лабы / Metodicheskie_ukazania_k_Laboratornym_rabotam_ALTIUM_DESIGNER
.pdf
Вариант 2. Преобразователь данных МИЭТ. 464512.002 Э3
121
Перечень элементов к варианту 2А
С1…C2 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,047 мкФ+80%-20%-H90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
2 |
С3…C8 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-H90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
6 |
C9…C10 |
Конденсатор К53-65 "C" - 16 В - 1 мкФ ±10% АЖЯР.673546.004 ТУ |
2 |
С11…С14 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
4 |
D1, D2 |
Микросхема HCF4017BM1 "STMicroelectronics" |
2 |
D3…D6 |
Микросхема 74AC00SC "ON Semiconductor" |
4 |
D7 |
Микросхема MC14520BDWG "Motorola" |
1 |
D8, D9 |
Микросхема HCF4017BM1 "STMicroelectronics" |
2 |
D10 |
Микросхема MC14520BDWG "Motorola" |
1 |
D11.. D13 |
Микросхема 74HC151D "NXP Semiconductors" |
3 |
R1…R8 |
Резистор Р1-12-0,125 47 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
8 |
R9…R21 |
Резистор Р1-12-0,25 270 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
13 |
VD1...VD3 |
Диод BAV99S "Nexperia" |
3 |
VD4...VD7 |
Диод AP2012 MGC "Kingbright" |
4 |
VD8 |
Диод AP2012EC "Kingbright" |
1 |
VD9...VD16 |
Диод AP2012 MGC "Kingbright" |
8 |
XP1, XP2 |
Вилка угловая TE_1-1634689-0 "TE Connectivity" |
2 |
|
Перечень элементов к варианту 2В |
|
|
|
|
С1…C2 |
Конденсатор К10-79-50 В-1000 пФ+80%-20%-H90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
2 |
С3…C8 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-H90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
6 |
C9…C10 |
Конденсатор К53-65 "D" - 16 В - 10 мкФ ±10% АЖЯР.673546.004 ТУ |
2 |
С11…С14 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
4 |
D1, D2 |
Микросхема HCF4017BM1 "STMicroelectronics" |
2 |
D3…D6 |
Микросхема 74AC00PC "ON Semiconductor" |
4 |
D7 |
Микросхема MC14520BCP "Motorola" |
1 |
D8, D9 |
Микросхема HCF4017BM1 "STMicroelectronics" |
2 |
D10 |
Микросхема MC14520BCP "Motorola" |
1 |
D11.. D13 |
Микросхема 74HC151N "NXP Semiconductors" |
3 |
R1…R8 |
Резистор Р1-12-0,125 47 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
8 |
R9…R21 |
Резистор Р1-12-0,25 270 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
13 |
VD1...VD3 |
Диод BAV99S "Nexperia" |
3 |
VD4...VD7 |
Диод AP2012 MGC "Kingbright" |
4 |
VD8 |
Диод AP2012EC "Kingbright" |
1 |
VD9...VD16 |
Диод AP2012 MGC "Kingbright" |
8 |
XP1 |
Вилка угловая TE_1-1634689-0 "TE Connectivity" |
1 |
XP2 |
Вилка прямая TE_1-1634688-0 "TE Connectivity" |
1 |
122
Перечень элементов к варианту 2С
С1…C2 |
Конденсатор К10-79-50 В-1500 пФ+80%-20%-H90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
2 |
С3…C8 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-H90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
6 |
C9…C10 |
Конденсатор К53-65 "В" - 16 В – 4,7 мкФ ±10% АЖЯР.673546.004 ТУ |
2 |
С11…С14 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
4 |
D1, D2 |
Микросхема HCF4017BEY "STMicroelectronics" |
2 |
D3…D6 |
Микросхема 74AC00PC "ON Semiconductor" |
4 |
D7 |
Микросхема MC14520BCP "Motorola" |
1 |
D8, D9 |
Микросхема HCF4017BEY "STMicroelectronics" |
2 |
D10 |
Микросхема MC14520BDWG "Motorola" |
1 |
D11, D12 |
Микросхема 74HC151N "NXP Semiconductors" |
2 |
D13 |
Микросхема 74HC151D "NXP Semiconductors" |
1 |
R1…R8 |
Резистор Р1-12-0,125 47 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
8 |
R9…R21 |
Резистор Р1-12-0,25 270 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
13 |
VD1...VD3 |
Диод BAV99S "Nexperia" |
3 |
VD4...VD7 |
Диод AP2012 MGC "Kingbright" |
4 |
VD8 |
Диод AP2012EC "Kingbright" |
1 |
VD9...VD16 |
Диод AP2012 MGC "Kingbright" |
8 |
XP1 |
Вилка угловая TE_1-1634689-0 "TE Connectivity" |
1 |
XP2 |
Вилка прямая TE_1-1634688-0 "TE Connectivity" |
1 |
Дополнительные требования к вариантам 2А, 2В, 2С
Цепи Out1_P, Out1_N, Out2_P, Out2_N, Out3_P, Out3_N вести дифференциальными парами.
