Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методичка.docx
Скачиваний:
21
Добавлен:
28.04.2022
Размер:
898.24 Кб
Скачать
    1. Параметрнасыщенияактивнойсреды

Введенный в (2.5) параметр насыщенияIнас=с/B21g(ν)(t2t1) опреде-ляется только типом активной среды. Из (2.14) видно, что при текущем зна-ченииплотностимощностиизлучения(Iν=Iнас),пронизывающегосреду,по-

казательусиленияспадаетдополовинногоуровняотначального,ненасы-

щенного значенияχ0(рис.2.9).

χус χ0

χ0/2

G1

1

Iвых

G1max

Iвых

1

(G1max)0,5

Iвых=Iвх

Iν/Iнас

Iν/Iнас

Рис.2.9.Поведениепараметровактивнойсредыпринасыщении

Iν/Iнас

Принизкихуровняхплотностимощности(Iν0)коэффициентусиле-

ния близок к максимальному значениюG1=Gmax= exp (χ0χп)L. При усло-вииIν=IнаскоэффициентG1спадаетдоуровня(G1max)0,5.Бесконечное

увеличение плотности мощности (Iν→ ∞) приводит к тому, что насыщенныйпоказательусилениястремитсякнулю,коэффициентусиления–кединице,аплотностьмощностивыходногопотокаприближаетсякплотностивходно-

го потокаIвых=G1IвхIвх. Последнее обстоятельство говорит о том, чтоотносительный прирост потока квантов при высоких входных уровнях ока-зываетсямалым.

В реальных усиливающих средах, где инверсия населенностей создает-ся обычно по четырехуровневой схеме, время жизни частицы на верхнемуровнеусиливающегопереходавомногоразбольшевременижизнинаниж-

нем уровне. В используемых обозначениях имеем:t2>>t1. Тогда, пренебре-гаяt1и с учетомА21= 1/t2, для плотности мощности насыщения можно за-писатьIнас=с/B21(ν)t2=сА21(ν)/B21(ν).ДляслучаякогдаIν=Iнас,получа-

ем:IνB21(ν)/сА21= 1 и окончательноB21(ν)wν=А21(ν). Таким образом, плот-ность мощности насыщения – это такая плотность потока квантов, когда ко-личество(вероятности,поЭйнштейну)излучательныхиндуцированныхиспонтанных переходовчастицы выравниваются.

Насыщение усиления в среде имеет особенности при различных типахуширенияспектральной линии (рис.2.10и2.11).

χодн

Iвн

χус

Iвн

νвн=ν0 ν

νвн ν0 ν

а б

Рис.2.10.Насыщениеусиленияприоднородномуширении:аνвн=ν0;б–νвн=ν0

Факторы, приводящие к однородному уширению, одинаковым образомвоздействуют на все частицы. Ширина и форма спектральных линий отдель-ных частиц совпадают. Следовательно, при попадании частоты усиливаемогоизлучения в интервал спектральнойлинии все частицы ансамбля будут вза-имодействовать с внешним полем единым образом.Характер насыщенияусиления при однородном уширении не зависит от положения частоты в пре-делах спектральнойлинии (рис.2.10,аиб).

χус.нд χус.нд

Iвн

ν Iвн ν

νвн=ν0 ν νвнν0 ν

а б

Рис.2.11.Насыщение усиленияпринеоднородномуширении:

а– νвн=ν0;бνвнν0

Насыщение усиления происходит плавно на всех частотах и тем замет-нее,чем выше плотностьпотокаквантов.

Неоднородноуширеннаяспектральнаялинияобразуетсясовокупно-стью относительно узких однородных линий групп частиц. Каждая группаимеет отличающуюся центральную частоту. При неоднородном уширениивнешнее излучение будет взаимодействовать только с той группой частиц, укоторых спектральные линии излучения совпадают с частотой внешнего воз-действия (рис. 2.11.аиб). В итоге, в контуре неоднородно уширенной линиипоявится провал (провалы) на частоте (частотах) усиливаемого оптическогосигнала. Глубина провала пропорциональна плотности мощности излучения,распространяющегосявактивной среде.

Соседние файлы в предмете Функциональные узлы и устройства микроэлектроники