22. Зонная диаграмма туннельного диода на участке роста обратного туннельного тока.

При обратном смещении (рис. 1.16, г) туннельный ток возрастает с увеличением напряжения, т.к. всё большее количество электронов из валентной зоны p-области переходит в зону проводимости n-области.

23. Эквивалентная схема модели Эбберса-Молла

Модель имеет наибольшее распространение и характеризует только активную область транзистора. Модель Эбберса-Молла (рис. 2.15 ) отражает равноправность переходов транзистора. Диоды отображают инжекцию зарядов через эмиттерный и коллекторный переходы - токи I₁иI₂. Источник_II₂учитывает передачу тока из коллектора в эмиттер, а источник_NI₁из эмиттера в коллектор._N и_I- коэффициенты передачи тока при нормальном инверсном включениях. Источник_NI₁отражает инжекцию электронов из эмиттера в базу и перенос из через базу в коллектор и нежелательную инжекцию дырок и базы в эмиттер. Источник_II­₂отражает инжекцию электронов из коллектора в базу и перенос их через базу в эмиттер и инжекцию дырок из базы в коллектор.

Эквивалентная схема

24. Система уравнения из модели Эбберса - Молла

Из рис. 2.15 можно записать:

(2.6.1)

(2.6.2)

(2.6.3)

Используя выражения для ВАХ диода согласно которым I₁=I_ЭО[exp(qU_БЭ/KT)-1],I₂=I_KО[exp(qU_БK/KT)-1], гдеI_ЭОиI_КОпараметры модели имеющие смысл тепловых обратных токов, записанные три уравнения можно переписать в виде:, (2.6.4)

(2.6.5)

. (2.6.6)

Из этих уравнений можно получить аналитические модели для любого семейства характеристик в любой схеме включения.

Модель Эбберса-Молла определяет статические вольт-амперные характеристики и не учитывает многих особенностей транзистора: объёмных сопротивлений областей, рекомбинацю в эмиттерном переходе, модуляцию толщины базы и т.д.

25. Биполярный транзистор как линейный четырехполюсник.

Транзистор можно рассматривать как линейный четырехполюсник (рис.). При небольших изменениях напряжений и токов статические характеристики транзистора можно считать почти линейными.

Пусть независимыми переменными являются входной ток I₁ и выходное напряжение U₂. Тогда U₁=f₁(I₁,U₂) и I₂=f₂(I₁,U₂).

Для небольших приращений напряжений и токов можно записать:

U₁=,

I₂=.

Пусть U₂ и I₁ малые гармонические колебания c комплексными амплитудами,, тогда уравнения можно переписать в виде:

, (2.7.3)

, (2.7.4)

26. H-параметры

h- параметры являются комплексными величинами и имеют следующий смысл:

h₁₁=при=0- входное сопротивление при короткозамкнутой на выходе переменной составляющей U₂=const.

h₁₂=при=0- коэффициент обратной связи по напряжению

при разомкнутом входе для переменной составляющей I₁=const.

h₂₁=при=0- коэффициент передачи тока при короткозамкнутом выходе по переменному току U₂=const. В схеме с ОЭ

h_21Э=+I_Б . (2.7.5)

h₂₂=при=0- выходная проводимость при разомкнутом входе, для переменной составляющей.

Значения h-параметров зависят от величины входного тока и выходного напряжения, от схемы включения и частоты.

h-параметры достаточно просто определяются на низких частотах и используются для расчета схем.

Применяется также система Y-параметров, для определения которой в качестве независимых переменных выбирают входное и выходное напряжения.

Y-параметры наиболее удобны для описания высокочастотных свойств транзисторов.