4.4. Обработка результатов и содержание отчета

В отчете должны быть представлены:

1. Цель работы.

2. Блок-схемы установки.

3. Вольт-амперные характеристики для разных значений температуры, представленные в виде графика. Построение зависимостей для каждого пункта выполняется на одном графике, если это не оговорено отдельно.

4. Зависимости мощности излучения полупроводникового лазера от тока накачки

5. Зависимости длинны волны в максимуме излучения от тока накачки, представленные в виде таблицы и графика.

6. Результаты определения порогового тока лазера из ватт-амперных характеристик

7. Диаграммы направленности излучения лазера, построенные в полярных координатах.

8. Спектры излучения лазера при разных значениях температуры

9. Зависимость длины волны в максимуме излучения от температуры.

10. Зависимость порогового тока лазера от температуры.

11. Выводы (подробно каждую зависимость, почему такая).

4.5. Контрольные вопросы

1. Пояснить особенности создания инверсной населенности в полу­проводниках.

2. Перечислить и пояснить методы возбуждения, используемые в полу­проводниковых лазерах.

3. Почему диаграммы направленности инжекционного лазера различны в разных плоскостях?

4. Дать описание экспериментальной установки и пояснить назначение отдельных ее элементов.

5. Пояснить влияние плотности тока на спектр излучения лазерного диода.

6. В чем заключаются преимущества гетероструктур перед обычными р‑n‑переходами при создании инжекционных лазеров?

7. Пояснить эффекты односторонней инжекции, сверхинжекции и волноводный эффект в двойной гетероструктуре.

8. Чем определяются оптимальные размеры активной области лазера на двойной гетероструктуре (толщина, ширина и длина)?

9. В чем состоит принцип раздельного электронного и оптического ограничений и как он реализуется в РО ДГС-лазерах?