Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Учебное пособие 2192

.pdf
Скачиваний:
6
Добавлен:
30.04.2022
Размер:
11.7 Mб
Скачать

-

энергопотребление – ток

 

в

 

течение

связи

включить

вентиляцию, управлять

освещением

и т.д

 

составляет 30-40 мА. Среднее значение тока около

 

Отличительной

 

 

особенностью

 

данной

систем

 

25 мА. После

установки связи потребляемый

ток

является

 

то,

что

ее

архитектура

строится

н

 

8 мА. Режим сна отсутствует.

 

 

 

 

 

 

 

стандартных

 

 

персональных

 

вычислитель

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

средствах,

таких

как

смартфон, коммуникатор,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

планшетный ПК или нетбук.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Разработанная

 

глобальная

 

ИВС

являет

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

программируемым

комплексом,

с

возможностью

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

реализации программных алгоритмов регистрации и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

обработки

 

показаний

датчиков, алгоритмов

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

протоколов обмена по последовательным интерфейсам

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и радиоканалу, и позволяет: работать практически с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

любыми

 

внешними

датчиками, в

 

том

числе

 

Рис.2. Модуль Bluetooth HC.

 

 

 

 

 

 

 

интеллектуальными,

 

имеющими

 

собственные

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

встроенные алгоритмы снятия и обработки показаний;

 

 

Модуль

передает

данные

по

каналу

на

любое

производить

 

 

гибкую

 

подстройку

 

диап

 

чувствительности системы отдельно для каждого

устройство

с

ОСAndroid. На

устройстве

происходит

 

 

входного

 

 

канала

регистрации

 

показаний

конечная

обработка

и

графическое

представление

 

 

 

электрическим

 

 

 

характеристикам

;

д

информации.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для

реализации

данного

проекта

необходимо

поддерживать

программную

коррекцию

погрешности

 

датчиков.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

использовать

 

среды

 

разработки

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

программного

Созданная

ИВС пятого поколения позволяет

обеспечения и Android приложений [2].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

устранить

основные недостатки систем четвертого

 

Передача

происходит

следующим

образом: на

 

 

 

поколения:

 

большие

 

капиталовложения

 

передающей

 

стороне

 

формируется

 

сигнал

 

 

 

 

 

 

с

 

 

 

 

 

 

техносферных

 

 

образовани,

требуемыми характеристиками (частота

и

амплитуда

 

компьютеризацию

 

 

 

 

предъявление высоких требований к квалификации

сигнала).

Далее

 

 

сигнал

 

модулирует

 

 

 

 

 

 

более

 

 

 

 

 

Концептуальная

модель

ИВС

высокочастотное колебание

и излучается

антенной

в

пользователей.

 

 

предполагает

 

использование

 

блочно-модульного

пространство.

На

 

приёмной

стороне

 

радиоволны

 

 

 

 

принципа

построения

системы, что

позволяет

наводят

модулированный

 

сигнал

 

в

антенне, он

 

 

формировать её иерархический состав гибко и просто

демодулируется

и

 

фильтруется. Таким

 

образом,

 

 

 

 

в зависимости от задач применения. ИВС также может

 

происходит

 

извлечение

 

 

полезного

.

 

 

 

 

 

сигнала

использована для контроля функциональных

Получаемый

сигнал

может

несколько

отличаться

от

быть

параметров

пациентов группы риска по различным

передаваемого

передатчиком (искажения

вследствие

 

 

заболеваниям, военнослужащих выполняющих боевые

 

помех и наводок) [3, 4].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

задания

в

отрыве от основных групп войск, так и

 

 

Система

 

передачи

 

информации

входит

 

 

 

 

в

 

технических параметров различных сред и

разработанную

 

универсальную

 

 

информационно-

контроля

 

 

 

устройств в промышленности.

 

 

 

 

 

 

вычислительную

систему (ИВС), предназначенную

 

 

 

 

 

 

 

для

регистрации

 

в

режиме

 

реального

 

времени

 

 

 

 

 

Литература

 

 

 

 

 

показаний датчиков (концентрации газа,

температуры,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.

Зорин

М.,

Писарев

Ю., Соловьев

П.

 

дыма, вибрации,

биологических

параметров живых

 

 

Радиооборудование диапазона 2,4 ГГц: задачи и

 

организмов

 

и

.),др анализа

показаний

датчиков,

 

 

 

 

возможности

 

//

 

PCWeek/Russian

 

определения

 

граничных

 

значений

 

показаний,

 

 

 

 

 

 

Edition.1999.№20-21.стр. 18.

 

 

 

 

 

генерации

и

выдачи

информационных

сообщений

о

 

 

 

 

 

 

2.

Коматинэни С., Маклин Д., Хэшими С. Google

 

приближении

показаний к

граничным

 

значениям

или

 

 

 

Android:

 

программирование

для

мобильных

их

превышении, отображения

в

структурированной

 

 

 

устройств

=

Pro

Android

2. —

 

1-е изд. —

 

форме всех полученных данных. Область применения

 

 

 

 

системы

ограничена

лишь

набором

аналоговых и

 

СПб.: Питер, 2011. — 736 с. —ISBN 978-5-459-

 

 

00530-1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

цифровых

датчиков.

Система

способна

отслеживать

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.

