Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Промышленное применение лазеров

..pdf
Скачиваний:
18
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
12.37 Mб
Скачать

Рис. 2.20. Схема процессов, приводящих к накачке эксимерного лазера на ксеноне

Соударения и поглощение излучения на каждой стадии могут приводить к обратным реакциям вдоль цепи, а также к потерям при диффузии.

Необходимость в рентгеновских лазерах возникла еще много лет назад. Рентгеновский источник когерентного излучения нашел бы широкое применение. Было сделано много предложений по раз­ работке рентгеновских лазеров, и во многих лабораториях пытались создать рентгеновские лазеры, но до сих пор ни одна попытка не ока­ залась успешной. Однако интенсивные работы в этом направлении позволяют надеяться, что рентгеновские лазеры будут созданы. Одна из серьезных трудностей на пути таких лазеров - отсутствие зеркал для резонатора. Для создания активной среды рентгеновских лазеров предлагалась плазма, возникающая при взаимодействии лазерных импульсов высокой мощности с поверхностью и интенсивно излу­ чающая в рентгеновской области. Есть основания предположить, что для некоторых высоколежащих состояний многократно ионизован­ ных, атомов в плазме может быть получена инверсия населенностей.

Эксимерный лазер на практике представляет собой газовую ка­ меру высокого давления (давление до десятков атмосфер). Внутри камеры установлены зеркала с диэлектрическими покрытиями. Воз-

буждение осуществляется импульсным пучком быстрых электронов, который вводится в газ. В некоторых экспериментах использовались импульсы тока 70 кА электронов с энергией 1 МэВ.

В табл. 2.4. приведены несколько эксимеров, на которых получено лазерное излучение и указаны длины волн импульсного режима работы.

 

 

Таблица 2 .4

Газовые лазеры на эксимерах инертных газов

Эксимер

Длина волны, мкм

Типичные выходные параметры

Аг2*

0,1261

 

Кг2*

0,1457

Пиковая мощность 105 Вт

Хс2*

0,1722

Энергия импульса 10 МДж

ХеО*

0,5578

Длительность импульса 10 нс

XeF*

0,3540

КПД 1 %

ХеВг*

0,2818

Ширина линии 0,8 нм

KrF*

0,2484

 

Некоторые эксимеры излучают в видимой области, но, по-види­

мому, наибольший

интерес представляют эксимеры, излучающие

в области вакуумного ультрафиолета. Такие лазеры пока что являются экспериментальными устройствами, но они открывают возможность создания высокомощных систем для вакуумного ультрафиолета.

В последнее время большая работа ведется в таких направлени­ ях, как оптические методы обработки и хранения информации, ла­ зерное разделение изотопов и лазерный термоядерный синтез.

Одной из наиболее важных является возможность применения лазеров в области управляемого термоядерного синтеза для топливных элементов ядерных реакторовполучения дейтерия для тяжеловод­ ных реакторов, где лазеры конкурируют с другими средствами осуще­ ствления управляемой термоядерной реакции, среди которых в первую очередь следует назвать системы с магнитным удержанием плазмы. В последние годы их основным представителем является сис­ тема типа «токамак». Лазерное инициирование управляемой термо­ ядерной реакции представляет собой альтернативный путы потенщь

альные возможности которого до сих пор еще недостаточно изучены. В предельном случае этот путь приведет к возможности обеспечения человечества источником энергии на все обозримое будущее.

В термоядерных исследованиях используются неодимовые

и С02-лазеры потому, что только эти два типа лазеров позволяют

внастоящее время получить нужный уровень мощности в очень ко­ ротком импульсе. В то же время очевидно, что неодимовые лазеры не могут быть окончательным типом лазеров для реактора, так как они не могут обеспечить необходимую для энергетической станции частоту повторения импульсов. Длина волны излучения С02-лазера также не является оптимальной. Ряд соображений говорит о том, что предпочтительнее более короткие волны в ультрафиолетовой или голубой части спектра. (Последние эксперименты показали, что при сравнимых величинах плотности мощности лазерного излучения плазма, полученная с помощью неодимового или С02-лазера, имеет сравнимые параметры. Это противоречит предсказаниям теории о предпочтительности коротковолнового излучения для осуществле­ ния управляемой термоядерной реакции.) Поэтому часть программы управляемого термоядерного синтеза включает разработку лазера

Brand X с высокой импульсной мощностью, малой длительностью и большой частотой повторения импульсов. Несмотря на то, что воз­ можный результат этих исследований в настоящее время еще недос­ таточно ясен, несомненно, что поисковые работы по лазеру Brand X представляют собой стимул для новых разработок в области лазер­ ной технологии в течение многих лет.

