Савельев Г.Ф. Микролептоны, Микролептонные поля, Микролептонные взаимодействия

ЧАСТЬ 4.ИССЛЕДОВАНИЕ ИСТОЧНИКОВ МИКРОЛЕПТОНОВ

Дальнейшие исследования свойств микролептонов были посвящены поискам сред генерирующих микролептоны и их излучения.

Исследование, с помощью регистрации датчика из органических сцинтилляторов были проведено на различных источниках известных излучений с помощью простой схемы.

При этом подбиралась защита, многократно превышающая расчетные данные (толщина свинцовых стенок составляла до 30см).

В качестве исследуемых генераторов излучений вместо ионного ускорителя использовались источники известные и применяемые в экспериментальной физике:

•кобальтовый источник жесткого гамма излучения;

•источник мягкого рентгеновского излучения;

•источник нейтронного излучения;

•источники альфа и бета излучения;

•источник ультрафиолетового излучения

•источник СВЧ излучения

Кроме этого проведены исследования на механических ударных устройствах, процессах сублимации и при изменении агрегатного состояния веществ.

Во всех экспериментах обнаружены потоки микролептонов.

Образование потоков таких частиц также было обнаружено при изменении агрегатного состояния сублимации и испарении различных веществ и при сильных механических нагрузках (удар, взрыв, разрыв) и возникающих коррозионных напряжениях при растрескивании структур.

Появление частиц при проведении экспериментов характеризуется, в основном, увлечением их носителей известных источников (нейтрон, гамма излучение, ультрафиолетовое излучение, рентгеновские фотоны, СВЧ излучение, и др.), а также при изменении агрегатного состояния вещества и изменению его структуры.

Одновременно исследованы процессы изменения свойств полупроводников и полупроводниковых приборов, при облучении их «нейтральными частицами». Полупроводниковые приборы (диоды, транзисторы, тиристоры) изменяли свои характеристики вплоть до потери полупроводниковых свойств.

Исследования закончились созданием источников «нейтральных частиц» и испытанием их в космосе, для изменения свойств полупроводниковых электронных приборов.

В СФТИ не только открыли частицы (микролептоны) с магнитными свойствами и магнитными зарядами, но и создали источники их излучения, которые, в частности, были испытаны в космосе.

Результаты создания такой установки были доложены на международном симпозиуме по пучковой технологии в России и опубликованы в журналах:

Часть экспериментальных данных были представлены для публикации в разные известные физические журналы:[18-22]

ЧАСТЬ 5. МИКРОЛЕПТОННЫЙ МЕТОД РЕГИСТРАЦИИ ПОЛЕЙ РАЗНОЙ ПРИРОДЫ

Основа данного метода базируется на фундаментальных физических принципах слабовзаимодействующих частиц (микролептонов).[29]

Обнаружение дифракции в 1927 году (опыт Дэвиссона и Джермера) сыграло большую роль в подтверждении существования волн де Бройля.

По гипотезе де Бройля вещество и, прежде всего элементарные частицы, обладают волновыми свойствами.

В1988 г были опубликованы Тезисы докладов А.Ф.Охатрина на Междисциплинароной научно-технической школе-семинаре в Томске 18-24 апреля 1988 г. в которых впервые в доступной печати говорилось о новом классе элементарных частиц, их свойствах, об экспериментах, которые были проведены для их обнаружения.[9]

Волновая природа микролептонных полей позволяет, для их регистрации применять классические методы оптической регистрации.

Всилу характера микролептонов и их уникальных свойств до настоящего времени существовала проблема регистрации их традиционными физическими методами.

Метод основан на физических свойствах микролептонов их волновой природе.

Классическим и наиболее изученным методом регистрации волновых структур является использование дифракционных и интерференционных методов.

Для использования таких методов требуется создание дифракционных решёток, соответствующих параметрам исследуемых полей.

Дифракционная решётка представляет собой совокупность большого числа регулярно расположенных отверстий на некоторой поверхности.

Взависимости от качества дифракционной решётки каждая точка, попадающая на матрицу цифрового сканера будет содержать изображение определенной величины, определяемое размером дифракционной решётки.

При анализе существующих дифракционных решёток обнаружено их огромное количество и видов (плоские, объёмные, кристаллические, газовые, жидкие, агрегатные и др.).

Учитывая величины частот и длин волн микролептонных полей создание «материальной» решётки с такими параметрами традиционными методами не представляется возможным.

При решении задачи создания дифракционной решётки, для исследования микролептонных взаимодействий необходимо было создать решётку с размерами ячеек 10-50 нанометров, а «материальные» решётки такую задачу решить не могли.

Была создана решётка на нематериальной основе.

Первая нематериальная решётка была использована А.Ф.Охатриным и представляла собой поле генератора микролептоннов на основе сублимации нафталина.