Френк

 

Дж. Дерфлер, мл.,

Лес

Фрид.

показания

различных

типов

датчиков

одновременно,

 

 

Беспроводные

 

ЛВС //PC

Magazine/Russian

 

например, следить за концентрацией углекислого газа

 

 

 

 

 

 

Edition.2000.№6.

 

 

 

 

 

 

 

в помещении, частотой пульса человека, атмосферным

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.

Юрий

Писарев.

Безопасность

беспроводных

давлением

и

влажностью,

передавая

параметры

на

 

сетей

 

//

 

PC

 

Magazine/Russian

 

удаленный сервер. Также ИВС позволяет формировать

 

 

 

 

 

 

управляющие сигналы для исполнительных устройств:

Edition.1999.№12.стр. 97.

 

69

УДК 538.9

ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЕНОК МОНОСУЛЬФИДА

Аспирант кафедры ФТТ: Панков С.Ю. Руководитель: д-р физ.-мат.наук, профессор Ю.Е. Калинин

В ходе работы были получены тонкие пленки на основе моносульфида самария. Исследованы электрические свойства, структура и фазовый состав исходных тонких пленок и пленок после термической обработки в вакууме и атмосфере сероводорода.

 

Введение

 

 

Sm68,18S31,82,напыленные при Тподл = 473 К. Терми-

Среди редкоземельных

соединений

большой

ческую обработку осуществляли в вакууме при оста-

интерес

представляет моносульфид

самарияSmS.,

точном давлении не хуже, чем 10

-3

Па, при темпера-

который обладает рядом особенностей, существенно

 

турах 673, 773, 873 K в течение 1 часа.

отличающих его от других полупроводников. К ним

 

 

 

можно отнести широкую область гомогенности(от

 

 

 

50 до 54% Sm), низкое давление (6,5 кбар) фазового

 

 

 

перехода

металл – полупроводник[1]

высокую тер-

 

 

 

мическую и радиационную стойкость[2,3], рекорд-

 

 

 

ную

тензочувствительность (коэффициент

 

 

 

тензочувствительностиK = 850

при

Т= 77 К)

[4]и

 

 

 

большие перспективы его практического примене-

 

 

 

ния в различных устройствах [5].

 

 

 

 

 

Образцы и методика эксперимента

Образцы для исследований были получены методом ионно-лучевого напыленияв вакууме~9·10-2Па в течение 60 минут по методике [6]. Синтезировано несколько серий образцов приразличной температу-

ре подложки: 300, 353, 373, 473 K.

Структура тонких пленокSmXS1-Xбыла исследована методом рентгеновской дифракции дифрактометреBrukerD2 Phaser. Расшифровку дифрактограмм осуществляли с помощью программы BrukerDIFFRACEVA 3.0 с кристаллографическими

базами

данных ICDDPDF-2

2012. Исследования

электрического

сопротивления

проводили

методом

амперметра-вольтметра с помощью автоматизиро-

ванного

универсального измерительного комплекса

с выводом экспериментальных результатов на ЭВМ.

 

 

 

Электрические свойства

 

 

На

рис. 1

представлены

низкотемпературные

зависимости электрического сопротивления для об-

разцов,

полученных

при

температурах

подложки

Тподл

= 300, 353, 373, 473 K. С увеличением темпе-

ратуры подложки удельное электрическое сопротив-

ление существенно уменьшается, что связано с раз-

ной концентрацией серы в составе конденсирован-

ных пленок, полученных при различных температу-

рах

подложки:

чем

выше

температура

подложки,

тем меньше содержание серы в конденсированных образцах.

Также было исследовано влияние термической обработки в вакууме и атмосфере сероводорода на электрическое сопротивление образцов. В качестве объекта исследования были выбраны тонкие пленки

1 – 300; 2 –353; 3 –373; 4 –473 K;

Риc. 1. Температурные зависимости удельного электрического сопротивления тонких пленокSmXS1-X при различных температурах подложки

На рис. 2представлены низкотемпературные

зависимости электрического сопротивления образна

цов, полученных при температуре подложки473 К, после отжига в вакууме. При термическом отжиге удельное электросопротивление увеличивается на порядки, при этом ТКС остается отрицательным, что характерно для полупроводникового типа проводимости.

1 – исходный образец; 2 – 673 K; 3 – 773 K; 4 – 873 K

Рис. 2. Зависимости электросопротивления для образцов после отжига в вакууме в течение 1 часа

Для изучения влияния содержания серы на электрические свойства и структуру полученных пленок был проведен термический отжиг образцов,

полученных при Т = 300 К, в атмосфере серово-

подл

дорода (H2S) при температурах 773 и 873 К в тече-

70

ние 30 минут. Температурные зависимости удельно-

Также были проведены исследования дифрак-

го электрического сопротивления термообработан-

ции рентгеновских лучей термообработанных образ-

ных в атмосфере сероводорода образцов приведены

цов, было установлено, что фазовый состав пленок

на рис. 3. Как видно из рис. 3, удельное электриче-

для исходного, после отжига 673 и 773 К не меняет-

ское сопротивление выросло во всем интервале тем-

ся, но происходит сдвиг пиков в сторону меньших

ператур в несколько раз. При этом более высокая

углов. После отжига при температуре873 К синте-

температура отжига оказывает большее влияние на

зируется новая фаза Sm3S4 с большим, чем у SmS

величину удельного электрического сопротивления.

