продолжение

продолжение

Концентрация электронов проводимости

примесного (донорного) полупроводника nd(T) дается

приближенным выражением в области возрастания

примесной электропроводности при T≥T1

nd T

1

2 m"

kT

1.5

Eg

n1 (T )

e2kT

2

Nd

n

h2

где Nd – концентрация донорной примеси;

Eg – энергия активации примеси.

В области истощения примеси при T≤T2:

nd(T)= n2 (T ) Nd

Полная концентрация электронов

1 1023

n(T)= n0(T) + nd(T)

1 1022

n0(T)

n1(T)1 1021

n2(T)

nd(T)1 1020

n(T)

1 1019

1 1018

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

0

1/Т2

1/Т1

T 1