![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Цель лабораторной работы
- •2. Устройство и принцип работы транзисторов
- •2.1. Определение и классификация транзисторов
- •2.2. Устройство биполярного транзистора
- •2.3. Физические основы работы биполярного транзистора
- •2.4. Статические характеристики биполярного транзистора
- •2.4.1. Общие сведения о статических характеристиках
- •2.4.2. Входные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общей базой
- •2.4.3. Семейство выходных характеристик
- •2.5. H-параметры биполярного транзистора в схеме включения с общей базой
- •2.6. Эквивалентные т-образные схемы биполярного транзистора в схеме включения с общей базой
- •2.6.1. Т-образная эквивалентная схема транзистора на низких частотах
- •2.6.2. Т - образная эквивалентная схема транзистора на высоких частотах
- •3. Схема лабораторной установки
- •4. Экспериментальная часть
- •5. Обработка результатов измерений
- •6. Содержание отчета
- •7. Вопросы для самопроверки
- •Библиографический список
- •Приложение 1 Образец оформления титульного листа
- •Приложение 2
2.6.2. Т - образная эквивалентная схема транзистора на высоких частотах
При анализе электрических схем в области высоких частот нельзя пренебрегать инерционными свойствами биполярного транзистора и емкостями переходов коллектор – база, эммитер – база. Поэтому при рассмотрении биполярного транзистора в схеме включения с общей базой в области высоких частот Т - образная эквивалентная схема трансформируется к виду, представленному на рис.13. В этом случае частотные свойства перехода эммитер – база учитываются введением емкости СЭ = СЭД + СЭБ, где СЭД– диффузионная емкость перехода эммитер – база, играющая основную роль при работе эммитерного перехода в прямом включении; СЭБ– барьерная емкость перехода эммитер – база, которая определяет величину СЭпри обратном смещении эммитерного перехода.
На рис.13 емкость СКопределяется барьерной емкостью перехода коллектор – база, так как коллекторный переход имеет обратное смещение. Величина СКопределяется по формуле
(24)
и зависит от модуля напряжения UКБ, это связано с зависимостью ширины перехода коллектор – база от напряженияUКБ:
, (25)
где lКО– равновесная ширина электронно–дырочного перехода приUКБ= 0; φКК– контактная разность потенциалов перехода коллектор – база;SК– площадь коллекторного перехода.
Рис.13. Т - образная эквивалентная схема биполярного транзистора в схеме включения с общей базой на высоких частотах
На рис.13 введен генератор напряжения μЭКUКБ, который отражает наличие внутренней обратной связи в транзисторе. Величина μЭКявляется коэффициентом обратной связи по напряжению и в соответствии с эффектом модуляции толщины базы находится из выражения
( 10-3÷ 10-4). (26)
Остальные элементы рис.13 были определены ранее.
Параметры Т - образной эквивалентной схемы биполярного транзистора в схеме включения с общей базой связаны с соответствующими Н-параметрами следующими соотношениями:
; (27)
; (28)
; (29)
; (30)
; (31)
. (32)
3. Схема лабораторной установки
Лабораторная установка (рис.14) включает универсальный лабораторный стенд, в котором смонтирована схема для снятия статических характеристик транзисторов.
Прибор (мА) источника входного напряжения измеряет ток эмиттера (IЭ), а вольтметр (V) служит для измерения входного напряжения транзистора (UЭБ).
В выходной цепи прибор (мА) измеряет ток коллектора (IК), а вольтметрV– напряжение между коллектором и базой (UКб).
Для повышения точности измерения входного напряжения во входную цепь целесообразно включить цифровой вольтметр (V1), а выходную цепь цифровой миллиамперметр.
4. Экспериментальная часть
4.1. Записать паспортные параметры исследуемого транзистора и зарисовать схему расположения его выводов.
4.2. Рассчитать и построить кривую допустимой мощности, рассеиваемой транзистором.
4.3. Собрать схему для исследования транзистора в схеме включения с ОБ.
4.4.
Снять семейство входных характеристик
для трех значений напряжения на коллекторе
,
-2 В, -10 В при комнатной температуре. При
снятии входных характеристик задаваться
током эмиттера и отмечать напряжение
на эмиттере. Для удовлетворительного
воспроизведения хода характеристик
необходимо измерить не менее 7-9 точек,
причем их максимальное число должно
приходиться на самый нелинейный участок
характеристики (табл.1).
4.5.
Снять семейство выходных характеристик
для четырех значений тока эмиттера
,
4, 6, 8 мА при комнатной температуре.
Выходные характеристики биполярного
транзистора исследуются лишь в активном
режиме его работы. При экспериментальных
исследованиях необходимо поддерживать
ток эмиттера постоянным и не допускать
превышения максимально-допустимых
значений тока коллектораIК
МАКС, напряжения коллектор-эмиттерUКЭ ДОПи мощности
РК МАКС. При этом следует использовать
построенную ранее в п. 4.2 зависимость
допустимой мощности РК МАКС,
рассеиваемой коллектором биполярного
транзистора. Чтобы снять выходную
характеристику при токе
,
разомкнуть перемычку П4.
Таблица 1
-
IЭ, мА
0
0,1
0,3
0,5
1
2
4
6
8
10
UЭб, В
Т1=+20С
UЭб, В
Т2=+ 50С
При снятии характеристик
при
в рабочем режиме (
)
вместо перемычек П2 и П4 поставить
цифровые приборы в режиме измерения
тока.
4.6. Исследуемый транзистор поместить в печь, предварительно разогрев до температуры 50С. Через 5 минут повторить пункты 4.4, 4.5.