электросопротивлением.

 

Результаты рентгеновской дифрактометрии об-

 

разцов, отожженных в сероводороде H2S, показали,

 

что фаза Sm3S4 синтезируется уже при 773 К. Кроме

 

того, наблюдается размытие в области главного пи-

 

ка [200] SmS, пленка взаимодействует с сероводоро-

 

дом и в результате протекает химическая реакция

 

4SmS → Sm3S4+Sm, в результате которой начинает

 

формироваться Sm3S4.

Рис. 3. Температурные зависимости электросопротивления тонких пленокSmS после отжига в атмосфере сероводорода H2S в течение 30 мин

Исследования структуры и фазового состава

Исследования дифракции рентгеновских лучей показали, что в процессе синтеза тонких пленок

формируется

мелкокристаллическая структураSmS

 

типа NaCl (рис.

4). Сильное

уширение

пиков

и

асимметрия со стороны больших углов(меньшие

 

параметры решетки) также может свидетельствовать

 

о том, что данные пленки представляют смесь ме-

 

таллической (с меньшим параметром решетки) и

 

полупроводниковой (с большим параметром решет-

 

ки) фаз SmS. Параметр решетки незначительно уве-

 

личивается

с

ростом

температуры

подложки

от

0,591 нм

для образцов

без

нагрева подложки

до

0,593 нм при температуре подложки 473 К. Послед-

 

нее дает основание предполагать, что электрические

 

свойства

будут

определяться

полупроводниковым

SmS [7].

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4. Дифрактограмма тонких пленок SmXS1-X, полученных при температуре подложки 473 К

Увеличение температуры подложки во время получения тонких пленокSmXS1-X не приводит к изменению типа решетки, практически не влияет на ее параметр, но значительно сказывается на количестве вакансий по легколетучему компоненту(S), что является определяющим фактором для электрических свойств исследованных тонких пленок.

Литература

1.

Смирнов И.А. Фазовый переход полупроводник-

металл

в

редкоземельных

полупроводниках/УФН. –

1978. – Т. 2. – Вып. 124. – С. 241 – 279.

2.

В.В Каминский, Л.Н. Васильев, Е.Д. Горнушкина,

С.М. Соловьев, Г.А. Сосова,

Н.М.Володин Влияние -γ

облучения

на электрические

параметры тонких пленок

SmS /Физика и техника полупроводников – 1995. – Т. 29.

Вып. 2. – С. 306 – 308.

3.Л.Н. Васильев, В.ВКаминский, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова Механизм высокой радиационной стойкости электрических параметров тонких пленокSmS / Физика и техника полупроводников. – 2000. – Т. 34. –

Вып. 9. – С. 1066 – 1068.

4.Л.Н. Васильев, В.В. Каминский. Концентрационный механизм пьезосопротивленияSmS / ФТТ. – 1994. –

Т.36. – №4. – С. 1172 – 1175.

5.И. Грошев, И. Полухин. Сульфид самария и новейшие разработки на его основе// Компоненты и техно-

логии, 2014. - № 8. – С. 150-157.

6.Ситников А.В. Электрические и магнитные свойства наногетерогенных систем металл– диэлектрик: дис. д–ра физ. – мат. наук / Воронеж, 2010. – 318 с.

7.Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, Ю.М. Курапов, М.В. Романова, Н.В. Шаренкова / Электропроводность тонких пленок SmS / ФТТ. – 1996. – Т. 38. – №3. – С. 779

785.

71

Удельное сопротивление в двухфазной структуре In2O3/C можно интерпретировать исходя из теории эффективных сред. В этом случаезначения ρ

УДК 538.9

СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МНОГОСЛОЙНЫХ СИСТЕМ

Аспирант кафедры ФТТ: Жилова О.В. Руководитель: д-р физ.-мат.наук, профессор А.В. Ситников

Исследованы структура и электрические свойства широкозонных полупроводниковC, In2O3, ZnO и систем In2O3/C, ZnO/C, In2O3/ZnO. Установлено, что в двухфазных системах In2O3/ZnO и ZnO/C при малых толщинах пленки удельное сопротивление находится ниже рассчитанного в рамках теории эффективных сред. Исследование дифракции рентгеновских лучей в области малых брэгговских углов показало, что в пленках In2O3/ZnO присутствуют пики, положение которых, исходя из условия дифракции Вульфа-Брэгга, соответствует толщине полупроводниковых слоев

 

 

 

 

Введение

 

 

 

 

 

слоев, а также толщины пленок представлены в таб-

Исследования широкозонных полупроводников

лице.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

являются в последние годы одним из наиболее бы-

Состав

Кол

Толщи-

Толщина

Толщина

 

стро развивающихся разделов физики твердого тела.

 

 

-во

на

слоя

слоя

2,

пленки,

 

Полупроводники на основе оксидов олова, цинка,

 

 

сло-

1, нм

 

нм

 

мкм

 

титана,

вольфрама,

индия и

др.

