
- •Квантовые и оптоэлектронныеприборыиустройства
- •СмирновЕ.А.
- •Введение
- •Оптическоеизлучение
- •1.1.Свойства оптического излученияиспособыегоописания
- •Особенности оптическогоизлучения
- •Оптическиепереходы
- •Спонтанноеизлучение
- •Вынужденноеизлучение
- •Вынужденноепоглощение
- •СвязьмеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •АнализсоотношениймеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •Ширинаиформалинийизлучения
- •Естественнаяширинаиформалинийизлучения
- •Однородноеуширениелинииизлучения
- •Неоднородноеуширениелинииизлучения
- •ДифференциальныеиинтегральныекоэффициентыЭйнштейна
- •2.Усилениеоптическогоизлучения
- •Прохождениеоптическогоизлучениячерезвещество
- •Инверсиянаселенностейиактивныесреды
- •Коэффициентусиленияактивнойсреды
- •Схемысозданияинверсиинаселенностей
- •Насыщениеусилениявактивнойсреде
- •Параметрнасыщенияактивнойсреды
- •Генерациялазерного излучения
- •Принципработылазера
- •Условиестационарнойгенерациилазера
- •Насыщениеусилениявлазере
- •Выходная(энергетическая)характеристикалазера
- •Пороговоеусловиегенерации
- •Пороговаямощностьнакачки
- •Графикэнергетическойхарактеристикилазера
- •Оптическиерезонаторы
- •Особенностиоптическихрезонаторов
- •Основныетипыоптическихрезонаторов
- •Устойчивостьоптическихрезонаторов
- •Собственныеколебанияоптическогорезонатора
- •Продольныемоды
- •Методыселекциипродольныхмод
- •Поперечныемоды
- •Методыселекциипоперечных модлазера
- •Кпдлазеров
- •КпДтвердотельныхлазеров
- •КпДнакачкиТтл
- •КпДактивнойсредыТтл
- •КпДоптическогорезонатораТтл
- •КпДгазоразрядных лазеров
- •КпДнакачкиГрл
- •КпДактивнойсредыиоптическогорезонатораГрл
- •КпДинжекционныхполупроводниковыхлазеров
- •Мощность(энергия)накачкилазера
- •Основные типы лазеров
- •Газоразрядныелазеры
- •Гелий-неоновыелазеры
- •Контрольныевопросы
- •Молекулярныелазерына углекисломгазе
- •Контрольныевопросы
- •Лазерына парахметаллов
- •Контрольныевопросы
- •Твердотельныеижидкостные лазеры
- •Контрольныевопросы
- •Инжекционныеполупроводниковыелазеры
- •Списоклитературы
Параметрнасыщенияактивнойсреды
Введенный в (2.5) параметр насыщенияIнас=с/B21g(ν)(t2–t1) опреде-ляется только типом активной среды. Из (2.14) видно, что при текущем зна-ченииплотностимощностиизлучения(Iν=Iнас),пронизывающегосреду,по-
казательусиленияспадаетдополовинногоуровняотначального,ненасы-
щенного значенияχ0(рис.2.9).
χус χ0
χ0/2
G1
1
Iвых
G1max
Iвых
1
(G1max)0,5
Iвых=Iвх
Iν/Iнас
Iν/Iнас
Рис.2.9.Поведениепараметровактивнойсредыпринасыщении
Iν/Iнас
Принизкихуровняхплотностимощности(Iν→0)коэффициентусиле-
ния близок к максимальному значениюG1=Gmax= exp (χ0–χп)L. При усло-вииIν=IнаскоэффициентG1спадаетдоуровня(G1max)0,5.Бесконечное
увеличение плотности мощности (Iν→ ∞) приводит к тому, что насыщенныйпоказательусилениястремитсякнулю,коэффициентусиления–кединице,аплотностьмощностивыходногопотокаприближаетсякплотностивходно-
го потокаIвых=G1Iвх→Iвх. Последнее обстоятельство говорит о том, чтоотносительный прирост потока квантов при высоких входных уровнях ока-зываетсямалым.
В реальных усиливающих средах, где инверсия населенностей создает-ся обычно по четырехуровневой схеме, время жизни частицы на верхнемуровнеусиливающегопереходавомногоразбольшевременижизнинаниж-
нем уровне. В используемых обозначениях имеем:t2>>t1. Тогда, пренебре-гаяt1и с учетомА21= 1/t2, для плотности мощности насыщения можно за-писатьIнас=с/B21(ν)t2=сА21(ν)/B21(ν).ДляслучаякогдаIν=Iнас,получа-
ем:IνB21(ν)/сА21= 1 и окончательноB21(ν)wν=А21(ν). Таким образом, плот-ность мощности насыщения – это такая плотность потока квантов, когда ко-личество(вероятности,поЭйнштейну)излучательныхиндуцированныхиспонтанных переходовчастицы выравниваются.
Насыщение
усиления в среде имеет особенности при
различных типахуширенияспектральной
линии (рис.2.10и2.11).
χодн
Iвн
χус
Iвн
νвн=ν0 ν
νвн ν0 ν
а б
Рис.2.10.Насыщениеусиленияприоднородномуширении:а–νвн=ν0;б–νвн=ν0
Факторы, приводящие к однородному уширению, одинаковым образомвоздействуют на все частицы. Ширина и форма спектральных линий отдель-ных частиц совпадают. Следовательно, при попадании частоты усиливаемогоизлучения в интервал спектральнойлинии все частицы ансамбля будут вза-имодействовать с внешним полем единым образом.Характер насыщенияусиления при однородном уширении не зависит от положения частоты в пре-делах спектральнойлинии (рис.2.10,аиб).
χус.нд χус.нд
Iвн
ν Iвн ν
νвн=ν0 ν νвн≠ν0 ν
а б
Рис.2.11.Насыщение усиленияпринеоднородномуширении:
а– νвн=ν0;б–νвн≠ν0
Насыщение усиления происходит плавно на всех частотах и тем замет-нее,чем выше плотностьпотокаквантов.
Неоднородноуширеннаяспектральнаялинияобразуетсясовокупно-стью относительно узких однородных линий групп частиц. Каждая группаимеет отличающуюся центральную частоту. При неоднородном уширениивнешнее излучение будет взаимодействовать только с той группой частиц, укоторых спектральные линии излучения совпадают с частотой внешнего воз-действия (рис. 2.11.аиб). В итоге, в контуре неоднородно уширенной линиипоявится провал (провалы) на частоте (частотах) усиливаемого оптическогосигнала. Глубина провала пропорциональна плотности мощности излучения,распространяющегосявактивной среде.