Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Физические основы и схемотехника электронных устройств автоматик. Гиоргадзе А.Л., Кириллов Ю.В

.pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
7.07 Mб
Скачать

Рис. 4.8 Моментами отпирания и запирания транзисторных ключей

управляет опорное напряжение, поступающее на транзистор. Транзистор открывается в одном из полупериодов и запирается в другом. Поэтому такие модуляторы называют однополупериодные. На рис. 7в представлена схема двухполупериодного модулятора. Параметры схемы подбирают таким образом, чтобы верхняя и нижняя части схемы были симметричными. Для этого необходимо, чтобы параметры транзисторов были идентичны, а величины сопротивлений, выполняющих одинаковую функцию были одинаковы. Вторичные обмотки трансформаторов включены таким образом, чтобы в один из полупериодов был открыт транзистор VT1, а VT2 закрыт, а в другой полупериод (противоположной полярности) открыт транзистор VT2.

Двухполупериодные модуляторы обладают вдвое большим коэффициентом преобразования, равным отношению амплитуды напряжения первой гармоники на выходе к величине напряжения на входе, входное сопротивление их постоянно в каждом полупериоде.

Достоинством модуляторов на транзисторах является малая рассеиваемая мощность на коллекторе в режиме переключения транзистора, а следовательно малая мощность, затрачиваемая при коммутации, высокий коэффициент полезного действия, сравнительно высокие частоты коммутации.

151

Недостатком транзисторных модуляторов является наличие на их входе некоторого переменного напряжения при отсутствии напряжения на входе, это объясняется наличием остаточного напряжения на открытом транзисторе и остаточного тока на закрытом транзисторе.

Схемы амплитудных демодуляторов на транзисторах аналогичны схемам модуляторов и выполняются на транзисторных ключах. Режим работы ключей задается переменным опорным напряжением. Демодуляторы выполняются по однополупериодным и двухполупериодным схемам. Любая из схем модуляторов, приведенных на рис. 4.8 может работать в качестве демодулятора, если на вход подать подлежащее демодулированию переменное напряжение, которое либо совпадает по фазе с опорным напряжением, либо находится в противофазе с ним. В результате на выходе схемы образуется пульсирующее напряжение, амплитуда которого в идеальном случае равна амплитуде входного сигнала, а знак зависит от фазы входного напряжения. Т.к. в выходном сигнале содержится широкий спектр гармоник, при этом первая гармоника и вторая гармоника соизмеримы с полезной постоянной составляющей, то на выходе демодулятора ставится фильтр нижних частот. Задача этого фильтра выделять постоянную составляющую сигнала, подавляя гармоники.

Коэффициент преобразования демодулятора на транзисторе

К

 

U n

1

,

Д

Em

 

 

 

 

 

 

 

где Un – напряжение постоянной составляющей, Em – амплитуда входного сигнала.

На рис. 4.9 представлена схема однополупериодного и двухполупериодного демодуляторов на транзисторах.

152

Рис. 4.9

На рис. 4.9(а) представлена схема демодулятора с компенсированным транзисторным ключом, который выполнен на двух транзисторах VT1 и VT2, включенных встречно. Оба транзистора отпираются и запираются одновременно, поэтому остаточные напряжения на транзисторах взаимно компенсируются.

Двухполупериодные демодуляторы (рис. 4.9б) имеют вдвое больший коэффициент преобразований, меньшую пульсацию выходного напряжения, отсутствие постоянной составляющей первичной обмотки.

Рассмотренные выше электронные устройства: операционные усилители, модуляторы и демодуляторы позволяют получать устройства, которые обладают значительно лучшими параметрами, чем исходные.

Так в прецизионных системах автоматики требуются операционные усилители с малым временным и температурным дрейфом выходного напряжения. Поэтому в измерительных и других точных устройствах автоматики применяются ОУ типа МДМ. В таких ОУ входной сигнал постоянного тока преобразуется (модулируется) в сигнал переменного тока, который затем усиливается усилителем переменного тока и после демодулятора и фильтра низких частот получается усиленный медленно меняющийся сигнал входа. Типичная структурная схема МДМ-усилителя приведена на рис. 4.10(а). Кроме модулятора (М), усилители переменного напряжения (У1), демодулятора (ДМ) и делителя обратной связи β, в эту структуру входят фильтр низких частот (ФНЧ) и усилитель постоянного

153

напряжения (У2). ФНЧ необходим для сглаживания выбросов выходного напряжения, возникающих при коммутации ключей модулятора. Усилитель У2 обеспечивает низкое выходное сопротивление, требуемую величину выходного сигнала и увеличивает общий коэффициент усиления. При достаточно большом коэффициенте усиления У1, дрейф усилителя У2 практически не увеличивает нестабильность начального уровня усилителя в целом. На рис. 4.10(б) приведена принципиальная схема измерительного МДМ-усилителя, построенного по приведенной структурной схеме. В схеме применен ОУ с модулятором К140УД13. Т.к. собственный коэффициент усиления микросхемы К140УД13 составляет всего 7…10, а максимальное выходное напряжение не превышает 0,5В, схема дополнена двумя ОУ в микросхеме типа К140УД20. Усилитель (ДА2) увеличивает коэффициент усиления усилителя переменного напряжения (ДА1), второй (ДА3) – служит для снижения пульсаций и увеличения выходного сигнала.

Измерительная МДМ имеет средний температурный дрейф

0,5мкВ/0С.

а)

б)

Рис. 4.10

154

Дрейфы выходного сигнала в данной структуре полностью определяются стабильностью параметров модулятора, который расположен на входе схемы. В данной схеме модулятор и демодулятор выполнены на МОП-транзисторах, т.к. такое исполнение позволяет обеспечить малые размеры устройств.