относятся к группе

 

 

ев

 

 

 

 

 

 

ZnO

69

0,63-1,68

-

 

0,04-0,12

 

многофункициональных

проводников

и

являются

 

 

In2O3

71

0,43-1,75

-

 

0,03-0,12

 

перспективными объектами

для

микро-

и наносен-

 

 

C

 

71

0,07-0,38

-

 

0,01-0,03

 

сорики,

новых

оптических

 

устройств, полевых

 

 

 

 

In2O3/ZnO

83

0,43-1,68

0,57-1,56

0,05-0,28

 

эмиттеров и других областей применения. При соз-

 

In2O3/C

74

0,3-1,4

0,08-0,36

0,03-0,13

 

дании

подобных

систем

появляется

возможность

 

ZnO/C

81

0,72-1,97

0,09-0,41

0,03-0,14

 

целенаправленного

 

формирования

комплекса

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

свойств

за

счет варьирования

условий

их

получе-

 

 

Электрические свойства

 

 

ния[1] .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В данной

работе представлены

структурные

и

 

На рис. 1,2,3 представлены зависимости удель-

электрические

свойства

пленок C,

In2O3,

ZnO,

 

ного

электрического сопротивление

широкозонных

In2O3/ZnO,In2O3/C, ZnO/C.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

полупроводников C, In2O3, ZnO, а также двухфазных

 

Образцы и методика эксперимента

 

 

систем In2O3/ZnO,In2O3/C, ZnO/C.Видно, что в одно-

 

 

 

фазных структурах происходит увеличение удель-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Образцы

были

получены

методом

-ионно

ного сопротивления (ρ) с уменьшением толщины

пленки, что

обусловлено

вкладом

в

проводимость

лучевого

распыления

на

 

уникальной

установки рассеивания носителей заряда на поверхности плен-

спроектированной и изготовленной на

кафедре фи-

ки.

 

 

 

 

 

 

 

 

зики твердого тела ВГТУ[2-4] . Данная установка

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

позволяет распылять ферромагнитные металличе-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ские сплавы и диэлектрические материалы, состав-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ные мишени металл-диэлектрик и несколько мише-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ней (до трех) одновременно на вращающиеся и не-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

подвижные подложки. Для формирования

много-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

слойных структур было использовано одновремен-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ное распыление двух мишеней. Мишени представ-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ляют из себя керамические пластины составаIn2O3,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SnO2, С закрепленные на медном водоохлаждаемом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

основании планарным размером 280х80 мм2. Напы-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ление производилось на вращающуюся подложку.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Изменяя скорость вращения и параметры распыле-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ния, регулировались толщины осаждаемых слоев.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для получения градиента толщин на подложках в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ходе одного технологического процесса между ми-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

шенью и подложкодержателем устанавливалсяV-

Рис. Зависимость удельного сопротивления (ρ) от толщи-

образный экран. Количество оборотов карусели за-

давало

количество

бислоев

в

полупроводниковой

ны

полупроводниковой пленки1-ρ[C],

2-

ρ[In2O3], 3-

пленке. При формировании

пленокZnO, In2O3, C

ρ[In2O3/ C]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

использовалась технология и режимы описанные выше, но проводилось распыление одной мишени соответствующего состава. Количество полученных

72

многослойной

структуры должно

соответствовать

ние которых, исходя из условия дифракции Вульфа-

значениям между ρ[In2O3] и ρ[C], что мы и наблюда-

Брэгга, соответствует толщине полупроводниковых

ем

для

пленок

многослойной структуры In2O3/C

слоев(рис.4).

(рис. 1).

 

 

 

 

 

Условие Вульфа-Брегга

 

Однако, в двухфазных структурах In2O3/ZnO и

2d·sinΘ=n·λ,

ZnO/C при малых толщинах пленки удельное элек-

uде d·-толщина слоя, Θ – угол отражения,·λ – длина

трическое сопротивление не может быть интерпре-

волны (0,154нм), n - порядок отражения

тировано исходя из теории эффективных сред, так

 

как

в эксперименте

выявленные

значения

ρ ниже

 

чем ρ[In2O3] и ρ[ZnO] и ρ[ZnO]и ρ[C](см. рис. 2,3).

 

Таким образом, можно предположить, что в струк-

 

турах In2O3/ZnO и ZnO/C значительный вклад в из-

 

менение

удельного

сопротивлениявносят

межфаз-

 

ные границы.

Рис.2. Зависимость удельного сопротивления(ρ) от толщины полупроводниковой пленки:1-ρ[C], 2-ρ[ZnO], 3-

ρZnO/С]

Рис.3. Зависимость удельного сопротивления(ρ) от толщины полупроводниковой пленки 1-ρ[ZnO]2- ρ[In2O3], 3-

ρ[In2O3/ZnO]

Структура

Исследование дифракции рентгеновских лучей в области малых брэгговских углов показало, что в пленках [In2O3/ZnO]83 присутствуют пики, положе-

Рис.4. Дифрактограмма структуры [In2O3/ZnO] с толщиной бислоя 3,16 нм

Для пленок и систем при малоугловойрентгеновской дифракции особенностей зависимостей не выявлено. Что касается однофазных пленокZnO, In2O3, C- подобный результат закономерен. Для двухфазных пленок In2O3/C, ZnO/Cотсутствие дифракционных максимумов удивительно и требует дальнейших исследований.

Литература

1.Болотов В.В. XANES-иXPS-исследования процессов, инициированных Высоковакуумным отжигом, в слоях Композита SnOx/MWCNT/В.В. Болотов, П.М. Корусенко, С.Н. Несов, С.Н. Поворознюк, Р.В. Шелягин//Физика твердого тела. – 2013. – т.55,вып.6 – с. 1197-1201.

