
- •Квантовые и оптоэлектронныеприборыиустройства
- •СмирновЕ.А.
- •Введение
- •Оптическоеизлучение
- •1.1.Свойства оптического излученияиспособыегоописания
- •Особенности оптическогоизлучения
- •Оптическиепереходы
- •Спонтанноеизлучение
- •Вынужденноеизлучение
- •Вынужденноепоглощение
- •СвязьмеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •АнализсоотношениймеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •Ширинаиформалинийизлучения
- •Естественнаяширинаиформалинийизлучения
- •Однородноеуширениелинииизлучения
- •Неоднородноеуширениелинииизлучения
- •ДифференциальныеиинтегральныекоэффициентыЭйнштейна
- •2.Усилениеоптическогоизлучения
- •Прохождениеоптическогоизлучениячерезвещество
- •Инверсиянаселенностейиактивныесреды
- •Коэффициентусиленияактивнойсреды
- •Схемысозданияинверсиинаселенностей
- •Насыщениеусилениявактивнойсреде
- •Параметрнасыщенияактивнойсреды
- •Генерациялазерного излучения
- •Принципработылазера
- •Условиестационарнойгенерациилазера
- •Насыщениеусилениявлазере
- •Выходная(энергетическая)характеристикалазера
- •Пороговоеусловиегенерации
- •Пороговаямощностьнакачки
- •Графикэнергетическойхарактеристикилазера
- •Оптическиерезонаторы
- •Особенностиоптическихрезонаторов
- •Основныетипыоптическихрезонаторов
- •Устойчивостьоптическихрезонаторов
- •Собственныеколебанияоптическогорезонатора
- •Продольныемоды
- •Методыселекциипродольныхмод
- •Поперечныемоды
- •Методыселекциипоперечных модлазера
- •Кпдлазеров
- •КпДтвердотельныхлазеров
- •КпДнакачкиТтл
- •КпДактивнойсредыТтл
- •КпДоптическогорезонатораТтл
- •КпДгазоразрядных лазеров
- •КпДнакачкиГрл
- •КпДактивнойсредыиоптическогорезонатораГрл
- •КпДинжекционныхполупроводниковыхлазеров
- •Мощность(энергия)накачкилазера
- •Основные типы лазеров
- •Газоразрядныелазеры
- •Гелий-неоновыелазеры
- •Контрольныевопросы
- •Молекулярныелазерына углекисломгазе
- •Контрольныевопросы
- •Лазерына парахметаллов
- •Контрольныевопросы
- •Твердотельныеижидкостные лазеры
- •Контрольныевопросы
- •Инжекционныеполупроводниковыелазеры
- •Списоклитературы
ДифференциальныеиинтегральныекоэффициентыЭйнштейна
Функцияспектральнойплотностимощностилюбойоднородноилине-однородноуширеннойлинииизлученияполностьюописываетсясоответ-
ствующимформ-факторомиамплитудойI0линии
Ig()I0.Система,со-
держащая множество частиц, по-разному излучает на разных частотах, сле-довательно, количество переходов (вероятности излучения по Эйнштейну) наэтих частотах различны. Тогда коэффициент, характеризующий спонтанноеизлучениечастицы,долженбытьразличнымдляотличающихсячастот,т.е.
частотно-зависимым:
А21()
f()Fсп().Коэффициент
А21()
называют
дифференциальнымкоэффициентомЭйнштейнадляспонтанногоизлучения
частицы.Ноеслиспонтанноеизлучение–частотно-зависимыйпроцесс, аспектральнаялинияописываетсяформ-фактором g(ν),тодолжновыпол-
нятьсясоотношение А21()gA21.Общееколичествоспонтанныхпере-
ходовчастицыизвестно:
1
А
F
сп 211,ионодолжноравнятьсясуммарно-
t
2
му,интегральномуколичествупереходовнавсехчастотахвпределахспек-тральнойлинии:
F1 А()d
g()AdА
gdA
, (1.12)
сп 21
21
21 21
гдеА21(ν),А21– дифференциальныйиинтегральныйкоэффициентыЭйн-штейнадля спонтанногоизлучения.
Из(1.12)вытекаеттакназываемоеусловиенормировки:
g()d1.
Итак,спонтанноеизлучение–частотно-зависимыйпроцесс.Носпон-танные и индуцированные процессы взаимно обусловлены. И если
А21()
f(),тоикоэффициентыЭйнштейнадляиндуцированногоизлуче-
ния и вынужденного поглощения должны быть функциями частоты.Дляпроизвольной фиксированной частоты количество излучательных индуциро-ванныхпереходовчастицывединицувремениможетбытьнайденокак
B21()
f()gB21,гдеВ21(ν),В21–дифференциальныйиинтегральный
коэффициентыЭйнштейнадляиндуцированногоизлучения.Аналогичнодля
вынужденногопоглощенияможнозаписать: B12()gB12.Изизложен-
ногоследуетважныйвывод:формыспектральныхлинийизлученияипо-глощенияодинаковы.
2.Усилениеоптическогоизлучения
Прохождениеоптическогоизлучениячерезвещество
Рассмотрим однородную оптическую среду, параметры которой неиз-менны во времени и пространстве.Предположим, что среда идеально про-зрачная, и ее показатель поглощения χп= 0 [м–1]. Пусть эта средапротяжен-ностьюLисечениемdSпронизываетсявдольосиzпотокомквантовсчасто-
той ν и спектральной плотностью мощностиIν(рис. 2.1). Приz= 0 падающийначальный потокP0=IνdS=I0dS, приz=Lвыходной поток определяется ве-личинойPL=ILdS.
y
dS
Падающий
Iν+dIν
Iν
I0
поток IL
0 z
dz dV=dzdS
x
Рис.2.1.Распространениеизлучениявслоевещества
Оценим изменение мощности ΔРνпадающего излучения при прохож-дениислоя вещества толщинойdz. Спонтанное и индуцированное излученияувеличиваютпотокквантов,вынужденноепоглощение–уменьшает.Суче-
томэтогоΔРν=Рсп(ν)+Ринд(ν) –Рп(ν)=n2dVg(ν)A21hν+n2dVg(ν)B21wνhν –
–n1dVg(ν)B12wνhν,где объемdV=dS dz. В направлении осиzпревалируетиндуцированное излучение, поскольку спонтанное излучение – разнонаправ-ленное–излучаетсяравновероятнововсестороныиимможнопренебречь.
Поделив обе части выражения для ΔРνнаdS, перейдем к приращению плот-ности мощности и учтем, чтоB12=B21, а плотность мощности для направ-ленного излученияввакуумеIν=cwν:
dIν=g(ν)B21hνс–1Iν(n2–n1)dz. (2.1)
С учетом единиц измеренияdz[м] и (n2–n1) [м–3] – разности концен-трацийчастиц на верхнем инижнем уровнях получим,что произведениепервых пяти сомножителей в (2.1) должно выражаться в единицах площади[м2].Этопроизведениеназываютсечениеминдуцированных переходов:
σинд=g(ν)B21hνс–1. (2.2)Дляизмененияплотностимощностивслоевеществаокончательнопо-
лучим
dIν= σинд(n2–n1)Iνdz. (2.3)Входящиев(2.3)величиныσинд,Iνиdzвсегдаположительны,следо-
вательно,знакdIνбудет определятьсятолькоразницей(n2–n1).