- •53 Отчетная научно-техническая
- •Влияние условий термической обработки на механические свойства гранулированных нанокомпозитов Cox(Al2o3)100-X
- •Закономерности образования, стабильность и атомная структура некристаллических сплавов сИстемы Hf-w
- •1 Кафедра физики твердого тела
- •2Кафедра материаловедения и физики металлов
- •3Кафедра высшей математики и физико-математического моделирования
- •Анализ структуры новой бессвинцовой керамики NaBiNbScO6
- •Получение твёрдого раствора Na(X-1)BixNb(X-1)ScxO3
- •Влияние температуры и концентрации фаз компонентов на обратный магнитоэлектрический эффект в слоистых композитах tdf – pzt
- •Механические свойства наноструктурных покрытий Coх(Al2o3)100-х, Coх(SiO2)100-х, и Coх(CaF2)100-X
- •Получение аналога углеродной однонаправленной ленты
- •Технология получения препрега на основе углеродной ленты уол-300р
- •Инверсный магнитоэлектрический эффект в двухслойных композитах Tb0,12Dy0,2Fe0,68 – PbZr0,53Ti0,47o3
- •Механические испытания образцов полимерных композиционных материалов
- •Влияние условий получения на анизотропию нанокомпозитов (CoNbTa)X(SiO2)100-X
- •Исследование анизотропии гранулированных нанокомпозитов Cox(CaF)100-X
- •Кафедра физики твёрдого тела
- •Технология получения тонких плёнок Nb2o5
- •Исследование частотной зависимости импеданса в многослойных гетерогенных структурах на основе композита (Co40Fe40b20)33,9(SiO2)66,1
- •Ориентационная зависимость магнитомеханического эффекта в сверхпроводниках 2 рода
- •Проведение входного контроля качества препрегов при производстве композиционных углеродных материалов
- •Влияние внешнего смещающего электрического поля на пьезоэлектрические свойства смешанного кристалла k0,81(nh4)0,19h2po4
- •Термоэдс полупроводниковой керамики на основе оксидов металлов со структурой перовскита
- •Разработка блока первичного концентрирования криптона и ксенона для воздухоразделительной установки КжАжАр-1,6
- •Промышленные методы ожижения водорода
- •Методы получения массивных втсп
- •Модернизация блока адсорбционной очистки кубовой жидкости от углеводородов для установки разделения воздуха кта-12-3
- •Уменьшение энергозатрат воздухоразделительной установки КжАжАр-1,6 путем введения предварительного охлаждения воздуха
- •Модернизация воздухоразделительной установки КжАжАр-1.6 для сокращения флегмового питания верхней колонны с целью повышения экономичности процесса ректификации
- •Электрические и сенсорные свойства пленок In35.5y4.2o60,3-Sn29Si4,3o66,7
- •Влияние теплового экрана на распределение температуры в криостате
- •Структура и электрические свойства композита (Co41Fe39b20)X(In35,5y4,2o60,3)100-X
- •Динамика электрического сопротивления нанокомпозитов Cox(Al2On)100-X под действием электрического поля
- •Магниторезистивные и термоэлектрические свойства тонких пленок Fex(Al2On)100-X
- •Электромеханические свойства дигИдрофосфата калия
- •Расчет плоского симметричного волновода в рамках волновой модели
- •Промышленные методы ожижения водорода
- •Исследование диэлектрических потерь при фазовом переходе в кристалле молибдата тербия
- •Исследование магнитных свойств композитов и многослойных структур с включениями оксида меди
- •53 Отчетная научно-техническая
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Модернизация воздухоразделительной установки КжАжАр-1.6 для сокращения флегмового питания верхней колонны с целью повышения экономичности процесса ректификации
В.В. Садченко, cтудент гр. НТ-081, О.В.Калядин
Кафедра физики твердого тела
В настоящее время, в связи с растущим спросом на продукты разделения воздуха, активно развивается воздухоразделительная промышленность. Использование более мощных и крупных установок требует колоссальных затрат электроэнергии, которая является ограниченным и дорогостоящим ресурсом. В связи с этим, на сегодняшний день, актуальной задачей является увеличение экономичности оборудования.
Схема
аппарата двукратной ректификации
Дальнейшее повышение эффективности достигается дополнительным уменьшением количества флегмы в нижней секции верхней колонны. Для этого часть флегмы необходимо подавать на испарение в дополнительный конденсатор 4, а пар из конденсатора возвращать в верхнюю колонну, но вводить его на несколько тарелок ниже.
В результате проведения предлагаемой модернизации снижается КПД тарелок верхней колонны, и для получения продукта заданной концентрации необходимо будет увеличить их число, что неизбежно приводит к увеличению размеров установки и дополнительным капитальным затратам. Однако предварительные расчеты показывают, что экономичность эксплуатации в результате повышается как минимум на 15- 20%, что, учитывая длительный срок эксплуатации подобного оборудования, имеет весьма существенное значение.
УДК 538.9
Электрические и сенсорные свойства пленок In35.5y4.2o60,3-Sn29Si4,3o66,7
И.В. Бабкина, К.С. Габриельс, аспирант, O.В. Жилова, аспирант
Кафедра физики твердого тела
Исходные пленки были получены методом ионно-лучевого распыления составной мишени и конденсацией на ситалловой подложке. Составная мишень состояла из основания In35.5Y4.2O60,3 и четырех навесок Sn29Si4,3O66,7, распределенных по длине мишени неравномерно, что позволило получать пленки композитов с непрерывно изменяющимся соотношением фаз.
Н а рис. 1 представлена зависимость электрического сопротивления пленок In35.5Y4.2O60,3-Sn29Si4,3O66,7 от концентрации Sn29Si4,3O66,7. Видно, что при увеличении концентрации Sn29Si4,3O66,7 до 43,919 ат.% происходит резкое возрастание сопротивления с 10 до 3750 кОм.
Д
Рис. 1. Зависимость
сопротивления от состава Sn29Si4,3O66,7
в пленках
In35.5Y4.2O60,3-Sn29Si4,3O66,7
При низкой концентрации олова атомы Sn замещают атомы In в кристаллической решетки In2O3, при этом образуется оборванные связи, которые формируют донорный уровень в запрещенной зоне полупроводника. Концентрация электронов в зоне проводимости существенно возрастает. При большей концентрации Sn формируется высокоомная фаза оксида олова, и сопротивление значительно повышается (см. рис.1).
|
|
Рис. 2. Временная зависимость электрического сопротивления при Т=300 0С пленок InYO- SnSiO, с концентрацией SnO: а) 35,062 ат.%б) 48,906 ат.%
участки кривых 1, 3, 5 при напуске воздуха (Р=380 Торр), участки кривых 2, 4 при напуске воздуха (Р=380 Торр) и водорода (Р=2.4 Торр)
Атомарный водород при хемадсорбции на поверхности исследуемых оксидов отдает свой электрон, являясь донором. Величина газовой чувствительности определяется относительным изменением концентрации носителей заряда в присутствии активных газов. Поэтому очевидно, что большую газовую чувствительность при равных условиях будет иметь полупроводник, в котором исходная концентрация электронов меньше. Это подтверждают наши измерения показанные на рис 2а, б.
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ по гранту 13-08-97512
УДК 621.315.57: 537.312.62