Вметоде регистрации полей разной природы, изложенном в данной работе в качестве такой решетки используются генераторы стоячих волн разной природы (рентгеновские, ультрафиолетовые, акустические, радиоактивное излучение, биологические, сенсорные и др.), имеющие регулируемые параметры. В широком диапазоне.

Дифракцию рентгеновских лучей исследовал Г.С.Ляпин в установке «Пинта», где нематериальная дифракционная решётка создавалась направленными противоположно потоками рентгеновского излучения.

Использование рентгеновского излучения, проведённые Г.С.Ляпиным позволили достаточной точностью получить дифракционную картину и сфокусировать рентгеновский луч. Результаты исследования приведены в книге «Исследования на энергоустановке «ПИНТА» ,М., 2013 Машинописное бюро №16.

Стоячие волны можно представить себе, как суперпозицию волн, распространяющихся в противоположных направлениях. Такой колебательный процесс возникает при интерференции нескольких когерентных волн.

Взависимости от качества дифракционной решётки каждая точка, попадающая на матрицу будет содержать изображение определенной величины, определяемое размером дифракционной решётки

При этих исследованиях большое значение имеют дифракционные решетки соответствующие параметрам волновых полей.

Дифракционная волновая решётка

Дифракционная волновая решетка

Основу метода составляет использование аппаратуры оптического сканирования с использованием законов интерференции и дифракции.

Дифракция это универсальное волновое явление и характеризуется физическими законами при наблюдении волновых полей разной природы.

Дифракция неразрывно связана с явлением интерференции.

Само явление дифракции зачастую трактуют, как случай интерференции ограниченных в пространстве волн.

Сканирующая аппаратура регистрирует не только видимое изображение, но и невидимое глазу (инфракрасное, ультрафиолетовое, рентгеновское и др. излучения разной природы). Эти изображения содержатся в изображениях на матрице при цифровой аппаратуре и на фотопленке.

Сканируя регистрируемое излучение через дифракционную решетку, мы получаем изображение полей со свойствами приближенными к свойствам микролептонных полей и отсекаем всё остальное.

Общим свойством всех эффектов дифракции является зависимость степени её проявления от соотношения между длинной волны и размером ширины волнового фронта.

Отсюда следует, что обладающий волновыми свойства микролептон должен при рассеянии в определенных условиях давать интерференционную картину.

Интерференционная картина волнового процесса

Изображение, полученное на матрице цифрового сканирующего (плоского или объёмного) устройства определяется его разрешением, то есть количеством пикселей, видимых на изображении.

Растровое сканирование - это процесс измерения параметров точек изображения совокупность точек, которых выстраиваясь определенным образом, выделяют точки определённых параметров и создают выделенные объекты.

При пропускании изображения каждого пиксела через дифракционную решётку мы видим дифракцию излучения.

Изображение дифракции каждого пиксела.

Каждая точка в виде пиксела характеризуется многими параметрами, которые можно зарегистрировать (яркость, интенсивность, содержание красного, зеленого, синего, координаты на изображении, ширины спектра длину волны, частоту и др.).

Сканируя изображения через дифракционную решетку, мы получаем изображение полей со свойствами приближенными к свойствам микролептонных полей и отсекаем всё остальное.

Таким образом, мы регистрируем невидимое глазу изображение микролептонного поля.

Следующая операция сводится к задаче о преобразовании невидимого в видимое. На этом пути есть множество известных путей сделать видимым глазу человека с помощью известных законов природы (покраска, обводка, поляризация, инверсия и т.д.)

Алгоритм регистрации микролептонных полей разной природы осуществляется в следующем порядке:

•Определение характера полей, подлежащих регистрации

•Определение имеющихся полей в направлении съёмки.

При исследовании и регистрации любых полей обязательно учитывать поля: магнитное поле Земли, Солнца, Эфира Галактики и поля Вселенной.

•Выбор ориентации по отношению к выбранным направлениям.

Исследования необходимо проводить с учетом ориентации параллельно направлений сторон света и в плоскости их

•Анализ содержания и качества снимков.

Снимки должны не содержать Фильтров, Экранов и Зеркал

•Выбор сканирующих устройств.

Сканирующие устройства не должны быть избыточными.

•Изготовление дифракционной решётки.

Для Качественного исследования дифракционная решетка должна иметь ячейки близкие реальной длинны четверть волны регистрируемых излучений. Допускается ячейка в десятки раз

большей величины. Качество изображения при этом будет хуже.

•Тарирование дифракционной решётки.

Дифракционная решетка должна иметь возможность изменения ячейки в широком диапазоне. Настройка устройств сканирования и получение дифракционных картин каждой сканированной точки на каждом снимке.

•Настройка фотостудии и источников света.

Освещённость съёмки не должна мешать исследованию и должна быть минимальной и не создавать бликов.

•Поиск оптимального режима регистрации.

•Регистрация полевой картины исследуемого снимка.

Съёмка должна проводиться в два этапа: без дифракционной решётки и с решёткой, при этом не изменяется положение фотоаппарата. Желательно период между съёмками должен быть минимальным.

