3.3. Полевой пробой

Полевой или туннельный пробой относится к электрическому виду пробоя и характерен для сравнительно узких p-n переходов (ширина p-n перехода в равновесном состоянии составляет сотые доли микрометра).

Это обеспечивается в том случае, когда обе области p-n перехода имеют высокую степень легирования примесями. При этом длина свободного пробега  электронов меньше ширины обратно-смещенного p-n перехода:

  l_ОБР.

При напряженности электрического поля E = U_ОБР /l_ОБР в p-n переходе равной критическому значению E_КР=(24)10⁵ В/см происходит полевой или туннельный пробой.

При такой большой напряженности электрического поля у атома полупроводника происходит отрыв валентных электронов и число носителей заряда растет. С точки зрения энергетической (зонной) диаграммы основу полевого пробоя составляет туннельный эффект - явление «просачивания» электронов сквозь узкий энергетический барьер p-n перехода, т.е. переход электронов с занятых энергетических уровней валентной зоны полупроводника p-типа на свободные энергетические уровни зоны проводимости полупроводника n-типа. Эти переходы происходят без изменения энергии электрона, а на энергетической диаграмме, изображенной для этого случая на рис.13, переходы происходят на одном энергетическом уровне, т.е. горизонтально.

Вероятность туннельных переходов при напряженности электрического поля E = 10⁵ В/см составляет один электрон в секунду, а при напряженности электрического поля E = 10⁶ В/см – 10¹² электронов в секунду. Поэтому при критическом значении напряженности электрического поля обратно-смещенного p-n перехода количество туннельных переходов будет значительным, а это лриводит к резкому увеличению обратного тока. При дальнейшем увеличении обратного напряжения на p-n переходе U_ОБР > U_ПРОБ рост обратного тока происходит по экспоненциальному закону. Это объясняется увеличением напряженности электрического поля и степени перекрытия валентной зоны полупроводника p-типа и зоны проводимости полупроводника n-типа. Обратная ветвь ВАХ p-n перехода для случая полевого пробоя представлена на рис.14.

Рис.13. Энергетическая диаграмма p-n перехода при полевом пробое

Зависимость 1 рис.14 изображена для значения температуры окружающей среды T₁=+20C. При увеличении температуры окружающей среды до значения

Рис.14. Обратная ветвь ВАХ p-n перехода при полевом пробое

T₂ = +50С ВАХ p-n перехода видоизменяется и на рис.14 это изменение нашло отражение в зависимости 2. При увеличении температуры обратный ток p-n перехода возрастает в связи с ростом концентрации неосновных носителей заряда по экспоненциальному закону. Такое изменение обратного тока наблюдается при регулировании обратного напряжения в диапазоне от нуля до напряжения пробоя

С увеличением температуры напряжение пробоя уменьшается и становится равным U_ПРОБ2 (зависимость 2 рис.14). Это обусловлено тем, что при увеличении температуры возрастает амплитуда тепловых колебаний атомов полупроводника в узлах кристаллической решетки, энергия электронов также растет, величина контактной разности потенциалов p-n перехода _К снижается, ширина p-n перехода l_ОБР уменьшается, а напряженность электрического поля в

p-n переходе Е увеличивается, критическое значение напряженности поля Е_КР достигается при меньшем значении U_ОБР, растет количество туннельных переходов и, следовательно, резко возрастает обратный ток. Следовательно температурный коэффициент напряжения при полевом пробое имеет отрицательное значение:

ТКН_ПОЛ = U_ПРОБ/Т  0,

где U_ПРОБ = U_ПРОБ2 – U_ПРОБ1 изменение напряжения пробоя при изменении температуры на величину Т = Т₂ – Т₁.

При полевом пробое пробивное напряжение оказывается обратно пропорциональным концентрации примесей в областях, прилегающих к p-n переходу, или прямо пропорционально удельному сопротивлению этих областей.