Цепи Canal_A_[0..7] выровнять по длине с точностью 5 мм.
Фильтрующие конденсаторы С3…С8, С11…С14 установить в непосредственной близости от микросхем.
С9, С10 установить по разным краям платы.
Все планарные элементы установить на одной стороне платы.
123
Вариант 3. Модуль управления МИЭТ. 464512.003 Э3
124
Перечень элементов к варианту 3А
С1 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
1 |
С2 |
Конденсатор К10-79-50 В-820 пФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
1 |
С3…C8 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
6 |
С9, C10 |
Конденсатор К53-65 "C" - 16 В - 1 мкФ ±10% АЖЯР.673546.004 ТУ |
2 |
С11…C14 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
4 |
D1 |
Микросхема HCF4017BEY "STMicroelectronics" |
1 |
D2 |
Микросхема 74HC151D "NXP Semiconductors" |
1 |
D3, D4 |
Микросхема 74AC00SC "ON Semiconductor" |
2 |
D5 |
Микросхема HCF4017BEY "STMicroelectronics" |
1 |
D6 |
Микросхема 74HC151D "NXP Semiconductors" |
1 |
D7 |
Микросхема HCF4017BEY "STMicroelectronics" |
1 |
D8 |
Микросхема 74HC151D "NXP Semiconductors" |
1 |
D9 |
Микросхема 74AC00SC "ON Semiconductor" |
1 |
D10 |
Микросхема MC14520BDWG "Motorola" |
1 |
R1…R8 |
Резистор Р1-12-0,125 1 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
8 |
R9 |
Резистор Р1-12-0,1 4,7 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R10 |
Резистор Р1-12-0,25 100 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R11 |
Резистор Р1-12-0,1 4,7 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R12 |
Резистор Р1-12-0,25 100 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R13 |
Резистор Р1-12-0,1 4,7 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R14 |
Резистор Р1-12-0,25 100 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
VD…VD3 |
Диод BAV99S "Nexperia" |
3 |
VT1…Vt3 |
Транзистор 2Т665А9 АЕЯР.432140.605 ТУ |
3 |
XP1, XP2 |
Вилка угловая TE_1-1634689-0 "TE Connectivity" |
2 |
|
Перечень элементов к варианту 3В |
|
|
|
|
С1 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
1 |
С2 |
Конденсатор К10-79-50 В-1000 пФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
1 |
С3…C8 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
6 |
С9, C10 |
Конденсатор К53-65 "D" - 16 В - 10 мкФ ±10% АЖЯР.673546.004 ТУ |
2 |
С11…C14 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
4 |
D1 |
Микросхема HCF4017BM1 "STMicroelectronics" |
1 |
D2 |
Микросхема 74HC151N "NXP Semiconductors" |
1 |
D3, D4 |
Микросхема 74AC00SC "ON Semiconductor" |
2 |
D5 |
Микросхема HCF4017BM1 "STMicroelectronics" |
1 |
D6 |
Микросхема 74HC151N "NXP Semiconductors" |
1 |
D7 |
Микросхема HCF4017BM1 "STMicroelectronics" |
1 |
D8 |
Микросхема 74HC151N "NXP Semiconductors" |
1 |
D9 |
Микросхема 74AC00SC "ON Semiconductor" |
1 |
D10 |
Микросхема MC14520BDWG "Motorola" |
1 |
R1…R8 |
Резистор Р1-12-0,125 1 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
8 |
R9 |
Резистор Р1-12-0,1 4,7 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R10 |
