8. Библиографический список

1. Электронные приборы: Учебник для вузов / В.Н. Дулин, Н.А. Аваев, В.П. Демин и др.; Под ред. Г.Г. Шишкина. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1989. 496 с.

2. Батушев В.А. Электронные приборы: Учебник для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1980. 383 с.

3. Пасынков В.В., Чиркин А.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1987. 479 с.

4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учебное пособие. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1991. 621 с.

5. Елфимов В.И., Устыленко Н.С. Основы теории p-nперехода: Учебное пособие. Екатеринбург: ООО «Изд-во УМЦ УПИ», 2000. 55 с.

6. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов: 2-е изд., испр. и доп. :Сов. радио, 1969. 542 с.

7. Епифанов Г.И. Физика твердого тела: Учеб. пособие для втузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1977. 288с.

8. Ржевкин К.С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов: М.: изд-во МГУ, 1986. 256с.

9. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Под. ред. В.А. Лабунцова М.: Энергоатомиздат, 1990. 576с.

10. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Кн. 1. Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. М.:Мир,1984. 456с.

11. Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной техники. Задачи и вопросы: Учебн. пособие для вузов/ Под ред. В.А. Терехова. М.: Высш. шк., 1990. 206 с.

12. Жеребцов И.П. Основы электроники: Учеб. пособие для вузов. 5-е изд., перераб. и доп. Л.: Энергоатомиздат,1989. 352 с.

13. Рычина Т.А., Зеленский А.В. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы. М.: Радио и связь, 1989. 352с.

14. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: Справочник/Под ред. Н.Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1983. 744 с.

15. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник/Под ред. А.В. Голомедова, 2-е изд., стер. М.: Радио и связь, изд. фирма "КУбК-а", 1994. 527 с.

16. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам/ Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. Изд.4-е, перераб. и доп. М.: Энергия, 1976. 744 с.

17. Транзисторы и полупроводниковые диоды: Справочник/ Под общ. ред. И.Ф. Николаевского. М.: Связьиздат, 1963. 646 с.

Оглавление

Приложение 1

Пример оформления титульного листа отчета по лабораторной работе

Министерство образования российской федерации

Государственное образовательное учреждение

Уральский государственный технический университет – УПИ

Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»

Оценка работы __________

Преподаватель

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННО_ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ

Отчет по лабораторной работе № 1

по дисциплине «Физические основы электроники»

Подпись Дата Ф.И.О.

Преподаватель ____________________ _________ Сидоров С.П.

Студент ____________________ _________ Павлов И.П.

Группа Р-294

Екатеринбург 2003

Приложение 2

Параметры германиевых выпрямительных полупроводниковых диодов

Параметры	Д7Ж	Д302	Д305	ГД107А	ГД113А	ГД507А
Среднее прямое напряжение, Uпр, В	0,5	0,25	0,3	1,0	1,0	0,5
Импульсное прямое напряжение, В						4,0
Средний обратный ток мкА , при Uобр=Uобрмакс,	100	800	2500	20	250	50
Максимально-допустимое обратное напряжение, В	400	200	50	15	115	20
Средний прямой ток, Iпр макс, мА	300	1000	10000	20	15	16
Импульсный прямой ток,мА	1000	4000	20000		48	200
Рабочая частота, кГц	2,4	5,0	5,0

Приложение 3

Параметры кремниевых выпрямительных полупроводниковых диодов

Параметры	Д226А	Д242Б	КД102Б	КД103А	КД105Б	КД106А
Среднее прямое напряжение, Uпр, В	1,0	1,0	1,0	1,0	1,0	1,0
Импульсное прямое напряжение, В				2,5
Средний обратный ток мкА, при Uобр=Uобр макс	50	3	0,1	1,0	100	10
Максимально-допустимое обратное напряжение, В	300	100	300	50	400	100
Средний прямой ток, Iпр макс, мА	300	5000	100	100	300	300
Импульсный прямой ток,мА	2500	15000	2000	2000	15000	3000
Рабочая частота, кГц	1,0	1,2		20	1,0	30

Приложение 4

Параметры стабилитронов с полевым пробоем

Параметры	КС133Г	КС147А	КС156А	2С439А	КС456А
Напряжение стабилизации номинальное (IСТ,мА),В	3,3 (5)	4,7 (10)	5,6 (10)	3,9 (51)	5,6 (30)
Разброс напряжения стабилизации	3,0 3,6 В	+10%	+10%	+10%	+10%
Максимальный ток стабилизации,мА	37,5	58	55	176	139
Минимальный ток стабилизации,мА	1	3	3	3	3
Прямое напряжение при IПР=50мА (не более),В	1	1	1
Постоянный обратный ток при UОБР=0,7UСТНОМ, мА	0,3	1	1
Постоянный прямой ток,мА	50
Дифференциальное сопротивление (IСТ,мА) ,Ом	150 (5)	56 (10)	46 (10)	12 (51)	10 (30)
Температурный коэффициент напряжения стабилизации, %/град	-0,015	-0,09 0,01	+0,05	-0,1	0,05
Рассеиваемая мощность,мВт	125	300	300	1000	1000

Приложение 5

Параметры стабилитронов с лавинным пробоем

	Параметры	Д814А	Д814В	Д814Д	2С168А	2С175Ж	КС191Ж
	Напряжение стабилизации номинальное (IСТ,мА),В	8,0 (5)	10,0 (5)	13,0 (5)	6,8 (10)	7,5 (4)	9,1 (4)
	Разброс напряжения стабилизации	7,0 8,5В	9,0 10,5В	11,5 14,0В	+10%	7,1 7,9В	8,6 9,6В
	Максимальный ток стабилизации,мА	40	32	24	45	17	14
	Минимальный ток стабилизации,мА	3	3	3	3	0,5	0,5
	Прямое напряжение при IПР=50мА, В	1	1	1	1	2	2
	Постоянный обратный ток(UОБР, В) не более, мкА	0,1 (1)	0,1 (1)	0,1 (1)	1000 (4,5)	20 (5)	20 (6)
Постоянный прямой ток,мА						50	50
Дифференциальное сопротивление (IСТ,мА) ,Ом		6 (5)	12 (5)	18 (5)	28 (10)	200 (0,5)	200 (0,5)
Температурный коэффициент напряжения стабилизации, %/град		0,07	0,09	0,095	+0,06	0,07	0,09
Рассеиваемая мощность,мВт		340	340	340	300	125	125

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ

Составители Елфимов Вячеслав Ильич

Устыленко Наталья Степановна

Редактор Л.Ю. Козяйчева

Подписано в печать Формат 60х84 1/16

Бумага типографская Офсетная печать Усл. печ. л.

Уч. – изд. л. Тираж 100 Заказ Цена «С»

Издательство ГОУ УГТУ-УПИ

620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19

47