
- •Квантовые и оптоэлектронныеприборыиустройства
- •СмирновЕ.А.
- •Введение
- •Оптическоеизлучение
- •1.1.Свойства оптического излученияиспособыегоописания
- •Особенности оптическогоизлучения
- •Оптическиепереходы
- •Спонтанноеизлучение
- •Вынужденноеизлучение
- •Вынужденноепоглощение
- •СвязьмеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •АнализсоотношениймеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •Ширинаиформалинийизлучения
- •Естественнаяширинаиформалинийизлучения
- •Однородноеуширениелинииизлучения
- •Неоднородноеуширениелинииизлучения
- •ДифференциальныеиинтегральныекоэффициентыЭйнштейна
- •2.Усилениеоптическогоизлучения
- •Прохождениеоптическогоизлучениячерезвещество
- •Инверсиянаселенностейиактивныесреды
- •Коэффициентусиленияактивнойсреды
- •Схемысозданияинверсиинаселенностей
- •Насыщениеусилениявактивнойсреде
- •Параметрнасыщенияактивнойсреды
- •Генерациялазерного излучения
- •Принципработылазера
- •Условиестационарнойгенерациилазера
- •Насыщениеусилениявлазере
- •Выходная(энергетическая)характеристикалазера
- •Пороговоеусловиегенерации
- •Пороговаямощностьнакачки
- •Графикэнергетическойхарактеристикилазера
- •Оптическиерезонаторы
- •Особенностиоптическихрезонаторов
- •Основныетипыоптическихрезонаторов
- •Устойчивостьоптическихрезонаторов
- •Собственныеколебанияоптическогорезонатора
- •Продольныемоды
- •Методыселекциипродольныхмод
- •Поперечныемоды
- •Методыселекциипоперечных модлазера
- •Кпдлазеров
- •КпДтвердотельныхлазеров
- •КпДнакачкиТтл
- •КпДактивнойсредыТтл
- •КпДоптическогорезонатораТтл
- •КпДгазоразрядных лазеров
- •КпДнакачкиГрл
- •КпДактивнойсредыиоптическогорезонатораГрл
- •КпДинжекционныхполупроводниковыхлазеров
- •Мощность(энергия)накачкилазера
- •Основные типы лазеров
- •Газоразрядныелазеры
- •Гелий-неоновыелазеры
- •Контрольныевопросы
- •Молекулярныелазерына углекисломгазе
- •Контрольныевопросы
- •Лазерына парахметаллов
- •Контрольныевопросы
- •Твердотельныеижидкостные лазеры
- •Контрольныевопросы
- •Инжекционныеполупроводниковыелазеры
- •Списоклитературы
Контрольныевопросы
Какиефункциивыполняютотдельныекомпонентыгазовойсмеси?
Чемобусловленасильнаятемпературнаязависимостьусиленияак-тивнойсреды СО2-лазера?
НазовитеспособыувеличениясрокаслужбыСО2-лазеров.
Назовитепричинывысоких КПДимощностиСО2-лазеров.
Вчемсостоитобщаяидеяопределенияпоказателяусиленияактив-нойсреды?Коэффициентаусиления заодинпроход?
НазовитеспособырегулировкивходноймощностиСО2-усилителя.
Какснизитьвлияниенестабильностимощностиизлучениянаре-зультатырасчета показателя усиления?
ОбъяснитеходвыходнойхарактеристикиСО2-лазера.
КаковыпричиныотличиязависимостейРл=f(Iл)иРус=f(Iус)?
Объяснитеходзависимостипоказателяусиленияотуровнявходно-госигнала.
КакрассчитатьКПДСО2-лазераиградиентпотенциалаE?
