
- •Квантовые и оптоэлектронныеприборыиустройства
- •СмирновЕ.А.
- •Введение
- •Оптическоеизлучение
- •1.1.Свойства оптического излученияиспособыегоописания
- •Особенности оптическогоизлучения
- •Оптическиепереходы
- •Спонтанноеизлучение
- •Вынужденноеизлучение
- •Вынужденноепоглощение
- •СвязьмеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •АнализсоотношениймеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •Ширинаиформалинийизлучения
- •Естественнаяширинаиформалинийизлучения
- •Однородноеуширениелинииизлучения
- •Неоднородноеуширениелинииизлучения
- •ДифференциальныеиинтегральныекоэффициентыЭйнштейна
- •2.Усилениеоптическогоизлучения
- •Прохождениеоптическогоизлучениячерезвещество
- •Инверсиянаселенностейиактивныесреды
- •Коэффициентусиленияактивнойсреды
- •Схемысозданияинверсиинаселенностей
- •Насыщениеусилениявактивнойсреде
- •Параметрнасыщенияактивнойсреды
- •Генерациялазерного излучения
- •Принципработылазера
- •Условиестационарнойгенерациилазера
- •Насыщениеусилениявлазере
- •Выходная(энергетическая)характеристикалазера
- •Пороговоеусловиегенерации
- •Пороговаямощностьнакачки
- •Графикэнергетическойхарактеристикилазера
- •Оптическиерезонаторы
- •Особенностиоптическихрезонаторов
- •Основныетипыоптическихрезонаторов
- •Устойчивостьоптическихрезонаторов
- •Собственныеколебанияоптическогорезонатора
- •Продольныемоды
- •Методыселекциипродольныхмод
- •Поперечныемоды
- •Методыселекциипоперечных модлазера
- •Кпдлазеров
- •КпДтвердотельныхлазеров
- •КпДнакачкиТтл
- •КпДактивнойсредыТтл
- •КпДоптическогорезонатораТтл
- •КпДгазоразрядных лазеров
- •КпДнакачкиГрл
- •КпДактивнойсредыиоптическогорезонатораГрл
- •КпДинжекционныхполупроводниковыхлазеров
- •Мощность(энергия)накачкилазера
- •Основные типы лазеров
- •Газоразрядныелазеры
- •Гелий-неоновыелазеры
- •Контрольныевопросы
- •Молекулярныелазерына углекисломгазе
- •Контрольныевопросы
- •Лазерына парахметаллов
- •Контрольныевопросы
- •Твердотельныеижидкостные лазеры
- •Контрольныевопросы
- •Инжекционныеполупроводниковыелазеры
- •Списоклитературы
Вынужденноепоглощение
Внешний квант может взаимодействовать не только с возбужденнойчастицей,ноичастицей,находящейсянанижнемэнергетическомуровне.В
результате вынужденного поглощения квант с энергиейhν =W2–W1захва-тывается невозбужденной частицей (А), которая переходит после этого в воз-бужденноесостояниеА*(рис.1.18).Дляописанияиндуцированногопогло-
щения Эйнштейн ввел коэффициентВ12. По Эйнштейну, вероятность инду-цированного поглощения частицы (количество индуцированных квантов, по-глощаемых частицей в единицу времени), как и вероятность индуцированно-гоизлучения,пропорциональнаобъемнойспектральнойплотностиэнергии
F1Вw [c–1].Тогдаколичествоактовиндуцированногопоглощенияв
п 12
единицеобъемасистемысконцентрациейчастицвнижнемэнергетическом
состоянииn
(А)определитсякак
dn1
nB
w[м–3· с–1].
1 dtпW
112
W2
hν=W2–W1
A* W
W2
А W1 W1
Рис.1.18.Процессвынужденногопоглощения
Соответственно,частицы,находящиесянанижнемэнергетическомуровне системы объемомV(в состоянииА), поглощают мощностьPпVn1B12whν.