2.Ситников А.В. Электрические и магнитные свойства наногетерогенных систем металл – диэлектрик: дис. …. д–ра физ. – мат. наук / Ситников Александр Викторович– Воро-

неж, 2010. – 318 с.

3.Kalinin Yu.E. Electrical properties and giant

magnetoresistance of CoFeB – SiO2 amorphous granular composites / Yu.E. Kalinin, A.V. Sitnikov, O.V. Stognei, I.V. Zolotukhin, P.V. Neretin // Mat. Scien. andEngin. – 2001. – A304 – 306. – P. 941 – 945.

4.ЗолотухинИ.В. Электрическоесопротивлениеаморфныхнан

окомпозитовCoTaNb+SiO2 / И.В. Золотухин, П.В. Неретин, Ю.Е. Калинин, О.В. Стогней, А.В. Ситников //Альтернативнаяэнергетикаиэкология. – 2002. – № 2. – С. 7 – 14.

5.Helman J.S. Tunneling of Spin-Polarized Electrons and Magnetoresistance in Granular Ni Films /J.S.Helman, B.Abeles // Phys. Rev. Lett.-1976.-V.37, №21.-P.1429-1433.

73

Массовый расход дисперсного материала является одним из важнейших параметров при расчете процессов тепло- и массообмена в сушильных установках непрерывн действия.

УДК 66.096.5

ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ГИДРОДИНАМИКИ ЦЕНТРОБЕЖНОГО ДИНАМИЧЕСКОГО СЛОЯ

Студент группы ПТ-121 Якунин И.С. Руководитель: канд. техн. наук, ассистент А.А. Надеев

В работе проведено теоретическое и экспериментальное исследование гидродинамики центробежного динамического (псевдоожиженного) слоя. Получены эмпирические критериальные соотношения для основных его гидродинамических характеристик

Процесс

сушки

дисперсных

материалов

 

является одним из самых распространенных и

 

энергоёмких

 

 

 

теплотехнологических

процессов. Способ

сушки

с

применением

 

динамического

слоя

является

 

одним

из

наиболее эффективных в настоящее время.

 

Основной

проблемой

при

разработке

аппаратов данного типа является организация перемещения материала. Эта проблема может

быть

решена

 

при

 

 

центробежного

 

динамического

,

 

перемещающегося

за

счет

воздействия

на

частицы

направленных

потоков сушильного

агента. Схема установки, реализующей данный

 

технологический

принцип,

показана

 

на

рисунке 1 [1].

 

 

 

 

 

С целью проверки эффективности данной

сушильной установки, была проведена серия

Рис. 1. Схема установки с центробежным динамическим

слоем: 1 - газораспределительная решетка; 2 – рабочая

экспериментов,

посвященная

 

исследованию

камера; 3 – газовая камера;4 – загрузочный патрубок;

гидродинамики

 

слоя.

В

 

 

результате

5 – разгрузочный патрубок; 6 – пересыпной канал;

аппроксимации

опытных

 

данных

получено

7 – перегородка; 8 – газоподводящий патрубок;

 

9 – газоотводящий патрубок

следующее

соотношение

 

для

определения

 

порозности центробежного слоя:

 

 

 

 

 

 

æ Re ö0,64

-0,4

,

 

 

(1)

 

e = 0, 68 ç

 

÷ b

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

è

Reу ø

 

 

 

 

 

 

где Re -

число

Рейнольдса;

Re у

-

число

 

Рейнольдса,

соответствующее

началу

уноса

 

частиц дисперсного материала; b0

угол

 

входа газового потока в слой, рад;

 

 

 

 

Отдельные

результаты

экспериментов и

 

расчетные

 

по

 

формуле(1)

значения

▲ – эксперимент; ■ – расчет по формуле (1)

порозности слоя приведены на рисунке2.

 

Максимальное

отклонение

опытных

данных

Рис. 2. Зависимость порозности слоя от скорости воздуха

от расчетных составляет 5 %.

 

 

 

 

 

74

В соответствии [2]с относительная скорость движения материала определяется по формуле:

 

 

 

 

æ r

т

 

ö-0,32 æ H

м

ö0,47

(tgb0 )

0,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

u = 0,13×Fr0,25 ç

 

 

÷

 

ç

 

 

÷

 

 

 

 

,(2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rг

 

 

dэ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

è

ø

 

è

 

ø

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где u =uт

uг ,

Fr

критерий Фруда; rг ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rт

соответственно

 

 

плотность

 

 

газа

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

материала, кг/м3;

H м

 

монолитная

 

высота

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

слоя, м; dэ – эквивалентный диаметр частиц,

▲ – эксперимент; ■ – расчет по формуле (3)

 

 

м;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Измерение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

скорости

 

 

движенияРис.4.

Зависимость суммарного гидравлического

 

материала в эксперименте производилось с

 

сопротивления от скорости воздуха

 

 

 

помощью

меченых

 

 

частиц

и

секундомера

 

 

 

 

 

 

 

 

 

СТЦ-2. Отдельные опытные данные, а также

Удовлетворительное совпадение опытных

 

расчетные

по (2)

приведены

на

рисунке3.

