.
Поскольку диффузионный ток эмиттера зависит от градиента концентрации дырок в базе:
, то при постоянном напряжении на эмиттерном переходе и с увеличением по модулю напряжения на коллекторе возрастает градиент концентрации, а следовательно, и ток эмиттера.
На (б) показано влияние UKб на распределение дырок в базе, если поддерживать постоянной величину тока эмиттера. С увеличением UKб (по модулю) толщина базы уменьшается. Чтобы ток эмиттера оставался постоянным, необходимо, чтобы с изменением UKб градиент концентрации оставался неизменным. Поэтому с увеличением UKб должна уменьшается избыточная концентрация дырок на границе эмиттерного перехода (ΔР2<ΔP1). А это может быть достигнуто лишь путем уменьшения входного напряжения UЭБ.
14. Зависимость коэффициентов передачи по току (α, β) транзистора от напряжения коллектора, тока эмиттера и температуры.
Iэ=const, Т=const
2. Uкб=const, Т= const
AB: увел.Iэ увел., уменьш. рекамбинац. потери на ловушках отсюда увел. χ тоесть увел. а
ВС: увел. поверхносн. рекомбинация уменьш.χ тоесть уменьш.а
3. Uкб=const,Iэ=const
а) при увил. Т увел.τ время жизни носителей.( ловушеи не успевают захватывать)
б) при увел. Т уменьш.μ подвижность отсюда возрастает рб
(на графике Т меняется от -50 до +50)
-коэф. уселения по току в схеме с ОЭ. β также зависит от как и α но с большим масштабом по оси изменения β. (Графики такие же (α =0,98 β =49) (α=0,99 β=99))
15.Входные характеристики транзистора с общей базой. Их зависимость от напряжения колектора и температуры.
Входными характеристиками биполярного транзистора в схеме включения с общей базой называются зависимости тока эмиттера от напряжения эмиттер - база при постоянном значении напряжения коллектор - база.
Входные характеристики: Входная характеристика при UКБ = 0 (зависимость 1, рис.3) аналогична прямой ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Эта характеристика начинается из начала координат, при увеличении входного напряжения ток эмиттера /3 экспоненциально увеличивается:
При больших токах Iэ вх. хар-ки близки к линейным. Наклон лин. участка опр-ся в объемным сопротивлением базы rБ.
При напряжении UKБ > 0 кривые смещаются вверх относительно начала координат и к оси токов (падение напряжения на объемном сопр. базы rБ при протекании тока IK0)
При “-“ напряжении на К через КП протекает ток обратносмещенного рn-перехода Iко, а т.к. база мало легирована примесями, то на rБ будет создаваться падение напряженияUrБ = Iко rБ, в результате чего Э получает положительное смещение относительно базы и начинает инжектировать дырки, что приводит к появлению нач. тока Э: (UKБ=0)
Смещение характеристик влево при увеличении коллекторного напряжения объясняется эффектом модуляции толщины базы. Эффект модуляции заключается в изменении толщины базы при изменении напряжения на коллекторе.
Вх. хар-ки кремниевого транзистора (а) смещены от начала координат в сторону больших прямых напряжений (контактная разность потенциалов у кремниевых транзисторов больше, чем у германиевых).
Вх. хар-ки германиевых транзисторов при различных Т – (б). С увеличением Т вх. ток увеличивается, вх. хар-ка смещается влево вследствие роста внутр. эн. осн. носителей заряда и уменьшения контактной разности потенциала φкэ и потенциального барьера. Изменение начального тока эмиттера с ростом температуры окружающей среды связано с экспоненциальной зависимостью от температуры неуправляемого тока коллекторного перехода. С увеличением тока Iко возрастает падение напряжения на объемном сопротивлении базы, и это приводит к росту начального тока эмиттерного перехода.