- •Рабочая программа учебной дисциплины «технические устройства контроля технологических процессов в оборудовании электронной промышленности»
- •1. Цель и задачи дисциплины.
- •2. Требования к уровню освоения содержания дисциплины.
- •3. Содержание дисциплины
- •4. Лабораторный практикум
- •5.Учебно-методическая литература.
- •Календарный план чтения лекций
- •План-график самостоятельной работы
- •Рабочая программа
Календарный план чтения лекций
Номер и краткое название темы (лекции) |
Дата и номер недели |
Примечание |
1. Введение. Предмет и задачи курса. Основные проблемы контроля технологических операций микроэлектроники |
1 н. |
|
2. Методы измерения удельного сопротивления. Двухзондовый метод. Четырехзондовый метод |
1 н. |
|
3. Метод Ван-дер-Пау |
3 н. |
|
4. Зондовые методы измерения проводимости эпитаксиальных пленок |
3 н. |
|
5. Высокочастотные бесконтактные методы измерений. Индуктивный метод. Емкостный метод. Установка ИПС-03 Ф01.02 |
5 н. |
|
6. Измерение профиля распределения концентрации примесей по толщине монокристаллов и полупроводниковых слоев |
5 н. |
|
7. Ограничения и погрешности метода ВФХ барьера Шотки. Измерительные схемы |
7 н. |
|
8. Измерения профиля распределения примесей и параметров МДП-структур по ВФХ |
7 н. |
|
9. Измерения геометрических параметров полупроводниковых пластин и структур. Инфракрасная интерферометрия |
9 н. |
|
10. Методы контроля тонких эпитаксиальных слоев. Инфракрасная эллипсометрия |
9 н. |
|
11. Методы контроля толщины и электрических параметров тонких диэлектрических пленок |
11 н. |
|
12. Методы исследования поверхности твердых тел, основанные на вторичной эмиссии. Электронная Оже-спектроскопия. Дифракция электронов низкой энергии |
11 н. |
|
13. Методы исследования электронных состояний, основанные на фотоэлектронной эмиссии. Физические принципы. Рентгеноэлектронная спектроскопия (ЭСХА). Фотоэлектронная спектроскопия |
13 н. |
|
14. Методы, основанные на вторичной ионной эмиссии. Физические принципы. Возможности ограничений метода МСВИ |
13 н. |
|
15. Растровая электронная микроскопия. Физические основы метода. Структура и основные узлы РЭМ. Применение метода для контроля полупроводниковых структур |
15 н. |
|
16. Электронно-зондовый микроанализ. Физические принципы метода. Структура и основные узлы установки. Возможности метода |
15 н. |
|
17. Контроль структурного совершенства полупроводниковых материалов. Электронная просвечивающая микроскопия |
17 н. |
|
Приложение 2
План-график самостоятельной работы
№ недели |
Вид работы |
Норматив час/задание |
Объем (кол-во заданий) |
Трудоемкость (час) |
Всего за неделю (час) |
1 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
1 |
1 |
1 |
1 |
2 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
- 3 |
- 1 |
- 3 |
- 3 |
3 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
3 |
1 |
3 |
3 |
4 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
1 |
1 |
1 |
1 |
5 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
1 |
1 |
1 |
1 |
6 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
- 3 |
- 1 |
- 3 |
- 3 |
7 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
1 |
1 |
1 |
1 |
8 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
- 4 |
- 1 |
- 4 |
- 4 |
9 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
1 |
1 |
1 |
1 |
10 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
- 3 |
- 1 |
- 3 |
- 3 |
11 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
3 |
1 |
3 |
3 |
12 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
1 |
1 |
1 |
1 |
13 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
3 |
1 |
3 |
3 |
14 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
- 3 |
- 1 |
- 3 |
- 3 |
15 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
4 |
1 |
4 |
4 |
16 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
1 |
1 |
1 |
1 |
17 |
Самостоятельное изучение материала Подготовка к лабораторным занятиям |
1 4 |
1 1 |
1 4 |
5 |
|
Итого |
|
|
|
41 |
Приложение 3
Мотивированное заключение о соответствии
рекомендованной литературы лицензионным нормам
Литература |
Количество экз. |
Обеспеченность |
Заключение |
Основная |
|
|
|
1 |
15 |
0.6 |
соответствует |
Дополнительная |
|
|
|
1 |
2 |
0.1 |
не соответствует |
Методические указания для самост. раб. |
6 На магнитных носителях |
доступно на кафедре |
|
|
|
|
|