Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методичка.docx
Скачиваний:
21
Добавлен:
28.04.2022
Размер:
898.24 Кб
Скачать
    1. Инверсиянаселенностейиактивныесреды

Рассмотрим три случая возможного соотношения концентраций частицнаверхнемn2инижнемn1энергетическихуровнях.

  1. Пустьn1>n2. Тогдаn2n1< 0 и в соответствии с (2.3)dIν< 0, т. е.поток квантов в слое вещества ослабляется. Происходит поглощение излуче-ния. Такие условия реализуются при термодинамическом равновесии, когдараспределениечастицпоэнергетическимуровнямподчиняетсяфункции

Больцмана:ni=gin0exp(–Wi/kT)(рис.2.2).ПриТДРконцентрацияn1ча-

стицнанижнемэнергетическомуровневсегдабольше,чемконцентрацияn2

наверхнемуровне.Поэтомуравновесные n

средывсегдапоглощаютизлучение.

  1. Представим,чтоn2=n1.Следова- n1

тельно,Δn=n2n1=dIν=0.Вэтомслу-чае средаидеальнопрозрачна,происходит

просветлениесреды.Навходеинавыходе n2

потокиквантоводинаковые.

  1. Наконец,третийвозможныйвари-ант:n2>n1– нарушение равновесного рас-пределения.ТогдаΔn=n2n1>0,ивслое

W1 < W2 Wi

веществавозникаетприростпотокаРис.2.2.Распределениячастиц:квантов:

dIν> 0 – происходит усиление опти-1– равновесное;2– неравновесноеческогоизлучения.

Формально условиеn2>n1реализуется, если в функцию Больцманаподставить отрицательную абсолютную температуру (рис. 2.2, кривая2), чтоявляется физическим абсурдом. Нарушение ТДР для всей системы осуществ-ленобытьнеможет,номожетбытьреализовановыборочнодлякакой-топа-

ры энергетических уровней. В этом случае говорят о создании инверсной(перевернутой)населенностиуровней.Оптическиесреды,вкоторыхвоз-можно образование инверсной населенности, называют активными, усили-вающимиили инверсными средами. Активные среды(АС) могут быть со-зданынаосновегазов,жидкостей,оптическихкристалловидиэлектриковилиполупроводников.

Произведение сомножителей передIνв (2.3) называется показателемусиления активной среды χус= σинд(n2n1) [см–1]. Если χус> 0, поток навыходесреды больше,чем на входе.

В выражение (2.2) для σиндвходит дифференциальный коэффициентЭйнштейнаB21(ν)=g(ν)B21,содержащийформ-фактороднородноилинеод-

нородно уширенной спектральной линии. При расчете χусконкретное значе-ниеg(ν) выбирается исходя из длины волны (частоты) усиливаемого излуче-ния.Длячастногослучаяν=ν0,которыйназывают центральнойнастройкой,

g(ν) =gmax. Для однородного уширенияgодн max= 0,65/ Δνодн, длянеодно-родногоgнд max= 0,9/Δνнд. Поскольку числители в обоих случаях близки кединице,ихчастоопускают,полагаяB21(ν) =B21/Δν0,5.

    1. Коэффициентусиленияактивнойсреды

Рассмотрим однородную прозрачную (χп= 0) оптическую среду про-тяженностьюL, на которую падает поток квантов со спектральной плотно-стьюмощностиI0.Навыходесредыплотностьмощностидостигаетзначения

IL, определяемогопосредством интегрирования (2.3) после разделения пере-менных:

ILdI L I z

νσинд(n2n1)dz идалее lnIILинд(n2n1)z0,откуда

I0Iν 0

0

IL=I0exp(χусL) =I0G1,

(2.4)

гдеG1=IL/I0=exp(χусL)–коэффициентусилениясредызаодинпроход.

ПоведениеG1будетзависетьотсоотношениямеждуконцентрациямичастицнанижнемn1иверхнемn2энергетических уровнях (рис.2.3).

1/e

0 1 χусL

Рис.2.3.Изменениекоэффициентаусиления:1n1>n2;2n1=n2;3n1<n2

Рассмотримтричастныхслучая:

1)n1>n2=>n2n1<0=>χус<0=>G1<1=>IL<I0поглощениевсреде.При значении χусL= 1 имеемG1=е–1;

2)n1=n2=>n2n1=0=>χус= 0=>G1=1 =>IL=I0– режим про-светлениясреды.Привсехзначениях χусLкоэффициентусиленияG1=1;

3)n1<n2=>n2n1> 0=>χус> 0=>G1> 1 =>IL>I0– усилениеизлучения.ПриχусL= 1 имеемG1=е.

Вреальныхусловияхактивныесредынеидеальнопрозрачныипоказа-

тельпоглощенияконечен.Перепишемвыражение(2.1)дляприращенияплотности потока с учетом паразитного поглощения за счет оптического не-совершенствасреды,вызывающегоубыльпотока квантов:

dIν= χусIνdz– χпIνdz= (χусχп)Iνdz.

ПослеинтегрированияполучимIL=I0expусχп)Lи,соответственно,

G1=exp(χусχп)L. (2.5)

Посравнениюс(2.4)выражение(2.5)дляG1являетсяболееполным. В

частномслучаепассивнойсреды,когдаусилениеотсутствует(χус=0), из(2.5)получаетсяэкспериментальныйзаконБугеравинтегральнойформе,

справедливыйдляпоглощающихоптических сред:G1= τ = exp (χпL), гдеτ– коэффициентпропускания среды.

Соседние файлы в предмете Функциональные узлы и устройства микроэлектроники