Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.»
Кафедра «Электротехника и электроника»
Задания для самостоятельной работы студентов
по дисциплине
«Электроника» Саратов 2012
-
Задания
Необходимо ответить на приведенные вопросы. Среди ответов есть правильный ответ. Найти его.
-
Полупроводники р – типа образуются добавлением атомов примеси:
- р – типа.
- п – типа.
+ третей валентной группы.
- пятой валентной группы.
- четвертой валентной группы.
-
Пространственный заряд в п – р переходе главным образом образуется:
- основными носителями заряда.
+ атомами примиси.
- неосновными носителями заряда.
- подвижными носителями заряда.
- другой ответ.
-
Прямое напряжение на диоде – это напряжение при котором:
- плюс напряжения подается на п – область.
- минус напряжения подается на р– область.
+ плюс напряжения подается на р – область.
- другой ответ.
-
Укажите схему включения транзистора с общей базой (ОБ):
- Рисунок б).
+ Рисунок а).
- Рисунок в).
- Другой ответ.
-
Схема включения транзистора с ОБ позволяет:
- усилить напряжение.
+ усилить ток.
- повторить входной сигнал.
- согласовать входное сопротивление.
- Другой ответ.
6. Дана таблица истинности логического элемента (см табл.) укажите функцию, выполняемую этим элементом?
-
Х1
Х2
У
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
+ «2 ИЛИ-НЕ».
- «2И».
- «2И-НЕ».
- «2 ИЛИ».
- «2 И-ИЛИ».
7. Назовите причину возникновения диффузионного тока в p-n переходе.
- Преобладание электронных носителей в p-n переходе.
- Барьерное напряжение на p-n переходе вызывает этот ток.
+ Диффузионный ток в p-n переходе образуется из-за существенного градиента концентрации основных и не основных носителей заряда.
- Внешнее напряжение на p-n переходе вызывает этот ток.
- Нет верных ответов.
8. Какие напряжения нужно подать на контакты транзистора, чтобы перейти к активному режиму работы транзистора в схеме ОЭ.
+ UБЭ – прямое напряжение, UКЭ – обратное напряжение.
- UБЭ – прямое напряжение, UКЭ – прямое напряжение.
- UБЭ – обратное напряжение, UКЭ – обратное напряжение.
- Нет верных ответов.
9. Полупроводники п – типа образуются добавлением атомов примеси:
- р – типа.
- п – типа.
- третей валентной группы.
+ пятой валентной группы.
- четвертой валентной группы.
10. Пространственный заряд в п – р переходе главным образом образуется:
- основными носителями заряда.
- неосновными носителями заряда.
+ атомами примиси.
- подвижными носителями заряда.
- другой ответ.
11. Обратное напряжение на диоде – это напряжение при котором:
+ плюс напряжения подается на п – область.
- минус напряжения подается на п– область.
- плюс напряжения подается на р – область.
- другой ответ.
12. Укажите схему включения транзистора
с общим эмиттером (ОЭ):
- Рисунок а).
+ Рисунок б).
- Рисунок в).
-
Другой ответ.
-
Схема включения транзистора с ОЭ позволяет:
- усилить напряжение.
+ усилить ток и напряжение.
- повторить входной сигнал.
- согласовать входное сопротивление.
- Другой ответ.