 

и расчетных данных позволяет рекомендовать

 

Максимальное отклонение опытных данных

 

критериальные

соотно-шения

(1)

(3)

для

 

от расчетных составило 16 %.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

практического использования.

 

 

 

 

 

 

 

В

 

соответствии

 

 

 

 

[2]с

суммарное

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Проведенные

 

 

 

экспериментальн

гидравлическое

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сопротивление

показали,

что

 

установки

с

газораспределительной

 

 

 

 

 

 

 

 

 

решетки

исследования

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

центробежным динамическим слоем обладают

 

псевдоожиженного

 

слоя

 

 

 

определяется

последующими

достоинствами:

небольшим

 

формуле:

 

 

 

 

 

 

 

ö0,65 æ

 

 

ö0,7

 

 

 

 

гидравлическим сопротив-лением – от 100 до

 

 

 

 

 

 

 

 

 

æ

H

 

rт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

500 Па в зависимости от вида материала и

 

 

Eu = 0,17 Re-0,2 ç

0

 

÷

 

 

ç

÷

b02 ,

 

(3)

 

 

dэ

 

 

 

 

 

высоты

слоя,

возможностью

регулирования

 

 

 

 

 

 

 

 

 

è

ø

 

 

è

 

rг

ø

 

 

 

 

 

 

 

где H0 , – высота насыпного слоя, м;

 

массового расхода материала, компактностью.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Отдельные опытные и расчетные данные

 

 

 

Литература

 

 

 

 

 

по

 

гидравлическому

 

 

 

 

сопротивлению

 

 

 

 

 

 

 

 

 

приведены

на

 

 

 

рисунке4.

Максимальное

1. Патент RU 44804 U1, МПК F26В 17/10.

 

отклонение опытных данных от расчетных по

Сушилка кипящего слоя для термолабильных

эмпирическому соотношению (3) составляет 9

полидисперсных

сыпучих

материалов/

Ю.Н.

 

%.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Агапов, A.B. Бараков, В.И. Лукьяненко, В.Г.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Стогней (RU); Воронеж, гос. техн. ун-т. (RU). – №

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2004113491/22; заявлено 05.05.2004; опубл.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

27.03.2005; Бюл. № 9. – 2 с.: ил.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2. Надеев

А.А Определение

скорости

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

движения

 

псевдоожиженного

 

слоя

в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

кольцевого канала /

А.А. Надеев,

Ю.Н.Агапов,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В.Г. Стогней //

Физико-технические

проблемы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

энергетики, экологии и энергоресурсосбережения:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

труды

науч.-техн.

конф.

молодых

 

учёных

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

аспирантов и студентов. – Воронеж: ГОУ ВПО

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

«Воронежский

государственный

 

технический

 

 

▲ – эксперимент; ■ – расчет по формуле (2)

 

 

университет», 2008. – Вып. 9. – С. 52-58.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис.3.

Зависимость скорости движения материала от

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

скорости воздуха

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

75

УДК 681. 3

УНИВЕРСАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ СИГНАЛА ДЛЯ СИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ

Студент группы РК-111 Демченко А.С. Руководитель: канд. техн. наук, доцент Д.В. Журавлёв

Среди

параметров

микроклимата

производственного

помещения

выделена

группа

ключевых , пара

характеризующих безопасность

рабочего места для человека. Проведен анализ датчиков для измерения выделенных

параметров микроклимата. Определены входные характеристики универсального усилителя для работы со всей группой

датчиков. Разработана схема универсального усилителя сигнала для системы контроля параметров микрокли

производственного помещения

 

 

 

 

 

 

 

 

Состояние

микроклимата

производственного

- низкий уровень собственных помех;

 

помещения регулируется санитарными правилами и

-

минимальные искажения полезного

сигнала

при

нормами

СанПиН 2.2.4.548-96

«Гигиенические

 

усилении.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

требования

к

микроклимату

 

производственных

 

Так же усилитель должен легко и просто

помещений»,

утвержденными

постановлением

подключаться к датчикам, обладать такими качествами

Госкомсанэпиднадзора России от 10.11.09 № 21 [1]

 

 

как простота и надежность.

 

 

 

 

 

 

 

Для

 

предотвращения

 

неблагоприятного

Для

разработки

 

системы

регистрации

были

воздействия

 

микроклимата

 

рабочих ,

мест

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

производственных

помещений

на

самочувствие,

выбраны датчики со следующими характеристиками:

 

 

1. Измерение значения CO2 (Диапазон измерений:

функциональное

состояние,

 

работоспособность

и

0-2000 ppm±50 ppm,

напряжение

питания:

0,2В,

здоровье человека необходим постоянный контроль

потребление тока: 100мА).

 

 

 

 

 

 

параметров

микроклимата. Выделенные

основные

 

2.

Измерение

 

температуры (Температурный

показатели микроклимата представлены в таблице.

 

 

диапазон: -40 … 80°C ±1°C, напряжение питания 0,2В,

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 1

потребляемый ток не более 20 мА).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.

Измерение

давления (Диапазон

измерения:

 

Барометрическое давление

 

730-890

мм.рт.ст.