Лазерына парахметаллов
Гелий-кадмиевые(He–Cd)лазерыявляютсяпредставителямиклассаионныхлазеровнапарахметаллов.Ониизлучаютвфиолетовой(λ=441нм)ивультрафиолетовой(λ=325нм)областяхспектра.Длинаволныгенерации
определяетсявыборомсоответствующихзеркалрезонатора.Гелий-кадмиевые лазеры выгодно отличаются от гелий-неоновых спектром излуче-ния,обеспечивающимлучшеесогласованиесхарактеристикамичувстви-тельности большинства современных фотоматериалов, возможностью болееострой фокусировки коротковолнового излучения. Это обстоятельство делаетHe–Cd-лазеры перспективными источниками излучения для систем записи ивоспроизведения информации, голографии и технологии микроэлектроники,например при изготовлении фотошаблонов интегральных микросхем. Нарядус этим He–Cd-лазеры успешно применяются в спектроскопии, медицине, си-стемахоптической связи и т.п.
Активная среда (АС) He–Cd-лазеров содержит инертный газ He поддавлением 500...700 Па и пары Cd (0,1 Па). Излучающими частицами являют-ся возбужденные ионы кадмия. В силу малой концентрации атомов Cd ихвозбуждение за счет прямых столкновений с электронами играет незначи-тельную роль. Основным процессом накачки активной среды He–Cd-лазераявляется ионизация Пеннинга – процесс образования возбужденного ионалегкоионизируемой частицы (атома Cd) при столкновении с возбужденнымметастабильным атомом буферного газа He, имеющего большое сечение воз-буждения(рис.7.2).Схематическиэтотпроцесс можнозаписатьтак:
He+e–(W1)=He*+e–(W2<W1);
He*+ Cd = He +Cd+*; Cd+*= Cd++hν,
гдеW1,W2– энергии электронов, соответственно, до и после столкновения;Cd+*–возбужденныйионкадмия;hν–энергияиндуцированного кванта.
W,
эВ20
18
16
14
12
10
8
0
Рис.7.2.ЭнергетическаядиаграммаHe–Cd-лазера
Ионизация Пеннинга – процесс одноступенчатый, и поэтому скоростьнакачки будет пропорциональна плотности разрядного тока, а не ее квадрату,какэтоимеетместовионныхаргоновыхлазерах.Посравнениюсаргоновы-
ми, He–Cd-лазеры требуют меньшей плотности разрядного тока и меньшейудельной подводимой мощности. Для получения иона кадмия в возбужден-ном состоянии Cd+*необходимо, чтобы энергия метастабильного атома He*была несколько больше, чем энергия возбужденного иона Cd+*. Такие усло-вия выполняются для метастабильных состояний 21S0, 23S1гелия и термов2D,2Pкадмия. Энергетические уровни2Dкадмия служат верхними лазерны-ми уровнями,2P– нижними. Инверсия в He–Cd-смеси существует стацио-нарно, так как опустошение нижних уровней возбужденного иона кадмияCd+*происходит быстрее, чем верхних. Нейтрализация ионов Cd+наиболеевероятнана стенкахразрядной трубки.
Разряднаятрубкагелий-кадмиевоголазерачащевсегопредставляет
собой капилляр диаметром 1,5...2,5 мм, на концах которого в расширенияхрасполагаются испарители кадмия, а за ними – электродные узлы (рис. 7.3).Возможнои коаксиальноеисполнениеHe–Cd-лазера.
ПарыCdобразуютсяврабочемиспарителе,снабженномвнешнимэлектрическимподогревателем.Температуруиспарителяи,соответственно,
давление паров Cd определяет в основном ток подогревателяIпод. Часть теп-ловой мощности на уровне 30…40 % подводится к испарителю за счет про-текающеготокаразрядаI.Равномерноераспределениепаровкадмияподлине капилляра достигается за счет эффекта катафореза – переноса ионов ккатоду. Пары Cd, образующиеся врабочем испарителе, расположенном состороны анода, попадают в разрядный капилляр, ионизуются и движутся всторону катода. Для устранения осаждения паров кадмия температура стеноккапилляра, определяемая разрядным токомI, должна быть выше температу-ры конденсации (350…400 К). Конденсация паров Cd происходит в нерабо-чем холодном испарителе. Ввиду постоянной перекачки кадмия из рабочегоиспарителя требуются периодическая (примерно через 50 ч) смена полярно-сти электродов и переключение испарителей. Поэтому конструкция разряд-нойтрубкиHe–Cd-лазера полностьюсимметрична.
