15. Работа простейшего стабилизатора на стабилитроне.

Пусть питающее напряжение Uвозрастает, напряжение на стабилитроне, а следовательно на нагрузке будет возрастать до тех пор, пока ток, протекающий через стабилитрон, не достигнет величины. При дальнейшем росте напряжения, напряжение на стабилитроне и нагрузке практически изменяться не будет. Увеличение питающего напряженияUбудет компенсироваться увеличением падения напряжения на резистореR. Величину сопротивления резистораRможно определить из соотношения:. Коэффициентом стабилизации называется отношение изменения питающего напряжения к изменению напряжения стабилизации:.для данной дальнейшей схемы определяется следующим выражением:. Как правило составляет для данной схемы от 10 до 20.

16. Прецензионные стабилитроны.

Прецинзионные стабилитроныобладают температурным коэффициентом напряжения стабилизации_ст=10^-5град^-1. Они представляют собой три последовательно включенныхp-n-перехода. Стабилизирующийp-n-переход включен в обратном направлении, а два термокомпенсирующих в прямом. С ростом температуры напряжение на обратно включенномp-n-переходе увеличивается, а на прямо включенных диодах уменьшается. Общее же напряжение изменяется незначительно. Последовательно включенные прямосмещённые диоды увеличивают дифференциальное сопротивление прецинзионных стабилитронов.

17. Стабисторы

Стабисторы. Диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь ВАХ, называется стабистором. Напряжение стабилизации стабистора с однимp-n-переходом ~0,7 В. Применяются стабисторы с несколькими последовательно включеннымиp-n-переходами.

18. Вах туннельного диода.

ВАХ туннельного диода показана на рис. 1.17. Участок ОА - нарастание туннельного тока, АВ - уменьшение туннельного тока, ВС - диффузионная ветвь ВАХ. На участке отрицательного сопротивления АВ действует положительная обратная связь, по напряжению. Увеличение внешнего напряжения (рис. 1.18) приводит к уменьшению туннельного тока, а следовательно увеличению сопротивлению туннельного диода. Вследствие перераспределения внешнего напряжения, падение напряжения на диоде U­₀ увеличится, что приводит к ещё большему увеличению сопротивления.

19. Зонная диаграмма туннельного диода на участке роста прямого туннельного тока.

При отсутствии внешнего смещения встречные потоки дырок и электронов будут равны, а результирующий ток через p-n-переход будет равен нулю. При подаче прямого смещения на p-n-переход, зона проводимости n-области сместится вверх и заполненные уровни n-области окажутся напротив свободных уровней валентной зоны p-области (рис. 1.16, а). Вероятность перехода электронов из зоны проводимости n-области в p-область увеличивается, а вероятность перехода дырок из валентной зоны p-области уменьшается. В результате через p-n-переход потечет прямой ток.

20. Зонная диаграмма туннельного диода на участке спада прямого туннельного тока.

21. Зонная диаграмма туннельного диода на участке протекания диффузионного тока.

При U>U_В через p-n-переход протекает обычный диффузионный ток или ток рекомбинации (рис. 1.16, в).