Sb95887
.pdf
теке, расположенной по адресу Component >Analog Primitives > Active Devices > NJFET. Сопротивление резистора в схеме рис. 5.1 составляет 30 Ом. Напряжение на источнике V1 0 В, на стоке напряжение задается источником V2 и составляет 10 В.
Анализ схемы производится в режиме DC. В параметрах анализа следует задать изменение напряжения на затворе транзистора в диапазоне –5...5 В с шагом 0.1 В. На график следует вывести зависимость IC = f(VЗИ), для чего необходимо задать соответствующие функции вывода в меню DC, используя латинские обозначения соответствующих электродов ПТ. Диапазон изменения значения напряжений VЗИ на графике составляет –5...1 В, для тока стока IС диапазон значений составляет 0...100 мА. Примерный вид передаточной характеристики ПТ приведен на рис. 5.2.
I C , А
30
R1
J1 |
10 |
|
|
|
|
I C нач |
|
|
|
|
|||
V2 |
|
|||||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
0
V1
UЗИотс |
V ЗИ , В |
Рис. 5.1 |
Рис. 5.2 |
По графику следует определить начальное значение тока стока IС нач, соответствующее напряжению VЗИ = 0. Также необходимо определить напряжение UЗИ, при котором канал полностью перекрывается, а ток стока IС
становится весьма малым (десятые доли микроампер). Такое напряжение называют напряжением отсечки VЗИ отс.
5.2. Исследование выходных характеристик ПТ
Исследование выходных характеристик ПТ проводится для схемы, представленной на рис. 5.1. Напряжение на затворе установить с помощью источника V1 равным 1 В, напряжение источника V2 установить +10 В.
21
Семейство выходных характеристик ПТ представляет зависимость тока стока от напряжения между стоком и истоком ПТ: IС = f(VСИ). Выходная характеристика снимается при изменении значений V2 (Variable 1) от 0 до 10 В. Значения следует снимать в пологой области при различных значениях напряжений затвора VЗИ, соответствующих напряжению источника V1. Ре-
комендуется выбратьVЗИ1 = 0, VЗИ2 = 0,2 VЗИ0 и VЗИ3 = 0,4 VЗИ0,
VЗИ4 = 0,6 VЗИ0, VЗИ5 = 0,8 VЗИ0, VЗИ6 = VЗИ0, где VЗИ0 = VЗИ отс. Набор зна-
чений напряжения VЗИ задается в меню параметров DC методом List с перечислением всех значений или методом Linear с указанием максимального значения напряжения, минимального и шага. Диапазон отображения характеристик на графике задается как Auto Scale Ranges. Примерный вид выходной характеристики ПТ приведен на рис. 5.3.
Рис. 5.3
Для фиксированного значения VCИ, соответствующего пологой области выходной характеристики, необходимо записать в протокол значения тока стока при различных значениях VЗИ.
5.3. Задание
Рассчитать сопротивление канала при различных VЗИ:
R VИC . IC
Построить график нагрузочной характеристики как функции сопротивления канала от напряжения на затворе ПТ.
22
|
Содержание |
|
Лабораторная работа № 1. Статические характеристики полупроводниковых |
||
диодов. Влияние температуры на вольт-амперные характеристики диодов |
.... 3 |
|
Лабораторная работа № 2. Однополупериодный диодный выпрямитель......... |
9 |
|
Лабораторная работа № 3. |
Входная и передаточная характеристики |
|
биполярного транзистора..................................................................................... |
|
12 |
Лабораторная работа № 4. |
Семейство выходных характеристик биполярного |
|
транзистора. Ключевой режим работы транзистора ......................................... |
16 |
|
Лабораторная работа № 5. |
Характеристики полевого транзистора |
|
с управляющим переходом .................................................................................. |
20 |
|
23
Ситникова Маргарита Федоровна, Замешаева Евгения Юрьевна, Мунина Ирина Владимировна
Физические свойства радиокомпонентов
Учебно-методическое пособие
Редактор Н. Ю. Меньшенина
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Подписано в печать 26.12.17. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная. Печать цифровая. Печ. л. 1,5.
Гарнитура «Times New Roman». Тираж 113 экз. Заказ 215.
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
24