- •«Электроника» Саратов 2012
- •Задания
- •10. Пространственный заряд в п – р переходе главным образом образуется:
- •Дана таблица истинности логического элемента (см табл.) укажите функцию, выполняемую этим элементом?
- •15. Назовите причину возникновения диффузионного тока в p-n переходе.
- •18. Пространственный заряд в п – р переходе главным образом образуется:
- •19. Прямое напряжение на диоде – это напряжение при котором:
- •23. Назовите причину возникновения диффузионного тока в p-n переходе.
- •26. Пространственный заряд в п – р переходе главным образом образуется:
- •28. Укажите схему включения транзистора с общей базой (об):
- •29. Схема включения транзистора с об позволяет:
- •31. Назовите причину возникновения диффузионного тока в p-n переходе.
23. Назовите причину возникновения диффузионного тока в p-n переходе.
- Преобладание электронных носителей в p-n переходе.
- Барьерное напряжение на p-n переходе вызывает этот ток.
- Внешнее напряжение на p-n переходе вызывает этот ток.
+ Диффузионный ток в p-n переходе образуется из-за существенного градиента концентрации основных и не основных носителей заряда.
- Нет верных ответов.
24. Какие напряжения нужно подать на контакты транзистора, чтобы перейти к режиму насыщения работы транзистора в схеме ОЭ.
- UБЭ – прямое напряжение, UКЭ – обратное напряжение.
+ UБЭ – прямое напряжение, UКЭ – прямое напряжение.
- UБЭ – обратное напряжение, UКЭ – обратное напряжение.
- Нет верных ответов.
25. Полупроводники n– типа образуются добавлением атомов примиси:
+ пятой валентной группы.
- р – типа.
- п – типа.
- третей валентной группы.
- четвертой валентной группы.
26. Пространственный заряд в п – р переходе главным образом образуется:
- основными носителями заряда.
- неосновными носителями заряда.
- подвижными носителями заряда.
+ атомами примиси.
- другой ответ.
27. Обратное напряжение на диоде – это напряжение при котором:
- минус напряжения подается на п– область.
+ плюс напряжения подается на п – область.
- плюс напряжения подается на р – область.
- другой ответ.
28. Укажите схему включения транзистора с общей базой (об):
+ Рисунок а).
- Рисунок б).
- Рисунок в).
- Другой ответ.
29. Схема включения транзистора с об позволяет:
- усилить напряжение.
+ усилить ток.
- повторить входной сигнал.
- согласовать входное сопротивление.
- Другой ответ.
30. Дана таблица истинности логического элемента (см табл. 1) укажите функцию, выполняемую этим элементом?
-
Х1
Х2
У
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
- «2И».
+ «2И-НЕ».
- «2 ИЛИ».
- «2 ИЛИ-НЕ».
- «2 И-ИЛИ».
31. Назовите причину возникновения диффузионного тока в p-n переходе.
- Преобладание электронных носителей в p-n переходе.
- Барьерное напряжение на p-n переходе вызывает этот ток.
+ Диффузионный ток в p-n переходе образуется из-за существенного градиента концентрации основных и не основных носителей заряда.
- Внешнее напряжение на p-n переходе вызывает этот ток.
- Нет верных ответов.
32. Какие напряжения нужно подать на контакты транзистора, чтобы перейти к режиму насыщения работы транзистора в схеме ОЭ.
+ UБЭ – прямое напряжение, UКЭ – прямое напряжение.
- UБЭ – прямое напряжение, UКЭ – обратное напряжение.
- UБЭ – обратное напряжение, UКЭ – обратное напряжение.
- Нет верных ответов.