- •Средства автоматизированного проектирования реабилитационной техники. Список экзаменационных вопросов.
- •1. Автоматизация каких процедур проектирования возможна с помощью сапр? Классификация сапр по сфере применения.
- •2. Возможности сапр в области разработки биотехнических (радиоэлектронных систем).
- •Системы автоматизированного проектирования и конструирования (сапр) медицинской техники, определения, назначение, применение, история и тенденции развития. Обзор сапр.
- •Основные этапы проектирования: от технического задания до конструкторской документации (место и роль сапр).
- •5. Сквозное проектирование. Иерархический принцип проектирования в сапр.
- •6. Роль моделирования при проектировании медицинской техники. Моделирование электрических, тепловых, механических, гидро- и аэродинамических процессов.
- •7. Виды анализа электронных принципиальных схем: временной, частотный, по постоянному току, по переменному току, тепловой, Монте-Карло и др.
- •8. Программа схемотехнического моделирования MicroCap, её версии, возможности и основные особенности. Виды анализа.
- •Во временной области (Transient)
- •В частотной области (ac)
- •Анализ статических характеристик (dc)
- •9. Анализ по постоянному току в MicroCap на примере двухкаскадного усилителя на биполярных транзиторах. Задание рабочей точки.
- •10. Анализ во временной области в MicroCap на примере двухкаскадного усилителя на биполярных транзисторах. Задание коэффициента усиления.
- •11. Анализ нелинейных искажений в MicroCap на примере двухкаскадного усилителя на биполярных транзисторах. Нелинейность характеристик электронных элементов.
- •12. Тепловой анализ в MicroCap на примере двухкаскадного усилителя на биполярных транзисторах. Температурные зависимости электронных элементов.
- •13. Частотный анализ в MicroCap на примере фильтров первого и второго порядка. Лачх, фчх, групповая задержка.
- •14. Анализ Монте-Карло в MicroCap на примере режекторного фильтра. Разброс параметров электронных элементов.
- •15. Оптимизация параметров в MicroCap на примере полосового фильтра. Оптимум функций.
- •16. Основные этапы конструирования печатных плат с использованием сапр.
- •17. Виды корпусов радиоэлектронных элементов. Основные параметры моделей радиоэлектронных элементов. Особенности разработки моделей конструктивных элементов в сапр.
- •1. Простые корпуса для пассивных элементов:
- •2. Сложные корпуса для многовыводных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем:
- •3. Различные нестандартные корпуса для компонентов неправильной формы (индуктивности, переключатели).
- •18. Основы виды и этапы работы в сапр Circuit Maker.
- •1) Разработка схемотехнического файла
- •2) Разводка печатной платы
- •19. Создания библиотек корпусов и посадочных мест в сапр Circuit Maker.
- •20. Подготовка принципиальной схемы для разработки печатной платы. Преобразование принципиальной схемы в плату в сапр Circuit Maker.
- •21. Расположение электронных компонентов на печатной плате. Основные принципы и правила.
- •22. Трассировка печатных плат, основные принципы и правила. Подготовка к трассировке. Автоматическая и ручная трассировка в сапр Circuit Maker. Работа со слоями печатной платы.
- •1) Формат dxf
- •2) Создание Gerber файлов
- •3) Создание файлов в формате n/c drill
- •25. Подготовка технической документации. Основные правила и рекомендации. Гост.
- •1. Классификация сапр по целевому назначению.
- •Математическое обеспечение сапр.
- •3. Программное обеспечение сапр
- •Сапр схемотехнического моделирования.
- •5. Процедура моделирования электронных схем в программе pspice.
- •6. Функциональные возможности среды pSpice.
- •7. Модели электронных компонентов.
- •8. Сапр схемотехнического моделирования MicroCap.
- •9. Программы автоматической трассировки печатных плат.
- •10. Применение сапр при проектировании и производстве протезно-ортопедических изделий.
- •11. Технологии быстрого прототипирования.
- •12. Печать методом послойного наплавления.