1 2 3 4 5 6 5 4 3 2 1
Рис.7.3.СхемаHe–Cd-лазера:1–зеркаларезонатора;2–выходныеокна;3–конденсационныеловушкипаровкадмия;4–подогревателииспарителя;
5–испарителикадмия; 6–разрядныйкапилляр;7 –электроды(катод,анод)
Наряду с возбуждением активной среды за счет ионизации Пеннинганаличие гелия под давлением в сотни паскалей обеспечивает оптимальную, сточкизрениявыходаиндуцированногоизлучения,температуруэлектронов
Te, поддерживает разряд на участках, не содержащих паров кадмия. К такимучасткам относятся промежутки между испарителями и электродами. Крометого,гелийустраняетдиффузионныйразлетпаровCdизнагретыхзон,ослабляя процесс конденсации паров на холодных оптических элементах, иобеспечивает приемлемый для практики срок службы газоразрядной трубкилазера. Целям защиты оптики служат и имеющиеся на пути паров Cd расши-рения – конденсационные ловушки. He–Cd-лазер обладает тепловой инерци-онностью, обусловленной необходимостью создания рабочей плотности па-ров кадмия. Совместно с тепловой инерционностью оптического резонатора,изменяющего свою геометрию под действием тепла, выделяющегося в раз-ряднойтрубке,этосвойствоприводитксущественномудрейфусреднеймощностиизлучениявначальныйпериодпослевключениялазера.
График энергетической (выходной) характеристики He–Cd-лазера – за-висимости выходной мощностиРот тока разрядаI– имеет максимум. Воз-растающийучастокобусловленростомконцентрациивозбуждающихчастиц
ne–электронов, насыщениеиспад–девозбуждениемверхнихионныхлазер-
ных уровней электронами при интенсивном ростеne. С ростом тока разрядаусиливаетсятакже нагревразрядногоканалаииспарителя Cd.
СущественноевлияниенавыходнуюмощностьHe–Cd-лазераоказы-
вает температураTCdиспарителя, определяющая давление паров Cd в поло-жительномстолберазряда.ПервоначальноростконцентрацииnCdпомере
повышениятемпературыиспарителя сопровождаетсявозрастанием выход-ноймощностииз-заувеличениячислаизлучающихчастицCd+*.Дальнейшее
увеличениеконцентрациилегкоионизируемогоCdприводиткснижениюэлектронной температурыTeи градиента потенциалаEz=f(Te) в положи-тельномстолбе.Механизмтемпературногосниженияэнергииэлектроновсо-
стоитвтом,чтопомереувеличенияnCdрастетичислоионовCd+,вовлекае-
мых в процесс компенсации отрицательного объемного заряда электронов вплазме.ЛегкоионизируемыепарыCd(энергияионизацииWi=9эВ)подме-
няютионыHe+,имеющиеWi=24,5эВ.Врезультате,требуемаядляподдер-
жания разряда энергияWe=kTeэлектронов падает, снижаетсяTeи уменьша-ется эффективность возбуждения гелия. Соответственно, снижается и ско-рость накачки верхнего лазерного уровня Cd+*, а значит, падает генерируе-маямощностьP.Встречныетенденциивповедениитемпературнойзависи-
мостимощностиизлученияP=f(TCd)приводятксуществованиюоптималь-
ной температурыTopt= 450…500 K. На практике температура испарителя Cdна40…50%определяетсяразряднымтокомлазера.Остальнойвкладвнагревопределяетэлектрическийтокнагревателяиспарителякадмия.
