
- •Средства автоматизированного проектирования реабилитационной техники. Список экзаменационных вопросов.
- •1. Автоматизация каких процедур проектирования возможна с помощью сапр? Классификация сапр по сфере применения.
- •2. Возможности сапр в области разработки биотехнических (радиоэлектронных систем).
- •Системы автоматизированного проектирования и конструирования (сапр) медицинской техники, определения, назначение, применение, история и тенденции развития. Обзор сапр.
- •Основные этапы проектирования: от технического задания до конструкторской документации (место и роль сапр).
- •5. Сквозное проектирование. Иерархический принцип проектирования в сапр.
- •6. Роль моделирования при проектировании медицинской техники. Моделирование электрических, тепловых, механических, гидро- и аэродинамических процессов.
- •7. Виды анализа электронных принципиальных схем: временной, частотный, по постоянному току, по переменному току, тепловой, Монте-Карло и др.
- •8. Программа схемотехнического моделирования MicroCap, её версии, возможности и основные особенности. Виды анализа.
- •Во временной области (Transient)
- •В частотной области (ac)
- •Анализ статических характеристик (dc)
- •9. Анализ по постоянному току в MicroCap на примере двухкаскадного усилителя на биполярных транзиторах. Задание рабочей точки.
- •10. Анализ во временной области в MicroCap на примере двухкаскадного усилителя на биполярных транзисторах. Задание коэффициента усиления.
- •11. Анализ нелинейных искажений в MicroCap на примере двухкаскадного усилителя на биполярных транзисторах. Нелинейность характеристик электронных элементов.
- •12. Тепловой анализ в MicroCap на примере двухкаскадного усилителя на биполярных транзисторах. Температурные зависимости электронных элементов.
- •13. Частотный анализ в MicroCap на примере фильтров первого и второго порядка. Лачх, фчх, групповая задержка.
- •14. Анализ Монте-Карло в MicroCap на примере режекторного фильтра. Разброс параметров электронных элементов.
- •15. Оптимизация параметров в MicroCap на примере полосового фильтра. Оптимум функций.
- •16. Основные этапы конструирования печатных плат с использованием сапр.
- •17. Виды корпусов радиоэлектронных элементов. Основные параметры моделей радиоэлектронных элементов. Особенности разработки моделей конструктивных элементов в сапр.
- •1. Простые корпуса для пассивных элементов:
- •2. Сложные корпуса для многовыводных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем:
- •3. Различные нестандартные корпуса для компонентов неправильной формы (индуктивности, переключатели).
- •18. Основы виды и этапы работы в сапр Circuit Maker.
- •1) Разработка схемотехнического файла
- •2) Разводка печатной платы
- •19. Создания библиотек корпусов и посадочных мест в сапр Circuit Maker.
- •20. Подготовка принципиальной схемы для разработки печатной платы. Преобразование принципиальной схемы в плату в сапр Circuit Maker.
- •21. Расположение электронных компонентов на печатной плате. Основные принципы и правила.
- •22. Трассировка печатных плат, основные принципы и правила. Подготовка к трассировке. Автоматическая и ручная трассировка в сапр Circuit Maker. Работа со слоями печатной платы.
- •1) Формат dxf
- •2) Создание Gerber файлов
- •3) Создание файлов в формате n/c drill
- •25. Подготовка технической документации. Основные правила и рекомендации. Гост.
- •1. Классификация сапр по целевому назначению.
- •Математическое обеспечение сапр.
- •3. Программное обеспечение сапр
- •Сапр схемотехнического моделирования.
- •5. Процедура моделирования электронных схем в программе pspice.
- •6. Функциональные возможности среды pSpice.
- •7. Модели электронных компонентов.
- •8. Сапр схемотехнического моделирования MicroCap.
- •9. Программы автоматической трассировки печатных плат.
- •10. Применение сапр при проектировании и производстве протезно-ортопедических изделий.
- •11. Технологии быстрого прототипирования.
- •12. Печать методом послойного наплавления.
- •Рабочая платформа
- •Управление
- •13. Пакеты программ для проектирования печатных плат радиоэлектронных средств.
- •14. Пакеты программ для твердотельного параметрического моделирования.
- •15. Опишите и приведите примеры специализированных сапр.
14. Анализ Монте-Карло в MicroCap на примере режекторного фильтра. Разброс параметров электронных элементов.
Монте-Карло – это вид анализа, в ходе которого проводится серии вычислений для статистической обработки полученных результатов. При этом параметры компонентов схемы меняются по случайному закону в пределах заданного допуска. Таким образом исследуется влияние разброса параметров, который всегда существует у реальных компонентов, на характеристики схемы. Кроме того, анализ Монте-Карло предназначен для обнаружения сочетаний параметров компонентов схемы, при которых характеристики схемы выходят за заданные пределы. Все такие комбинации параметров записываются в файл числового вывода и в дальнейшем могут быть подробно проанализированы.
При выборе режимов моделирования Transient, AC или DC становится доступен подрежим Monte Carlo для расчета характеристик цепей при случайном разбросе параметров:
Options – установка параметров метода Монте-Карло;
Add Histogram – добавление окна гистограмм (доступно после проведения моделирования);
Delete Histogram – удаление окна гистограмм (доступно после проведения моделирования);
Statistics – статистическая обработка результатов (доступно после построения гистограммы).
