Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
новые лекции ОЭиРМ и исправленные ИДЗ / Индивидуальное задание 2013.doc
Скачиваний:
72
Добавлен:
09.02.2015
Размер:
133.12 Кб
Скачать

Приложения Некоторые свойства металлов (таблица 1)

№ ВАР.

Элемент

Структура

Атомная масса

Параметр решетки, Å

Плотность, г/см3

Удельное сопротивле­ние, мкОм·см

Температура, К

Работа выхода , эВ

Дебая (TD)

Ферми (TF·10-4)

плавления (Tпл)

1

Na

ОЦК

22.9

4.23

1.013

4.75

158

3.75

371

2,35

2

Mg

ГПУ

24.30

3.2

1.74

4.30

400

8.27

922

3,64

3

Al

ГЦК

26.98

4.05

2.7

2.74

428

13.49

933

3.74

4

Ti

ГПУ

47.9

2.95

4.51

43.1

420

1933

5

Cr

ОЦК

51.96

2.88

7.19

12.9

360

2130

6

Fe

ОЦК

55.84

2.87

7.87

9.8

470

13.0

1808

4.31

7

Cu

ГЦК

63.54

3.61

8.93

1.7

343

8.12

1356

4.47

8

Nb

ОЦК

92.91

3.3

8.58

14.5

275

6.18

2741

4.01

9

Ag

ГЦК

107.87

4.09

10.50

1.61

225

6.36

1234

4.28

10

In

тетра

114.82

4.59

7.29

8.75

108

9.98

429.8

11

Sb

ромб

121.7

4.51

6.69

41.3

211

12.7

900.4

4,08

12

Cs

ОЦК

132.9

6.05

1.999

20

38

1.83

302

1,81

13

W

ОЦК

183.8

3.16

19.25

53

400

3683

4.63

14

Au

ГЦК

196.9

4.08

19.28

2.2

165

6.39

1337

4.58

15

Pb

ГЦК

207.2

4.95

11.31

21

105

10.87

601

4.52

16

Bi

ромб

208.9

4.75

9.8

11.6

119

54

544.5

4,4

17

Zn

ГЕК

65.38

2.66

7.14

5.96

234

10.9

693

3.86

18

Ni

ГЦК

58.71

3.52

8.9

6.9

375

1726

4.84

19

Pt

ГЦК

195.09

3.92

21.45

10.58

230

2045

5.29

20

Ta

ОЦК

180.95

3.31

16.6

13.2

225

21

Mo

ОЦК

95.94

3.15

10.2

5.2

380

2890

4.37

22

V

ОЦК

50.942

3.02

6.1

24.8

390

2163

23

Rb

ОЦК

85.47

5.59

1.53

11.29

56

2.15

312

2,16

Свойства cобственныхполупроводников (таблица 2)

№ ВАР.

Тип

примеси

сингония

Полупроводник

Ширина запрещенной зоны

Эффективная масса

Подвиж

ность

Работа

выхода,

эВ

а, ангстрем

EG

(0 К), эВ

EG

(300 К), эВ

m"n / me

m"p / me

μn,

μp,

см2·В‑1·с‑1

1

9

n

p

Куб

5,43

Si

1.166

1.11

 0.98

 0.19

 0.5

 0.16

1350

480

4.83

2

10

n

p

Куб

5,66

Ge

0.74

0.67

1.58

 0.082

0.3

0.04

3900

1900

4.80

3

11

n

p

Куб

5,65

GaAs

1.52

1.43

0.07

0.5

0.12

8600

400

4.71

4

12

n

p

Куб

6,09

GaSb

0.81

0.69

0.045

0.39

4000

650

4.76

5

13

n

p

Куб

6,05

InAs

0.43

0.36

0.028

0.33

30000

240

4.90

6

14

n

p

Куб

6,48

InSb

0.235

0.17

0.0133

0.6

0.012

76000

5000(78 К)

4.75

7

15

n

p

Куб

5,87

InP

1.42

1.28

0.07

0.4

4000

650

4.45

8

16

n

p

Куб

6,14

AlSb

1.6

1.6

0.11

0.39

50

400

4.86

Концентрация n- и p- примесей в полупроводниках (таблица 3)

№ вар.

1

2

3

4

5

6

концентрация

примесей, см-3

1013

1014

1015

1016

1017

1018