Резистор Р1-12-0,5 51 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R11 |
Резистор Р1-12-0,1 4,7 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R12 |
Резистор Р1-12-0,5 51 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R13 |
Резистор Р1-12-0,1 4,7 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
125
R14 |
Резистор Р1-12-0,5 51 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
VD…VD3 |
Диод BAV99S "Nexperia" |
3 |
VT1…Vt3 |
Транзистор 2Т665А9 АЕЯР.432140.605 ТУ |
3 |
XP1, XP2 |
Вилка угловая TE_1-1634689-0 "TE Connectivity" |
2 |
Перечень элементов к варианту 3С
С1 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
1 |
С2 |
Конденсатор К10-79-50 В-820 пФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
1 |
С3…C8 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
6 |
С9, C10 |
Конденсатор К53-65 "C" - 16 В - 1 мкФ ±10% АЖЯР.673546.004 ТУ |
2 |
С11…C14 |
Конденсатор К10-79-50 В-0,1 мкФ+80%-20%-Н90 АЖЯР.673511.004 ТУ |
4 |
D1 |
Микросхема HCF4017BEY "STMicroelectronics" |
1 |
D2 |
Микросхема 74HC151D "NXP Semiconductors" |
1 |
D3, D4 |
Микросхема 74AC00PC "ON Semiconductor" |
2 |
D5 |
Микросхема HCF4017BEY "STMicroelectronics" |
1 |
D6 |
Микросхема 74HC151D "NXP Semiconductors" |
1 |
D7 |
Микросхема HCF4017BEY "STMicroelectronics" |
1 |
D8 |
Микросхема 74HC151D "NXP Semiconductors" |
1 |
D9 |
Микросхема 74AC00PC "ON Semiconductor" |
1 |
D10 |
Микросхема MC14520BCP "Motorola" |
1 |
R1…R8 |
Резистор Р1-12-0,125 1 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
8 |
R9 |
Резистор Р1-12-0,1 4,7 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R10 |
Резистор Р1-12-0,33 100 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R11 |
Резистор Р1-12-0,1 4,7 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R12 |
Резистор Р1-12-0,33 100 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R13 |
Резистор Р1-12-0,1 4,7 кОм 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
R14 |
Резистор Р1-12-0,33 100 Ом 5%-M-"A" АЛЯР.434110.005 ТУ |
1 |
VD…VD3 |
Диод BAV99S "Nexperia" |
3 |
VT1…Vt3 |
Транзистор 2Т665В9 АЕЯР.432140.605 ТУ |
3 |
XP1 |
Вилка угловая TE_1-1634689-0 "TE Connectivity" |
1 |
XP2 |
Вилка прямая TE_1-1634688-0 "TE Connectivity" |
1 |
Дополнительные требования к вариантам 3А, 3В, 3С
Цепи L1_P, L1_N, L2_P, L2_N, L3_P, L3_N вести дифференциальными парами. Цепи Canal_A_[0..7] выровнять по длине с точностью 5 мм. Фильтрующие конденсаторы С1, C3…С8, С11…С14 установить в непосредственной близости от микросхем.
С9, С10 установить по разным краям платы. Диоды установить ближе к выводам микросхемы.
Все планарные элементы установить на одной стороне платы.
126
Приложение 2. Список элементов учебной библиотеки
127
Приложение 3. Выписка из технических условий транзистора 2Т665
128
Приложение 4. Выписка из технических условий набора транзисторов 2П7240
129
Приложение 5. Выписка из технических условий резисторов Р1-12
130