- •Рабочая платформа
- •Управление
- •13. Пакеты программ для проектирования печатных плат радиоэлектронных средств.
- •14. Пакеты программ для твердотельного параметрического моделирования.
- •15. Опишите и приведите примеры специализированных сапр.
10. Анализ во временной области в MicroCap на примере двухкаскадного усилителя на биполярных транзисторах. Задание коэффициента усиления.
Рассмотрим усилительный каскад по схеме с общим эмиттером. С помощью источника фиксированного базового тока из источника питания V1 и резистора R2 была задана рабочая точка с параметрами UКЭ = 5 В, IК = 0,5 мА (на рисунке представлен также анализ по постоянному току)
Рисунок 1 – Схема усилителя переменного напряжения с генератором тока IБ, задаваемым резистором R2
Здесь, подав на вход схемы напряжение входного источника переменного напряжения через разделительный конденсатор С1, получим усилитель переменного напряжения. Конденсатор С1 служит для разделения входных и усилительных цепей схемы по постоянному току, а значение его ёмкости выбирается в соответствии с частотными свойствами входного сигнала.
В MicroCap: Analysis → Transient
Maximum Run Time – диапазон (время) расчета – в нашем случае это будет 0,05 секунды или 50 мс;
Output Start Time – время начала анализа – 0 с;
Maximum Time Step – максимальный шаг по времени должен быть в тысячу раз меньше, чем диапазон времени, в нашем случае это 50 мкс.
Далее необходимо исправить значения в табличке внизу окна настройки параметров анализа:
В графе Р мы выбираем окна, в которых будут выводиться графики, у нас в этом примере их будет 2. Для этого служат цифры под буквой P, 1 и 2 означают, что графики будут выводиться в разных окнах;
Далее выбираем X Expression (выражение по оси Х) – в данном случае это будет время T;
Y Expression (выражение по оси Y) – это тот сигнал, который мы хотим исследовать. В нашем случае это напряжение на входе – V(in), т.е. напряжение в том узле, который назван «in», и напряжение UКЭ (данный узел назван как «Uce», т.е. запись во второй строке Y Expression будет выглядеть V(Uce));
X Range (масштаб по оси Х) всегда ставим TMAX, TMIN, чтобы смотреть только исследуемый диапазон, который мы задали ранее;
Y Range (масштаб по оси Y) выставляем AutoAlways для автоматического масштабирования.
На рисунке 2 приведены результаты моделирования в режиме переходных процессов (Transient Analyses) (анализ во временной области), сверху показан входной сигнал в узле in, внизу – выходной (напряжение на коллекторе транзистора) в узле UКЭ. Каскад с общим эмиттером инвертирует входной сигнал и обеспечивает фактическое значение коэффициента усиления по напряжению 3665 мВ / 20 мВ = 183,25.
Рисунок 2 – График входного (сверху) и выходного (снизу) напряжений усилителя переменного напряжения
Теперь рассмотрим схему с общим эмиттером при наличии резистора в цепи эмиттера (рисунок 3).
Рисунок 3 – Схема усилителя напряжения с отрицательной обратной связью по току за счет резистора R4 в цепи эмиттера
Анализ переходных процессов схемы представлен на рисунке 4. На верхнем графике представлено входное синусоидальное напряжение, на нижнем – выходное (кривая) и идеальный синусоидальный сигнал (кривая), соответствующий выражению:
UВЫХ = 0,185 sin (2π·60t + π) + 5
Фактическое значение коэффициента усиления по напряжению KU = 391,72 мВ / 20 мВ = 19,586.
Рисунок 4 – Моделирование работы схемы
Изменение коэффициента усиления по напряжению можно добиться регулированием сопротивления резистора в цепи эмиттера R4. Учитывая, что резистор R4 соединен последовательно с внутренним сопротивлением эмиттера re (re = const) транзистора Q1, получим коэффициент усиления:
KU = R1 / (re + R4)
Сопротивление резистора R1 является постоянным, так как было выбрано для задания рабочей точки.