 

730-890

 

мм.рт.ст.,

напряжение

питания 0,2В,

 

 

 

 

 

 

 

потребляемый

ток

20

мА,

диапазон

рабочей

 

воздуха

 

 

(97,3-118,7 кПа)

 

 

 

 

 

 

 

температуры: -40 - +105 °C).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Уровень шума (день/ночь)

 

35/24 дБ

 

 

 

 

4.

Подвижность

 

воздуха (Диапазон

измерения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0...20м/с±0.1м/с,

напряжение

 

питания 0,8В,

 

Относительная влажность

 

40-70%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

потребляемый ток 30-40 мА).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5. Измерение влажности (Рабочий диапазон: –30

 

Подвижность воздуха

 

0,2 м/с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

до +100 °C, диапазон

измерений: 0 до 100 % ±3%,

 

Температура воздуха

 

20-230С

 

 

 

напряжение питания 0,7В,

потребляемый

ток 50-60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мА) [2].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Интенсивность

 

0,2 мкТл

 

 

 

Активные

датчики

были

подобраны

таки

 

 

 

 

 

 

электромагнитных полей

 

 

 

образом,

чтобы

 

их

рабочее

напряжение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

потребляемый ток были сопоставимы друг с другом.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При этом каждый датчик полностью обеспечивает

 

Проведя

 

соответствующий

анализ

группы регистрацию

 

 

соответствующего

 

 

пара

датчиков для

приведенных

 

выше

показателей, был

окружающей

среды

 

и

имеет

согласованный

разработан

универсальный

 

усилитель. Требования

 

 

усилителем выход.

 

 

 

 

 

 

 

 

предъявляемые к усилителю:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

На

 

 

рисунке приведена

 

блок-схема

-

малые габариты;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

разработанного усилителя сигналов.

 

 

 

 

-

сверхнизкое энергопотребление;

 

любым

 

датчиком

Усилитель

может

работать,

как

составная

часть

-

возможность

работы

 

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

приведенных выше параметров;

 

 

 

 

системы дистанционного контроля группы датчиков с

 

 

 

 

 

широкой полосой рабочих частот.

 

 

 

 

 

-

перестраиваемый коэффициент усиления;

 

 

 

Чувствительность

усилителя

около0,24

мВ.

-

широкая полоса пропускания;

 

 

 

 

Выходная

мощность

усилителя15

Вт

 

при

-

диапазон частот входного сигнала, позволяющий

коэффициенте нелинейных искажений порядка1%.

 

без искажения усиливать сигналы выделенных

Питание

 

усилителя

 

осуществляется

от

источника

 

параметров микроклимата;

 

 

 

 

 

 

постоянного

напряжения 3В

через

микросхему

-

выходная

мощность

достаточная

для

подачи

преобразователя

 

 

 

напряжения.

Выходное

 

сигнала на АЦП стандартного типа;

 

 

 

сопротивление на частоте 1000 Гц равно 230 Ом [3].

 

-высокий коэффициент полезного действия;

-высокая чувствительность к слабому сигналу;

-широкий динамический диапазон;

76

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Физико-химические свойства сополимера АБС-

 

 

 

 

 

 

 

2020-30 черный, рец. 901,1 с ТУ 2214-019-00203521-

 

 

 

 

 

 

 

96

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Показатель

Значение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Плотность:

1,04•103 кг/м3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Прочность при растяжении:

35-50 МПа

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Прочность при изгибе:

50-87 МПа

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Прочность при сжатии:

50-80 МПа

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Относительное удлинение:

10-25%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Влагопоглощение:

0,2-0,4%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Модуль упругости при

1700-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

растяжении при 23ºС:

2930МПа

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Диэлектрическая проницаемость

-40 до +70 ºС

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

при 106 Гц:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тангенс угла диэлектрических

2,4-5,0

 

Блок-схема устройства

 

 

 

 

 

 

потерь при 106 Гц:

 

 

Первый

каскад

усилителя

для

увеличения

 

Удельное объемное

(3-7)•104

 

электрическое сопротивление:

 

 

входного

 

сопротивления

выполнен

по

схеме

Удельное поверхностное

5•1013 Ом/м

 

эмиттерного повторителя. Цепи частотной коррекции

 

 

электрическое сопротивление:

 

 

собраны

на

четырех

 

резисторах

и

на

четырех

 

Электрическая прочность:

1016 Ом/м

 

конденсаторах. Второй и третий каскады усилителя

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

напряжения

собраны

на

двух

транзисторах.

Корпус

состоит

из двух

частей: основания и

 

Фазоинвертор собран на одном транзисторе по схеме с

 

крышки. Корпус

выполнен

 

методом

литья

по

раздельной

нагрузкой.

Для

двухтактного

выходного

 

давлением [4].

 

 

 

 

 

 

каскада, нужны два высокочастотных транзистора,

 

 

Разработанный универсальный усилитель входит

 

работающих

в

режиме

класса.

Выходные

 

в состав мобильной системы дистанционного контроля

 

транзисторы выдерживают кратковременные короткие

 

параметров

микроклимата

производственно

замыкания

нагрузки,

так

как

их

базовые

токи

помещения.

Система

отвечает

требования

ограничиваются

резистор.

 

Усилитель

охвачен

 

электромагнитной совместимости устройств в силу

глубокой отрицательной обратной связью, напряжение

 

 

малой

мощности

приемопередатчиков1мВт

и

которой

снимается

с

выхода

усилителя и

 

черезиспользуемой радиочастоты 433МГц.

