- •Квантовые и оптоэлектронныеприборыиустройства
- •СмирновЕ.А.
- •Введение
- •Оптическоеизлучение
- •1.1.Свойства оптического излученияиспособыегоописания
- •Особенности оптическогоизлучения
- •Оптическиепереходы
- •Спонтанноеизлучение
- •Вынужденноеизлучение
- •Вынужденноепоглощение
- •СвязьмеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •АнализсоотношениймеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •Ширинаиформалинийизлучения
- •Естественнаяширинаиформалинийизлучения
- •Однородноеуширениелинииизлучения
- •Неоднородноеуширениелинииизлучения
- •ДифференциальныеиинтегральныекоэффициентыЭйнштейна
- •2.Усилениеоптическогоизлучения
- •Прохождениеоптическогоизлучениячерезвещество
- •Инверсиянаселенностейиактивныесреды
- •Коэффициентусиленияактивнойсреды
- •Схемысозданияинверсиинаселенностей
- •Насыщениеусилениявактивнойсреде
- •Параметрнасыщенияактивнойсреды
- •Генерациялазерного излучения
- •Принципработылазера
- •Условиестационарнойгенерациилазера
- •Насыщениеусилениявлазере
- •Выходная(энергетическая)характеристикалазера
- •Пороговоеусловиегенерации
- •Пороговаямощностьнакачки
- •Графикэнергетическойхарактеристикилазера
- •Оптическиерезонаторы
- •Особенностиоптическихрезонаторов
- •Основныетипыоптическихрезонаторов
- •Устойчивостьоптическихрезонаторов
- •Собственныеколебанияоптическогорезонатора
- •Продольныемоды
- •Методыселекциипродольныхмод
- •Поперечныемоды
- •Методыселекциипоперечных модлазера
- •Кпдлазеров
- •КпДтвердотельныхлазеров
- •КпДнакачкиТтл
- •КпДактивнойсредыТтл
- •КпДоптическогорезонатораТтл
- •КпДгазоразрядных лазеров
- •КпДнакачкиГрл
- •КпДактивнойсредыиоптическогорезонатораГрл
- •КпДинжекционныхполупроводниковыхлазеров
- •Мощность(энергия)накачкилазера
- •Основные типы лазеров
- •Газоразрядныелазеры
- •Гелий-неоновыелазеры
- •Контрольныевопросы
- •Молекулярныелазерына углекисломгазе
- •Контрольныевопросы
- •Лазерына парахметаллов
- •Контрольныевопросы
- •Твердотельныеижидкостные лазеры
- •Контрольныевопросы
- •Инжекционныеполупроводниковыелазеры
- •Списоклитературы
Насыщениеусилениявактивнойсреде
n
и
2 1
n
Предположим, что в активной среде каким-либо образом создана ин-версия,нопотокквантовотсутствует:wν→0.Обозначимстартовыеконцен-трациичастицнауровнях
0 0и,соответственно,дляисходногососто-
n
яния:Δn=0 0>0.Пустьвкакой-томоментвремениплотностьпотока
n
–
2 1
квантов начинает увеличиваться:wν> 0. В условиях инверсии населенностиэто означает, что количествоиндуцированныхизлучательныхпереходовбудетпревышатьколичествовынужденныхпоглощательныхпереходов:
2
1
n0B21wν>n0B12wν.Витогеn2начнетуменьшаться,n1–увеличиваться,ин-
версияΔn=n2–n1падатьи,какследствие,снижатьсяпоказательусиленияχус=σинд(n2–n1).Дальнейшеевозрастаниеwνприведеткболеезаметному
спадуусиления,т.е. χус↓=f(wν↑).Спадусилениявследствиеповышенияплотностипотокаквантовназываетсянасыщениемусиленияактивнойсреды.
Рассмотримпростейшуюэнергетическуюдиаграмму,состоящуюиз
g(ν)B21n1wν
g(ν)B21n2wν
двух уровней(рис.2.8).