СвязьмеждукоэффициентамиЭйнштейна
Процессыизлученияипоглощенияквантоввсистемеизменяюткон-центрациичастицнаэнергетическихуровняхи,следовательно,влияютдруг
надруга.ДляустановлениясвязимеждувведеннымикоэффициентамиА21,
В21иВ12Эйнштейнрассматривалпростейшуюдвухуровневую систему,находящуюсявтермодинамическомравновесии(ТДР)сокружающейсре-
дой.ПриТДРдляконцентрацийчастицнаэнергетическихуровняхWiспра-ведливораспределение Больцмана
nigin0e
Wi
kT,
гдеgi– коэффициент вырождения – целое число, показывающее какое коли-чество энергетических уровней с одинаковой энергией, но разными наборамиквантовых чисел(n,m l,s)может находиться в системе. В условиях ТДРтемпература средыТ= const, а подводимаяи отводимая энергии равны. Ес-ли говорить об излучающей системе, то в равновесном состоянии концентра-циичастицнаэнергетическихуровняхдолжныбытьнеизменнывовремени:
n1,n2=const(t).Этоусловиетребует,чтобыскоростиизмененияконцентра-
циибылинулевыми:
dnidt
0.Следовательно,приТДРвизлучающейсисте-
меоптическиепереходысверхувниз(2→1)должныуравновешиватьсяпе-
реходами снизу вверх (1 → 2). Иными словами, излучение квантов должноуравновешиваться их поглощением:Рсп+Ринд=Рп. Воспользовавшись вы-ражениямидлямощностейиз 1.3.1–1.3.3исокративобщиесомножители, для
равновеснойизлучающейсистемыполучим:
сюдадляспектральнойплотностиэнергии
n2А21n2В21wn1B12w.От-
w
n2А21
n1В12n2В21
n1В
А21
В g
А21
h
. (1.1)
n2 12
21 1В12ekT
g2
В21
Последняядробьв(1.1)полученасучетомсоотношениядляконцен-
трацийчастиц:
n1
n2
g1e
g2
W2W1
kT
h
g1ekT.Еслипредположитьдалее,чтов
g2
условияхТДРТ→∞,тоиуровеньизлучениядолженбесконечновозрастать,
аследовательно,иwν→∞.Ввыражении(1.1)числительА21=1/t2–конеч-
h
наявеличина,
ekT1
при
Т.Тогдадлявыполненияусловияων→∞
требуется,чтобыВ12g1/g2=В21,откудаполучаетсяпервоесоотношениедлякоэффициентовЭйнштейна:
g1В12g2В21. (1.2)
Напрактикенаиболеечастореализуетсяусловие g1=g2=1и (1.2)трансформируетсяк видуB12=B21.
ДляустановлениясвязимеждукоэффициентамиЭйнштейнадляопти-
ческихпроцессовспонтанногоииндуцированногоизлучениявоспользуемся(1.1)и (1.2),полагаяB12=B21:
wg1g2
А21
h
. (1.3)
B ekT
21 1
Из (1.3) можно установить связь междуА21иB21, если каким-либо об-разом выразитьчерез параметры излучающей системы. Эйнштейн восполь-зовался известным к тому времени выражением для плотности мощности из-лучениянагретоготела. Вусловиях ТДРоптическоеизлучениеидеального
(абсолютночерного)нагретоготеласвысокойточностьюописываетсяфор-мулойПланка:
2h
1
I
0 2cT 5
hekT
1 ,
I
где0 –спектральнаяплотностьмощностивмасштабедлиныволныдля
T
абсолютночерного тела(АЧТ).
I
T
и
Можнонайтисвязьмежду 0
T
w
, используясоотношения между
спектральнымиплотностямимощностииэнергиидляненаправленногопо-
тока:Iλ|n=1=
cw,атакжемеждуспектральнымиплотностями мощностив
4
масштабахдлиныволныичастоты
I 2Ic
.Дляобъемнойспектральной
плотностиэнергииАЧТвмасштабечастотыможно записать4I0
4I02
h
w0 T T 8hekT
. (1.4)
T сс2 3 1
Сравнив(1.3)и(1.4),получим:
А218h. (1.5)
В21 3
Выражение (1.5) называют вторым соотношением между коэффициен-тами Эйнштейна. Соотношения между коэффициентами Эйнштейна, несмот-рянакажущуюсяпростоту,являютсябазовымидляквантовойэлектроники.