
- •Методические указания по выполнению лабораторных работ и
- •2. М.В. Немцов, м. Л. Немцова «Электротехника и электроника» Москва «Академия» 2007 год. Лаборатория электротехники
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4. Таблица 2 измерений и расчетов
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •1. Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда:
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •Полупроводниковый диод
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда сли -1
- •4 .Таблица 2 измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •Кремниевый стабилитрон
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда сли -1
- •4 .Таблица 2. Измерений и расчетов.
- •Транзистор, включенный по схеме с оэ
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда сли -1
- •4 .Таблица 2. Измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •Полевой транзистор
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда сли -1
- •4 .Таблица 2. Измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •Тиристор
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда сли -1
- •4 .Таблица 2. Измерений и расчетов.
- •5. Расчетные формулы:
- •Фотодиод
- •1 Цель работы.
- •2. Оборудование лабораторного стенда сли -1
- •4 .Таблица 2. Измерений и расчетов.
- •6. По данным замеров и расчетов построить графики зависимостей :
- •7. Отчет должен содержать:
- •8 .Контрольные вопросы
- •9. Литература
- •1 Цель работы.
- •6. Отчет должен содержать:
- •7.Контрольные вопросы
- •8. Литература
- •1 Цель работы.
- •6. Отчет должен содержать:
- •7.Контрольные вопросы
- •8. Литература
- •1 Цель работы.
- •6. Отчет должен содержать:
- •7.Контрольные вопросы
- •8. Литература
- •1. Цель работы.
- •6. Отчет должен содержать:
- •7.Контрольные вопросы
- •8. Литература
- •1 Цель работы.
- •Структурная электрическая схема измерений
- •7.Контрольные вопросы
- •8. Литература
4 .Таблица 2. Измерений и расчетов.
№ п/п |
Замеры и расчеты | |||||||||
Входные характеристики | ||||||||||
1 |
Uбэ В |
0 |
0,02 |
0,04 |
0,08 |
0,12 |
0,16 | |||
2 |
Uкэ=0В |
Iб мА |
|
|
|
|
|
| ||
3 |
|
|
|
|
|
|
|
| ||
Выходные характеристики | ||||||||||
1 |
Uкэ В |
0 |
2 |
4 |
6 |
10 |
14 | |||
2 |
Iб=0,1мА |
Iк мА |
|
|
|
|
|
| ||
3 |
Iб=0,2мА |
Iк мА |
|
|
|
|
|
|
5. Расчетные формулы:
h 11=∆Uбэ/ ∆Iб Ом при Uкэ= const ; h 12= ∆Uбэ/ ∆Uкэ при Iб=const ;
h21=∆ Iк/ ∆Iб при Uкэ= const; h 22=∆ Iк / ∆Uкэ при Iб=const
6. По данным замеров и расчетов построить графики зависимостей :
Iб = f (Uбэ); Iк = f (Uкэ)
7. Отчет должен содержать:
7.1. Наименование работы
7.2. Цель работы
7.3. Графики
7.4. Ответы на контрольные вопросы
К каждому отчету должна прилагаться ксерокопия описания лабораторной работы.
8 .Контрольные вопросы:
.8.1.Поясните структуру биполярных транзисторов, наименование и назначение электродов.
8.2. Типы биполярных транзисторов по структурному построению , наименование переходов, их условное графическое обозначение.
8.3. Приведите схемы включения транзисторов с ОБ, ОЭ, ОК. Приведите формулы и величины коэффициентов усиления по току и напряжению и применение этих схем включения.
9. Литература
1. «Электротехника и электроника» под редакцией Б.И. Петленко Москва «Академия» 2007 год.
2. М.В. Немцов, М. Л. Немцова «Электротехника и электроника» Москва «Академия» 2007 год.
3. Ф.Е. Евдокимов. Общая электротехника. Учебник. М.: Высшая школа, 1990г.
4. Ю.П. Черкасов, Э.М. Моисеевич. Учебное пособие. Электротехника и электрооборудование киноустановок. М.: Высшая школа, 1991 г.
5. Л. А. Частоедов. Электротехника. Учебник. М.: Высшаяшкола, 1989 г.
6.Е.О. Федосеева « Основы электроники и микроэлектроники» М., Высшая школа, 1990г
Преподаватель Губская Н. А.
Лаборатория электронной техники
Лабораторная работа № 4
Полевой транзистор
1 Цель работы.
Изучить свойства полевого транзистора .Снять и исследовать стоковые и стоко-затворную характеристики. Рассчитать основные параметры.
2. Оборудование лабораторного стенда сли -1
В соответствии с приведенной принципиальной электрической схемой
3. Порядок выполнения работы.
3.1 Собрать принципиальную электрическую схему.
Принципиальная электрическая схема измерений
3.2.Рассчитать цену деления измерительных приборов и записать в Табл.1
Табл.1
Наименование прибора |
Предел измерения |
Цена деления |
PV1 В |
5 |
|
РА1 мА |
10 |
|
PV2 В |
50 |
|
3.3. После проверки схемы преподавателем, включить стенд в следующей последовательности: 3.4.Установить полярность источников Е1 0…3 в и Е2 0…15 В и вольтметров PV1, PV2 ; мА 1 в соответствии с обозначением на схеме.
3.5. Снять стоковые характеристики транзистора для чего:
3.5.1. Установить напряжение источника Е2 0…3Впо вольтметруPV1 Uзи=0В.
3.5.2. Изменяя значения Uси на источникеЕ1 0…15 В по PV2 согласно табл.2 и записывать значенияIс по миллиамперметруРА1.
3.5.3. Аналогично измерение Iспроизвести приUзи=1В.
3.6. Снять стоко-затворную характеристику транзистора для чего:
3.6.1.Установить на источнике Е1 0…15 В по PV2 Uси=5В
3.6.2. Изменяя значения Uзи на источникеЕ1 0…3 В по PV1 Uзисогласно табл.2 и записывать значенияIс по миллиамперметруРА1
3.6.3. . Аналогично измерение Iкпроизвести при Iб= 0,3мА