Коэффициентыγ1иγ2характеризуютэффективностьвозбуждения
каждого из уровней за счет мощностинакачки (Pнак). Произведение γiPнакопределяет количество частиц, возбуждаемых на данный уровень в единицувремени.Отношениеni/tiпоказывает,сколькочастицуходитвединицувре-
менисэнергетическогоуровняврезультатеспонтанныхпереходов.Количе-
ство индуцированныхпроцессовизлучения и поглощениясучетомB12=B21
находятся как произведенияnig(ν)B21wν.Составим уравнения для измене-ния концентрации (скоростные уравнения) на энергетических уровнях 2 и 1 встационарномрежиме(dni/dt=0).Будемвключатьвнихсознаком«плюс»
количествооптическихпроцессов,увеличивающеенаселенностьуровня,исо
знаком«минус»–уменьшающеенаселенность:
dn2/dt=γ2Pнак–n2/t2–n2g(ν)B21wν+n1g(ν)B12wν=0, (2.6)
dn1/dt=γ1Pнак–n1/t1+n2g(ν)B21wν–n1g(ν)B21wν= 0. (2.7)
Предположим,чтопотокквантовмал:wν→0.Врежимемалогоопти-ческогосигналатретьеичетвертоеслагаемыев(2.6)и(2.7)близкикнулю,
n1=n0,аn2=n0.Сучетомизложенного,длястартовыхконцентрацийча-
n
1стиц получим
2
2
n
0=t2γ2Pнаки0=t1γ1Pнак,а дляихразницы– инверсии
2
1
1
Δn0=(n0–n0)↑=(γ2t2↑–γ1t1↓)Pнак.Показательусиленияактивнойсре-
ды,соответствующийусловиюwν→0,называютненасыщеннымидлянегоможно записать
2
1
χ0=σинд(n0–n0)=σинд(γ2t2–γ1t1)Pнак. (2.8)
Произведение σинд(γ2t2– γ1t1) определяется только свойствамиак-тивной среды, не зависит отPнак, поэтому функция χ0=f(Pнак) на начальномучастке линейна. С ростом мощности накачки возможно уменьшение скоро-стивозбужденияверхнего уровня–уменьшениеγ2изамедлениеростаχ0.
Предположим теперь, чтоwν> 0.Из (2.6) и (2.7) получим выражениядлясоответствующихконцентраций:
n2=t2γ2Pнак–t2n2g(ν)B21wν+t2n1g(ν)B21wν, (2.9)
n1=t1γ1Pнак+t1n2g(ν)B21wν–t1n1g(ν)B21wν. (2.10)Вычтемиз(2.9) выражение (2.10):
n2–n1=(γ2t2– γ1t1)Pнак– (n2–n1)B21wνg(ν)t2– (n2–n1)B21wνg(ν)t1=
= (γ2t2– γ1t1)Pнак–(n2–n1)B21wνg(ν)(t2–t1). (2.11)
Преобразуем(2.11)квиду
n2–n1= (γ2t2– γ1t1)Pнак/ [1+B21wνg(ν)(t2–t1)].
Учтем(2.8),соотношениеIν=cwνи перепишем(2.11):
2
1
n2–n1=(n0–n0)/[1+B21g(ν)(t2–t1)/cIν]. (2.12)
Умножим (2.12) на σиндиполучим выражение для насыщенного пока-зателяусиления активной среды:
χус=χ0/ [1+B21g(ν)(t2–t1)/cIν]. (2.13)Введемобозначениес/B21g(ν)(t2–t1)=Iнас–параметрнасыщенияак-
тивнойсредыиполучимкраткуюформузаписи
ус.одн
0
1I/Iнас
. (2.14)
Из (2.14) следует, что при увеличении спектральной плотности мощно-стиIνиндуцированного излучения усиление в среде уменьшается. Выраже-ние(2.14)справедливодляоднородногоуширенияспектральнойлиниииз-
лучения.Длянеоднородногоуширенияиспользуетсявыражение
ус.нд 0 .