 

 

 

специально установленный там резистор подается в

 

Для приёма, обработки и передачи полученной с

цепь эмиттера транзисторе.

 

 

и

 

масса

 

 

помощью

устройств

регистрации

информац

Габаритные

 

размеры

 

усилителя

 

 

многоканальное

 

радиоприем

составляют

100×40×20 100

гр.

Все

 

элементы

 

разработано

 

 

 

 

устройство.

 

 

 

 

 

 

усилителя,

расположены

 

на

печатной

плате

из

Центральный процессор устройства мониторинга

одностороннего

фольгированного

стеклотекстолита

 

выполняет сбор и декодирование данных, принятых со

 

СФ-1-35Г-1,5 Г

кл.

(ГОСТ

10316-78). На

плате

 

всех устройств регистрации и группирует их в пакеты

имеются четыре отверстия для крепления к корпусу.

 

 

для передачи в ЭВМ. Для обеспечения необходимой

Материал

корпуса

 

должен

удовлетворять

 

 

 

в каждый

блок

ввода

следующим требованиям:

 

 

 

 

 

 

 

 

вычислительной мощности

 

 

 

 

 

 

 

 

введен

 

свой

 

микропроцессор. Этот

- достаточной прочность;

 

 

 

 

 

 

 

микропропроцессор

 

проводит

всю

предварительную

- низкие диэлектрические свойства;

 

 

 

 

обработку сигнала.

 

 

 

 

 

 

- высокие показатели внешнего вида.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В качестве

материала

корпуса

был

выбран

 

Литература

 

 

 

 

сополимер АБС-2020-30 черный, рец. 901, 1с ТУ 2214-

 

 

1.

СанПиН

 

2.2.4.548-96.

Гигиенические

 

019-00203521-96. АБС-пластики - непрозрачные,

 

 

требования

к

 

микроклимату

производственны

обычно темноокрашенные пластмассы, обладающие

 

 

помещений. Санитарные правила и нормы

 

 

высокой

ударной

 

 

вязкостью,

прочностью,

 

 

2. Патент на полезную модель РФ № 2527202,

 

удовлетворительными диэлектрическими параметрами

 

Широкополосный усилитель мощности, 2013 г.

 

 

и антистатическими свойствами. Применяются для

 

3. Патент на полезную модель РФ № 2536378,

 

изготовления деталей радиотехнического назначения,

 

Широкополосный

 

усилитель

мощности

с

малым

телевизоров, телефонов

и

иных

электорокорпусов.

 

уровнем нелинейных искажений шумов, 2014 г.

 

 

Физико-химические

 

 

свойства

 

АБС-пластика 4.http://www.tamognia.ru/gtd_rf/gtd.php?id=353042

 

представлены в таблице 2.

 

 

 

 

 

 

 

 

26

 

 

 

 

 

 

 

77

УДК 621.397.48

УЧЕБНАЯ МОДЕЛЬ ЭВМ

Студент группы РК-122 Бурмистров И.А. Руководитель: канд. физ.-мат.наук, доцент В.А. Кондусов

Разработана конструкция и изготовлена действующая учебная модель ЭВМ,предназначенная для ознакомления учащихся школ со структурой ,ЭВМдвоичной и 16-ричной системами счисления, а также c основными арифметическими и логическими операциями

Описываемая

учебная

модель [1]

ЭВМинформации,

устройство

управления (УУ),

предназначена для

ознакомления

учащихся

соарифметико-логическое

устройство (АЛУ),

структурой ЭВМ, двоичной и 16-ричной системами

оперативное

запоминающее

устройство(ОЗУ),

счисления, а так же c основными арифметическими

генератор тактовых импульсов(ГТИ), постоянное

 

и

логическими

 

операциями. Внешний

вид

запоминающее устройство (ПЗУ). ОЗУ состоит из

 

разработанной конструкции

ЭВМ представлен

на

трёх четырёхразрядных

регистров: RGA - регистр

 

рис. 1.

 

 

 

 

 

операнда А,RGB - регистр операнда B,RGK -

 

 

 

 

 

 

 

регистр команд.Кроме того, устройство содержит

 

 

 

SB2

SB3

HL1-HL5

 

ещё регистр – аккумулятор (RGAk), накапливающий

 

 

SB1

 

SB6

 

результат

выполнения

операций

арифметически-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

логическим

устройством. Для сокращения числа

 

 

 

 

 

HG1

 

 

Х1

 

 

 

 

органов управления информация в ЭВМ вводится в

 

 

 

 

 

 

последовательномкоде.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Принципиальная

схема

модели

ЭВМ

 

 

 

 

 

 

изображена на рис. 3.

 

 

 

SB4

SB5

Рис.1. Внешний вид учебной модели ЭВМ.

Функциональная схема устройства изображена на рисунке 2.

Рис. 3.Принципиальная схема учебной модели ЭВМ

Рис.2. Функциональная схема учебной модели ЭВМ

Учебная модель содержит в упрощённом виде основные блоки ЭВМ: устройство ввода-вывода

При

нажатии

на

кнопкуSB5 ("Ввод")

 

производится

работа

генератора

тактовых

импульсов. Количество нажатий зависит от того, какое число необходимо ввести. Он собран по схеме

78