Лазеры оказывают сильное влияние на развитие систем связи. Волоконно-оптические системы, позволяющие передавать широко­ полосные сообщения, открывают возможность обеспечения необхо­ димых емкостей линий связи в крупных городах.

Лазеры находят широкое применение в сфере обслуживания. Первыми «ласточками» стали видеодиски и системы контроля то­ варных ярлыков.

От объема активной среды зависит количество активных частиц в ней, а следовательно, и потенциальная мощность лазерного излу­

чения. Для каждого типа лазеров существуют ограничения на размер активного элемента, а следовательно, и мощность излучения, связан­ ные с конструктивными трудностями. Например, выращивание каче­ ственного кристалла твердотельного лазера, обеспечивающего вы­ ходную мощность излучения более 300 Вт, неоправданно дорого. Для увеличения мощности лазерных установок выгоднее использо­ вать несколько активных элементов в одном лазере или несколько отдельных лазеров. Например, в установке для лазерного термоядер­ ного синтеза Antares 1 (США) использовали 24 СОг-лазера. При этом общая выходная мощность этой установки достигала 40 Вт (диаметр этой установки более 20 м).

По мнению большинства зарубежных и отечественных специа­ листов, дальнейшее развитие лазерной технологии обработки мате­ риалов связано с использованием твердотельных лазеров. Несмотря на это, технология обработки материалов ССЬ-лазерами хорошо освоена и традиционно широко используется в современном производстве.

Контрольные вопросы

1. Перечислите требования, предъявляемые к лазерному техно­ логическому оборудованию.

2.По каким показателям можно классифицировать лазеры?

3.Опишите метод пространственного разделения молекул

внеоднородных полях.

4.Каков процесс получения инверсной населенности в химиче­ ских методах возбуждения?

5.Как работают лазеры на свободных электронах?

6.Каковы методы возбуждения полупроводников, опишите их.

7.Опишите суть метода внешнего возбуждения многоуровне­ вой системы.

8.Назовите типы квантовых систем, использующих метод возбуждения акустическими колебаниями.

9.Какие процессы опредепяют инверсию населенности с по­ мощью газового разряда? Роль каждого из процессов.

10.Укажите процессы создания инверсной населенности газо­ динамическим методом.

11.Объясните принцип получения инверсной населенности при плазменном методе.

12.Что такое активное вещество лазера, какие активные ве­ щества используются в различных типах лазеров?

13.Особенности активной среды в твердотельных и жидко­ стных лазерах.

14.Перечислите и укажите, как работают различные виды систем накачки в лазерных установках.

15.Какие типы отражатей Вам известны?

16.Перечислите функции оптических систем, как они осуще­ ствляются?

17.Назовите виды газовых лазеров, определите эффектив­ ность ихработы.

18.Каковы особенности энергетической структуры рабочей среды в молекулярных лазерах.

19.Каковы особенности эксимерных лазеров?

20.Каким образом можно изменить длину волны лазерного из­ лучения в химическом лазере?

21.На каком принципе работает рентгеновский лазер?

22.Как работают лазеры на свободных электронах?

22.Укажите преимущества полупроводниковых лазеров перед другими типами лазеров.

23.Объясните процессы, определяющие режим свободной ге­ нерации и режим модулированной добротности.

24.Перечислите системы или конструкции в составе технологи­ ческого лазерного комплекса, необходимые для их надежнойработы.

23.Факторы, определяющие КПД лазеров.

3. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ

ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ВЕЩЕСТВОМ

Возможность получения световых пучков высокой плотности мощности сделало лазер незаменимым инструментом в современ­ ных, высокоэффективных технологических процессах обработки ма­ териалов (резка, сварка, термическая обработка и т.д.). Разработка технологических процессов лазерной обработки твердых непрозрач­ ных тел (металлов, полупроводников, диэлектриков) базируется на физических представлениях о многостадийности трансформации энергии лазерного пучка в процессе воздействия. Обычно выделяют следующие характерные стадии: поглощение и отражение излучения, передача энергии кристаллической решетке твердого тела и нагрев вещества без его разрушения; разрушение материала (плавление, ис­ парение, горение, термоокислительная деструкция и т.д.), ионизация испарившегося вещества и образование плазмы. Это выделение, во­ обще говоря, условно, т.к. фактически многие из перечисленных ста­ дий протекают одновременно. В самом облучаемом материале про­ исходит образование парогазового канала и жидкой ванны, переме­ щение жидкой фазы и кристаллизация после окончания воздействия лазерного излучения. Продолжительность и эффективность протека­ ния этих процессов определяется свойствами лазерного излучения и обрабатываемого материала.

Степень концентрации лазерного излучения на поверхности ма­ териала или плотность мощности излучения q определяет различные процессы и явления взаимодействия излучения с веществом. Схема­ тично можно представить следующие стадии такого взаимодействия (рис. 3.1):

- падение на материал и частичное отражение излучения при q > 0 (см. рис. 3.1, о);

—поглощение и нагрев материала при q < 109 Вт/м2 (см. рис. 3.1,6);

-его плавление при q * 109 Вт/м2 (см. рис. 3.1, в);

-эрозия при q я 10'°-Н0п Вт/м2 (см. рис. 3.1, г); —образование плазмы при q ^ 101 Вт/м2(см. рис. 3.1, Э).

Рис. 3.1. Стадии взаимодействия лазерного излучения с веществом

Все эти эффекты существенно зависят от длительности импуль­ са. Зависимость плотности мощности q от длительности импульса т в разных режимах поведения поверхности обработки материалов по­ казаны на рис. 3.2. Положение разных областей на этой диаграмме для различных металлов несколько изменяется, но характер взаимно­ го расположения областей остается тем же.

Протекание той или иной стадии воздействия определяется не только теплофизическими и оптическими свойствами, состоянием поверхности (шероховатость, наличие оксидных или иных пленок) обрабатываемого лазерным пучком материала, но и параметрами ла­ зерного луча (характером распределения плотности в фокальном пятне, временной структурой, расходимостью, поляризацией, плот­ ностью мощности лазерного пучка в зоне обработки).

Совокупность физических процессов в зоне воздействия опре­ деляется температурой, скоростью и временем нагрева, скоростью охлаждения материала, которые зависят от геометрических и энерге­ тических характеристик лазерного луча, свойств обрабатываемого изделия, технологических схем обработки.

Рис. 3.2. Зависимость плотности мощности лазерного

излучения от длительности импульса т в разных режимах поведения поверхности обработки материалов

Часть лазерного излучения, поглощенная материалом, вызывает нагрев, плавление и испарение материала. Для оценки температур­ ных полей в зоне лазерного воздействия обычно Используется диф­ ференциальное уравнение теплопроводности, решение которого оты­ скивается при соответствующих конкретной задаче краевых услови­ ях. Связь между величинами, участвующими в передаче теплоты, при взаимодействии лазерных потоков с материалами устанавлива­ ется уравнением теплопроводности, в основу вывода которого поло­ жен закон сохранения энергии, сочетаемый с законом Фурье. В слу­ чае неподвижного источника тепла система имеет вид

— = div[<71(г, 0] + Aqv(r,t),

at

qs{r,t) = -'ktpaAT,

где теплофизические коэффициенты с (удельная теплоемкость), р (плотность), Xs (коэффициент теплопроводности) зависят в общем случае от координат, времени и температуры; qv(r, t) - плотность мощности теплового источника, действующего в объеме тела, кото­ рая в общем случае также зависит от температуры; qs(r, t) - тепловой

поток, измеряемый количеством теплоты, проходящей в единицу времени через единицу площади поверхности материала, перпенди­ кулярной направлению потока в рассматриваемой точке, А - погло­ щательная способность среды.