•Инверсия полученных снимков

•Извлечение из полевой картины снимка точек, соответствующих искомому полю.

Разница снимков после инверсии даст полевую картину эксперимента.

•Выбор метода визуализации невидимых полей.

Визуализация невидимых полей осуществляется доступными Вам способами (инверсия, оконтуривание, создание тени и пр.)

•Визуализация полевой картины на исследуемом участке.

•Анализ динамики полей разной мощности.

Определяется доступными средствами

•Определение зон разной концентрации полей

•Выбор наиболее информативного режима.

Фотоплёнка или матрица цифрового аппарата в отличие от способности глаза регистрирует не только спектр видимого изображения, но и широкий спектр ультракрасного, рентгеновского и ультрафиолетового диапазона. В зависимости от этого необходимо настроить съёмку на нужный диапазон для исключения разных шумов (фильтры, экраны, зеркала и др.).

При съемке необходимо предварительно определить наличие источников излучения разной природы попадающих на объект съемки и поля внешних источников. Из известных источников внешних полей, прежде всего: магнитное поле Земли, магнитное поле потока частиц от солнечных вспышек, поле эфира Вселенной.

При исследовании полевых структур в настоящее время необходимо учитывать все виды полей создаваемых природой: электрических, магнитных, гравитационных, микролептонных, тепловых, акустических, информационных и др.

Использование оптического микроскопа позволяет только увеличить изображение и не изменяет качества полевых изображений.

Электрические поля ортогональны магнитным и являются самостоятельными. Суперпозиция этих полей исключена.

Магнитное взаимодействие на самом деле намного порядков выше электрических взаимодействий.

ЧАСТЬ 6 ПРИКЛАДНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МИКРОЛЕПТОННЫХ МЕТОДОВ В РЕШЕНИИ ЗАДАЧ В РАЗЛИЧНЫХ ОБЛАСТЯХ НАУКИ И ТЕХНИКИ

На основе данных полученных при регистрации и измерении свойств микролептонных полей определяется спектр задач решаемых с использованием свойств микролептонов:

•Регистрация известных физических полей и их взаимодействий

•Поиск и определение различных веществ и их соединений при решении задач геологоразведки с помощью имеющихся методов регистрации микролептонных полей и их взаимодействия.

•Прогнозирование природных катаклизмов (землетрясений, взрывов наводнений, извержения вулканов).

•Обнаружение аномальных зон природного и техногенного происхождения.

•Получение нетрадиционных источников энергии, ранее не используемых в технике.

•Преобразование энергии микролептоннов в другие известные виды энергии.

•Создание новых видов движителей для транспортных средств.

•Беспроводную передачу энергии на расстояние.

•Трансмутация одних веществ и их соединений в другие на основе экологически чистых технологий и получения стабильного состояния вещества (получение вещества с заданными свойствами, стабильных изотопов и др.).

•Изменение физических, химических, механических свойств материалов.

•Создание композитных материалов.

•Фокусировка рентгеновского луча в физических и медицинских приборах.

•Осуществление микролептонной связи.

•Создание новых источников света и осветительных приборов на их основе.

Другие применения.

Методы использования микролептонных процессов обсуждались в Международной академии медико-технических наук, в «секции Энергетики» Российской академии наук, Российской Академии инженерных наук, Российской академии технологических наук, секции «Физики» Политехнического музея и др. научных сообществах и апробированы на реальных конкретных работах по заказам и договорам различных организаций и ведомств (Институт атомной энергии им. И.В.Курчатова, на кафедре Атомных электрических станций Московского Энергетического института, Московского авиационного института, и др.).

Методы использования микролептонных процессов апробированы на реальных конкретных работах по заказам и договорам различных организаций и ведомств

6.1..ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ РАЗНОЙ ПРИРОДЫ Метод [29] позволил провести исследования свойств микролептонов, микролептонных полей и микролептонных взаимодействий[29]:

•Регистрация и исследование эфира и его свойств, [37]

•исследование космоснимков Вселенной, [36]

•исследование полей постоянных магнитов, [32]

•дифракция ультрафиолетового излучения, [29-31]

•исследование поля форм, [34]

•исследование электрических полей, [33]

•исследование биологических полей микроорганизмов лактобактерий, [40-42]

•исследование радиоактивности в критсборке ядерного реактора, [31]

•исследование полей источника нейтронов, [31]

•исследование полей в реакторе четвёртого блока Чернобыльской АЭС

•и др.

6.1.1.РЕГИСТРАЦИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФИРА И ЕГО СВОЙСТВ

Фотография Солнца с изображением в видимом свете, наложенная на микролептонный снимок одновременно.

Снимок сделан с помощью фотоаппарата Canon EOS 400 с разрешением 10 мегапикселей в сухую и ясную погоду без облаков и других помех. Микролептонное изображение отражает среду, в которой движется Солнце и солнечная система. [38]