В диалоговом окне Monte Carlo Options, открываемом по команде Monte Carlo/Options, указывается количество статистических испытаний Number of Runs (не более 30000) и характер закона распределения случайных параметров, заданных значением LOT параметра модели: Uniform равномерное распределение, Gauss – гауссово, Worst Case – наихудший случай. Напомним, что в окне Global Settings задается отношение разброса случайных параметров к среднеквадратическому отклонению SD.
Диалоговое окно имеет вид:
Должно быть примерно вот так:
Вот так получилось:
15. Оптимизация параметров в MicroCap на примере полосового фильтра. Оптимум функций.
Параметрическая оптимизация может выполняться в программе Micro-Cap при проведении любого вида анализа. Метод Пауэлла наиболее подходит для решения задач оптимизации электронных схем. Также можно использовать другие методы поиска оптимальных значений – метод Левенберга-Марквардта, Хука-Дживса, дифференциальной эволюции.
Оптимизатор в Micro-Cap упорядоченным образом (согласно алгоритму поиска экстремума) меняет значения параметров схемы в пределах областей, заданных пользователем, для того, чтобы добиться минимума, максимума, равенства определенному значению заданной характеристики схемы. Он вызывается из любого режима анализа (за исключением Sensitivity и Transfer Function), позволяя оптимизировать искажения, характеристики во временной области, малосигнальные частотные характеристики и характеристики на постоянном токе.
Синтаксис задания поиска оптимального решения следующий:
1) Находится значение параметра, при которой заданная характеристика схемы минимальна (максимальна или равна заданному значению) при соблюдении заданных ограничений в виде логических выражений.
2) Вводим настройки оптимизатора в диалоговом окно параметров оптимизации:
Find – указываются параметры элементов схемы, для которых проводится оптимизация. Содержит следующие поля:
Parameter – указывает элемент, параметр которого оптимизируется.
Current – текущее значение оптимизируемого параметра во время выполнения процесса оптимизации.
Optimized – оптимальное значение параметра по текущим результатам выполняемой оптимизации.
That – указывается цель проведения оптимизации, включая критерий оптимизации (максимум, минимум, определенное значение) и целевую функцию (целевая функция – это функция (или комплекс функций), которая в результате проведения оптимизации должна принять заданное оптимальное значение).
Maximizes, Minimizes, Equates – поля выбора критериев оптимизации.
To – значение, которого оптимизатор будет добиваться для целевой функции, если выбран критерий Equate.
Error – показывает отклонения от заданных значений при выборе критериев оптимизации вида Equate.
Start With – позволяет выбрать начальные значения оптимизируемых параметров.
Initial – начальные значения берутся равными нижним пределам областей изменения параметров.
Existing – начальные значения берутся равным значениям, достигнутым в конце предыдущего сеанса оптимизации.
Update Plot – обновляет график, построенный в одном из режимов анализа, на основе которого производится оптимизация. Позволяет при длительном процессе отслеживать прогресс в поиске оптимального решения.
Time – поле показывает полное время, затраченное на данный сеанс оптимизации.
RMS Error –при использовании критериев оптимизации типа Equate, в этом поле выводится среднеквадратическое отклонение целевой функции от заданных значений – корень квадратный из суммы квадратов отклонений текущих значений функций от заданных значений.
Percent Error – при оптимизации на совпадение (Equate) показывает среднюю относительную ошибку в %.
На рисунке представлена схема полосового фильтра.
Источник (V1) создает синусоидальный сигнал, поступающий на вход ПФ. Элементы C1, C2, R1 и R2 задают значение резонансной частоты фильтры fРЕЗ, соотношение элементов R3 и R4 задает значения коэффициента передачи на резонансной частоте KРЕЗ и добротности фильтры Q.
При запуске AC Analysis получим АЧХ полосового фильтра, но коэффициент передачи на резонансной частоте и сама резонансная частота не имеют конкретных «красивых» значений, а будут варьировать близ них.
Для того чтобы задать конкретное значение 1 Hz резонансной частоты полосового фильтра, используют функцию оптимизации.
В меню AC - > Optimise. В поле Find устанавливаем параметр, который будет изменяться (что оптимизировать) – конденсатор C1, пределы изменения. В поле «That» критерий оптимизации: Peak_X – значение X (частоты) первого локального пика Y. Он должен быть равен (Equetes) 1. Также выбираем один метод оптимизации (например, Пауэлла). Запускаем оптимизацию кнопкой Optimize. В результате получим значение емкости С1, время расчета, ошибку в процентах.
При нажатии Apply полученное значение емкости будет применено к моделируемой схеме.
Для задания коэффициента передачи на резонансной частоте равным 0, установим в поле Find значение сопротивления резистора R3, его пределы, в поле «That»: Peak_Y – значение Y (KРЕЗ) первого локального пика X. Он должен быть равен (Equetes) 0.
Полученные точные значения емкости C1 и сопротивления R3 не имеют практического значения из-за разброса значений параметров элементов, в том числе ОУ, нестабильности входного сигнала и действия на схему ПФ внешних факторов (тепло, электромагнитные поля и др.). Однако они иллюстрируют возможности инструмента оптимизации.
Для того, чтобы определить максимально возможное значения KРЕЗ для изучаемой схемы необходимо в поле «That» значение Equetes заменить на Maximizes. В этом случае критерием оптимизации выступает нахождение наибольшего значения для первого локального максимума.
Все значения сопротивления резистора R3 отличающиеся в большую или меньшую сторону от оптимального будут задавать меньшее значение KРЕЗ, чем найденное максимальное.