При обсуждении теплофизических процессов материал будет ха­ рактеризоваться такими усредненными теплофизическими величинами, как коэффициент теплопроводности А*, удельная теплоемкость с, коэф­ фициент температуропроводности а, температуры плавления Гп и испа­ рения Г„, удельные энергии плавления £ ули и испарения £уди (табл. 3.1).

Таблица 3.1

Теплофизические постоянные металлов при различных температурах

Вещество

 

0°С

 

 

700°С

 

т

Е

т

Е

 

 

 

 

 

 

К

с-10"

a \ 0 d

к

с-103 <2-104

*п

•‘- 'у д и

1и

^ у л .и

 

 

 

 

 

Алюминий

23,6

0,83

1,03

-

-

-

660

11

2447

254

Ванадий

зл

0,47

0,11

3,9

0,62

0,10

1730

18

3380

458

Вольфрам

18.1

0,13

0.70

12,0

0,15

0,41

3380

35

5530

799

Железо

8,4

0,42

0,28

3,3

0.98

 

1535

16

-

-

Золото

31,8

0,14

1,22

27,8

0,15

0,93

1063

13

2700

324

Медь

40,1

0,38

1,19

35,6

0,47

0,85

1083

13

2595

304

Молибден

13,9

0,25

0,54

11,2

0,29

0,38

2625

28

4800

594

Никель

9,4

0,44

0,20

7,2

0,56

0Л4

1453

18

2800

381

Олово

6.8

0,23

-

 

-

-

235

7

2681

290

Платина

7,2

0,13

0,26

7,9

0,15

0,24

1769

22

4310

447

Свинец

3,6

0,13

0,24

2,0

-

-

327

5

1751

180

Серебро

42,8

0,23

1,74

37,4

0,27

1,30

961

11

2212

254

Титан

2.2

0,52

0,097

2,1

0,74

0,06

1668

16

3280

430

Хром

9,5

0,5

0,27

6,5

0,58

0,16

1903

15

2642

349

Xs - коэффициент теплопроводности, Вт/м-град; а - коэффициент температуропроводности, м“/с;

Гп, Ги - температуры плавления и испарения (°С) £ уд.п;

£ Ул.п - удельные теплоты плавления и испарения, кДж/'моль.

3.1. Падение на материал и частичное

ОТРАЖЕНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ

Световая

волна,

падающая на поверхность, взаимодействует

с электронами,

возбуждая их колебания. Вынужденные колебания

электронов приводят

к возникновению отраженной волны. Если

электроны в твердом теле полностью свободны, то излучение полно­ стью отражается, поглощение отсутствует. Если электроны частично связаны, то часть энергии передается твердому телу, вызывая его на­ грев за счет джоулева тепла. Весь процесс происходит в тонком слое, поэтому можно говорить о действии света на поверхность.

Следует отметить, что отраженные и поглощенные электромаг­ нитные волны формируются не на границе раздела, а в веществе. При этом для непрозрачных твердых тел доля падающего монохро­ матического излучения, поглощенного телом, определяется его по­ глощательной способностью (в случае нормального падения):

4п

п ?

А = 1 - к =-

(и + 1)

■Го

где &отр и А - отражательная и поглощательная способности материа­ ла, т.е. А также можно вычислить по данным измерениям оптических постоянных или комплексного показателя преломления (п ~ показа­ тель преломления среды, / 0 - показатель поглощения), представлен­ ных в табл. 3.2.

При падении лазерного излучения на поверхность материала эф­ фективность полезного использования энергии лазерного луча зависит от соотношения отраженного и поглощенного излучения. О,дна часть излу­ чения, как правило, безвозвратно теряется, другая проникает в материал на небольшую глубину и при поглощении переходит в теплоту.

Коэффициент отражения излучения от поверхности материала R характеризует долю излучения, не участвующую в процессе обработ­ ки, т.е. количество «потерянной» на отражение энергии излучения. Чем меньше его величина, тем выше КПД технологического процесса.