-
Дана таблица истинности логического элемента (см табл.) укажите функцию, выполняемую этим элементом?
-
Х1
Х2
У
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1
- «2И».
- «2И-НЕ».
+ «2 ИЛИ».
- «2 ИЛИ-НЕ».
- «2 И-ИЛИ».
15. Назовите причину возникновения диффузионного тока в p-n переходе.
+ Диффузионный ток в p-n переходе образуется из-за существенного градиента концентрации основных и не основных носителей заряда.
- Преобладание электронных носителей в p-n переходе.
- Барьерное напряжение на p-n переходе вызывает этот ток.
- Внешнее напряжение на p-n переходе вызывает этот ток.
- Нет верных ответов.
16. Какие напряжения нужно подать на контакты транзистора, чтобы перейти к режиму отсечки работы транзистора в схеме ОЭ.
- UБЭ – прямое напряжение, UКЭ – обратное напряжение.
- UБЭ – прямое напряжение, UКЭ – прямое напряжение.
+ UБЭ – обратное напряжение, UКЭ – обратное напряжение.
- Нет верных ответов.
-
Полупроводники р – типа образуются добавлением атомов примиси:
- р – типа.
+ третей валентной группы.
- п – типа.
- пятой валентной группы.
- четвертой валентной группы.
18. Пространственный заряд в п – р переходе главным образом образуется:
+ атомами примиси.
- основными носителями заряда.
- неосновными носителями заряда.
- подвижными носителями заряда.
- другой ответ.
19. Прямое напряжение на диоде – это напряжение при котором:
- плюс напряжения подается на п – область.
+ плюс напряжения подается на р – область.
- минус напряжения подается на р– область.
- другой ответ.
20. Укажите схему включения транзистора
с общим коллектором (ОК):
- Рисунок а).
- Рисунок б).
+ Рисунок в).
- Другой ответ.
21. Схема включения транзистора с ОЭ позволяет:
+ усилить напряжение и ток.
- усилить ток.
- повторить входной сигнал.
- согласовать входное сопротивление.
- Другой ответ.
22. Дана таблица истинности логического элемента (см табл. 1) укажите функцию, выполняемую этим элементом?
Табл. 1
-
Х1
Х2
У
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
+ «2И».
- «2И-НЕ».
- «2 ИЛИ».
- «2 ИЛИ-НЕ».
- «2 И-ИЛИ».