Модулятор и демодулятор работают синхронно и поэтому управляются от источника одного управляющего напряжения (рис.

4.11)

Рис. 4.11

Упрощенная схема операционного усилителя с МДМ приведена на рис. 4.12(а), схемы его модулятора и демодулятора на

рис. 4.12. Входное постоянное напряжение, преобразованное модулятором в виде прямоугольных импульсов на рис. 4.12(б) подается на вход дифференциального усилителя, который усиливает сигнал в Кu раз. На выходе усилителя переменного тока установлен разделительный конденсатор С. Одна из его обкладок с помощью демодулятора периодически замыкается на землю. Вследствие малого

сопротивления ключа и постоянной времени напряжение на конденсаторе станет –КuU1. Конденсатор становится источником напряжения КU1, которое суммируется с выходным напряжением усилителя. В итоге перед ФНЧ будет пульсирующее напряжение с размахом пульсаций 2К и U1 (рис. 4.12в), в составе которого имеется постоянная составляющая Uвых (рис. 4.12г). ФНЧ позволяет выделить постоянную составляющую.

Модулятор выполнен по мостовой схеме (рис. 4.12б) на МОП-транзисторах с индуцированным каналом и управляемая двумя последовательностями импульсов (рис. 4.12г), сдвинутых на

155

1800. При подаче импульса одной последовательности открываются транзисторы VT1, VT4, а другой VT2, VT3.

а)

б)

в)

г)

Рис. 4.12

156

Рис. 4.13

На рис. 4.13 приведены диаграммы напряжений на электродах (а-г) ОУ МДМ.

4.6. Автоматические регуляторы

Автоматические регуляторы находят широкое применение в различных отраслях промышленности.

Они обеспечивают автоматическое регулирование и поддержание параметров в технологических системах, таких как кондиционирование воздуха, управление технологическими параметрами оборудования, линий, комплексов.

В качестве примера рассмотрим электрическую схему и принцип работы автоматического регулятора температуры РТ-2 (рис. 4.14). Функциональные элементы регулятора: измерительный мост, в котором включен в качестве датчика температуры, термопреобразователь, сопротивление RQ-платиновый терморезистор типа 100П или медный терморезистор. RQ включен на схеме в плечо моста. Температурная характеристика датчика близка к линейной, а его чувствительность 0,20мВ/0С. Для питания схемы применяется биполярное стабилизированное постоянное напряжение. Напряжение вторичной обмотки трансформатора Т со средней точкой вы-

157

прямляется диодным мостом VД25…VД28, для сглаживания напряжения, использованы конденсаторы С7, С8, С9. С конденсаторов С7, С8, снимаются

Рис. 4.14

стабилизированные напряжения. Измерительный мост запитан через стабилизатор постоянного тока.

158

.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.Прянишников В.А. Электроника. Полный курс лекций. – СПб.: Учитель и ученик: КОРОНА принт, 2003

2.Гальперин М.В. Электронная техника: Учебник.-М.: ФОРУМ: ИНФРА-М,2003

3.Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: Учебное пособие.-СПб.: Питер, 2003

4.Новиков Ю.В. Основы цифровой схемотехники.-М.: Мир,

2001

5.Степаненко И.П. Основы микроэлектроники.-М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001

6.Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.-М.: Энергия, 1973

159

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………3

1.ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ

1.1Движение электронов в однородном электрическом поле……...4

1.2Движение электронов в неоднородном электрическом поле…...9

1.3Движение электронов в однородном магнитном поле…………11

1.4Электропроводность полупроводников…………………………14

1.4.1Зонная энергетическая диаграмма твердых тел……………..-

1.4.2Собственная электронная электропроводность…………….18

1.4.3Примесная электропроводность……………………………..25

1.4.4Диффузия носителей заряда в полупроводниках…………..30

1.5Электронно-дырочные и металлополупроводниковые

переходы………………………………………………………………33

1.5.1Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения………………………………………………………………-

1.5.2Электронно-дырочный переход при прямом напряжении..38

1.5.3Электронно-дырочный переход при обратном напряжении.- 1.5.4 Переход металл-полупроводник…………………………….44

1.6Физические процессы в полупроводниковых диодах………….46

1.7Физические процессы в транзисторах…………………………..49

2.СХЕМОТЕХНИКА АНАЛОГОВЫХ УСТРОЙСТВ И ПРОИСХОДЯЩИЕ В НИХ ПРОЦЕССЫ

2.1Электрические сигналы…………………………………………..55

2.1.1Аналоговые сигналы и их параметры………………………56

2.1.2Импульсные сигналы и их параметры……………………..58

2.1.3Цифровые сигналы и их классификация…………………...62

2.1.4Спектры электрических сигналов…………………………..65

2.1.5Преобразование электрических сигналов………………….69

2.1.6Информационная емкость электрических сигналов……….71

2.1.7Основные параметры сигнала информации………………..75

2.2Усилительные устройства………………………………………..76

2.2.1Классификация усилителей и их основные параметры и характе-

ристики……………………………………………………………...-

2.2.2Обратная связь и ее влияние на характеристики

усилителей………………………………………………………………84

2.2.3Классы усиления……………………………………………...92

2.2.4Усилительный каскад………………………………………...95

2.2.5Физические процессы в усилительном каскаде…………….97

2.2.6Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах…………………………………………………………...102

2.2.7Схемотехника усилительных каскадов на полевых транзисто-

рах………………………………………………………………………111

2.3Эмиттерный повторитель………………………………………117

160

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]