3152

Таблица 5 - Миниатюрные конденсатора (основные электрические и конструктивные данные)

9)DRSпогрешность воспроизведения удельного поверхностного сопротивления, %;

10)P- максимальная мощность рассеяния, мВт;

11)DKFDдопустимое отклонение коэффициента формы, %;

12)KFкоэффициент формы;

13)B- ширина ПР, мм;

14)L- длина ПР, мм;

15)S- площадь, занимаемая ПР, мм2;

16)NP-число резистивных полосок, соединенных перемычками;

17)LCR-длина средней линии меандра, мм;

18)NORT-количество звеньев ПР типа “меандр”;

19)AM-длина контура ПР типа “меандр”, мм;

20)BM-ширина контура ПР типа “меандр”, мм;

21)LN-длина прямоугольного участка одного звена ПР типа “меандр”, мм;

22)RM-максимальное значение номинала, Ом;

23)RMNминимальное значение номинала, Ом;

24)RSMмаксимальное значение удельного поверхностного сопротивления, Ом/ ;

25)RSMNминимальное значение удельного поверхностного сопротивления, Ом/ ;

26)LO-длина основного участка резистора, мм;

27)NC-число секций подгонки;

29)BC-ширина подгоночной секции.

4.2Условное обозначения и размерности параметров в программе “KOND”

1)C-номинальная емкость конденсатора, пФ;

2)DCпогрешность емкости, %;

3)VPрабочее напряжение, В;

4)DCO-погрешность воспроизведения удельной емкости, %;

5)NN-количество конденсаторов;

6)TMAXмаксимальная температура окружающей среды, 0С;

7)DAпогрешность воспроизведения линейных размеров обкладок, мм;

8)F-рабочая частота конденсатора, Гц;

9)QM-требуемое значение добротности;

10) DY-погрешность установки масок, мм;

11) D -длительность эксплуатации проектируемой ГИС,ч; 12) KF-коэффициент формы обкладок;

13) RC-удельное сопротивление обкладок, Ом/ ; 14) D-толщина диэлектрического слоя, мкм;

15) DCC-изменение сопротивления при старении, %; 16) DCT-температурная погрешность емкости, ТКС, %; 17) S-площадь верхней обкладки ПК, мм2;

18) QMдобротность ПК;

19) DCD-допустимая погрешность емкости, %;

20) DSDдопустимая погрешность площади, %; 21) LSR-длина общей границы двух гребенок, мм; 22) AB-длина верхней обкладки ПК, мм;

23) BB-ширина верхней обкладки ПК, мм;

24) ANдлина нижней обкладки ПК, мм;

25) BNширина нижней обкладки ПК, мм;

26) ADдлина диэлектрического слоя, мм;

27) BDширина диэлектрического слоя, мм; 28) SC-площадь, занимаемая ПК, мм2;

29) CMAX-максимальное значение емкости, пФ;

30) CMIN-минимальное значение емкости, пФ;

31) N-число секций подгонки;

32) COMAX-максимальная удельная емкость, пФ/мм2; 123

33)COMIN-минимальная удельная емкость, пФ/мм

34)SCMAX-максимальная площадь основной части верхней обкладки, мм2;

35)LA-длина основной части верхней обкладки, мм;

36)LB-ширина основной части верхней обкладки, мм;

37)NA-количество секций по длине;

38)NBколичество секций по ширине;

39)TA-шаг размещения секций по длине обкладки, мм;

40)TBшаг размещения секций по ширине обкладки, мм;

41)BCA-ширина секций по длине обкладки, мм;

42)BCBширина секций по ширине обкладки, мм;

43)HCAвысота секций по длине обкладки, мм; 2;

44) HCBвысота секций по ширине обкладки, мм;

4.3 Условное обозначения и размерности параметров в программе “K”

1)NN-количество проектируемых контактов;

2)R-величина номинального сопротивления резистора, Ом;

3)RDOP-допустимое сопротивление контактного перехода, Ом;

4)RKBсопротивление квадрата резистивное пленки, Ом/ $

5)RZудельное переходное сопротивление контактного слоя, Ом/мм2;

6)LR и BRдлина и ширина резистора, мм;

7)LK-длина контактного перехода, мм;

8)LRU-длина расширенных участков гантелевидного резистора, мм;

9)LRG-суммарная длина гантелевидного резистора, мм;

10)BR1-ширина расширенных частей гантелевидного резистора, мм;

11)BR2-ширина резистора с фигурными контактами, мм;

12)BL-ширина суженной части резистора с фигурными контактами,

10) T-толщина витка, мм.

125

ПРИЛОЖЕНИЕ Д Пример оформления конструкторской документации на ГИС.