В He–Cd-лазерах, как и в He–Ne-лазерах, низок КПД АС – эффектив-ностьпреобразованияэнергиивозбужденияАС(порядка20эВ)вэнергию
квантов индуцированного излученияhν (см. рис. 7.2). ОптимальныеTe, ха-рактерные дляHe–Cd-разряда,имеют порядок8·104Кипредопределяютнизкий электронный КПД в процессе передачи энергии атомам He, возбуж-даемымнауровнисэнергией20…21эВ.Электрическиехарактеристики
тлеющего разряда, используемого в He–Cd-лазерах, определяются в основ-ном свойствами и давлением буферного газа – гелия. В рабочем режимеEzиопределяемоеимпадениенапряжениянаразрядеуменьшаютсянеболеечем
на10…15%посравнениюс разрядом вчистом He. Гелий-кадмиевые лазеры
могут генерировать когерентную мощность до 50...100 мВт (λ = 441 нм) приКПДодногопорядкасгелий-неоновыми лазерами(10–4...10–5).
В газоразрядных и, в частности, в He–Cd-лазерах флуктуации токамо-гут приводить к модуляции усиления и, как следствие, к модуляции мощно-стиизлученияР.СростомчастотыFколебанийтокаглубинамодуляциииз-
лученияmP=Pm/P0падает.Этообусловлено,впервуюочередь,инерцион-
ностьюпроцессанакачкиактивнойсреды–конечностьювременижизниt2
верхнеголазерногоуровня:чембольшеt2,темменьшеграничнаячастотаFгр
колебанийтока,которыеещемогутзаметномодулироватьизлучениелазера.
Собственныеколебаниятокаразрядаопределяютсямногообразиемпроцессов взаимодействия частиц в плазме, а также взаимодействием внеш-ней электрической цепи и разряда в целом. К числу таких колебаний отно-сятся реактивные (релаксационные) колебания, страты, колебания двойногослоя и катодные колебания. Реактивные колебания (десяткисотни кило-герц) проявляютсяпри малых, предобрывных токах разряда, соответствую-щих большой крутизне падающей вольт-амперной характеристики разряда иусиливаются при возрастании паразитной емкости “катоданод”. Страты,или слоистые колебания, обусловлены несовпадением по длине разряда мак-симумовионизацииивозбужденияатомов.Врезультатевозникаютпро-странственные слои (ионизационные волны) с повышенной концентрациейлибо ионов, либо возбужденных атомов. Слои, как правило, перемещаются сбольшой скоростью вдоль оси разряда, образуя бегущие страты, усиливаю-щиеся от катода к аноду. Страты не только модулируют ток и излучение вовремени, но и делают разряд пространственно неоднородным. В He–Cd-лазе-ре чаще присутствуют не регулярные страты – колебания на одной частоте, ашумовые, спектр которых включает большое число гармоник. Разностныечастотыгармоникпопадаютвнизкочастотнуюобласть(до80...100кГц)и
сильно модулируют когерентное излучение с амплитудамиPmот единиц додесятков процентов, формируя спектр вида 1/F. В He–Cd-разряде условия,обеспечивающие максимальное усиление активной среды, одновременно яв-ляются благоприятными и для существования интенсивных страт. Колебаниядвойногослоявместахрезкогоизменениядиаметраразрядногопромежуткаи катодные колебания сами по себе слабо модулируют ток, но могут иниции-ровать возникновение страт. Относительный вклад собственных колебанийразряда в модуляцию лазерного излучения всегда падает с ростом превыше-нияусилениявактивнойсреденад потерямивоптическомрезонаторе.
Собственныеколебанияразрядаможноослабитьсоответствующимподбором геометрии, наполнения и тока. В He–Cd-лазере снижение уровняфлуктуациймощностиизлучениявозможноврежимевнешнеймодуляции
тока на частотеFmax(в области спектрального максимума шумовых страт)илинакратныхейчастотах.Врезультатепринудительнойсинхронизации
страт в спектре колебанийPостается одна гармоника и как следствие исчеза-ет модуляция мощности излучения в низкочастотной области биений нерегу-лярныхстрат.Колебаниямощностиизлученияначастотевнешнеймодуля-
ции оказываются незначительными, поскольку обычноFmax>Fгр. Внешняясинхронизация нерегулярных страт в He–Cd-лазерах приводит одновременнои к резонансному повышению уровня средней мощностиPгенерации, чтообусловлено формированием пространственно более однородной АС с усло-виямиусиления,близкими коптимальным.