3531
.pdf1.760 мм. ртутного столба;
2.480 мм. ртутного столба;
3.100 мм. ртутного столба;
4.практически полный вакуум.
4.Катод в вакуумном диоде лучше выполнить:
1.с косвенным подогревом;
2.с прямым подогревом;
3.с охлаждением;
4.холодным.
5.Сетка в вакуумном триоде нужна:
1.для заполнения вакуума;
2.отвода электронов;
3.для вторичной эмиссии;
4.управления током в лампе.
6.В электронно-лучевой трубке используется явление:
1.фоторезистивность;
2.излучающего диода;
3.поляризация;
4.люминесценция.
7.Газ в газоразрядных приборах содержится в виде:
1.полный вакуум;
2.при атмосферном давлении;
3.инертный газ или пары ртути при давлении 760 мм. ртутного столба;
4.сильно разряженный инертный газ или пары ртути.
8.Тиратрон относится к приборам:
1.тлеющего разряда;
2.дугового разряда;
3.вакуумным;
4.полупроводниковым.
9.Газоразрядный стабилитрон относится к приборам:
1.дугового разряда;
2.вакуумным;
3.тлеющего разряда;
4.полупроводниковым.
10.В электровакуумных приборах используется эффект:
1.поверхностный;
2.люминесценции;
3.поляризации;
4.термоэлектронной эмиссии.
11.В производстве полупроводников используется:
1.сталь;
2.чугун;
3.эбонит;
4.кремний.
12.Собственные полупроводники характеризуют следующим свойством:
1.правильность кристаллической решетки;
2.отсутствие примесей;
3.бесконечная протяженность;
4.разная концентрация дырок и электронов.
13.Отличительной чертой примесных полупроводников является:
1.размеры;
2.проводимость;
3.валентность;
4.одинаковая концентрация носителей противоположного знака.
14.Явление генерации носителей заряда это:
1.образование пары электрон – дырка;
2.восстановление валентных связей;
3.колебания носителей заряда;
4.объединение зарядов разной полярности.
15.Под «дыркой» в полупроводниках понимают:
1.электрон;
2.отсутствие атома в кристаллической решетке;
3.атом, лишенный электрона;
4.примесь.
16.Основным носителем заряда в проводимости "n" типа является.
1.ионизированный атом;
2.примесь;
3.электрон;
4.дырка.
17.По отношению к базовому полупроводнику примесь для образования проводимости "р" типа должна обладать валентностью:
1.большей;
2.меньшей;
3.равной;
4.от валентности не зависит.
18.Какой валентностью по отношению к базовому полупроводнику должна обладать примесь для образования проводимости "n" типа?
1.большей;
2.меньшей;
3.равной;
4.от валентности не зависит.
19.Диффузионная длина носителей заряда это:
1.длина пробега электрона;
2.зона рекомбинации;
3.зона генерации;
4.расстояние, пройденное носителем заряда за время жизни.
20.Явление рекомбинации это:
1.увеличение концентрации носителей заряда;
2.уменьшение запретной зоны;
3.разрыв валентных связей;
4.восстановление разорванных валентных связей.
21.На границе полупроводников "р" и "n" типов не происходит:
1.инжекции носителей в базовую область;
2.диффузии носителей заряда;
3.флуктуации;
4.рекомбинации.
22.Ток возникающий в прямом направлении на границе "р" и "n" проводников
называется:
1.дрейфовым;
2.диффузионным;
3.рекомбинационным;
4.флуктуациионным.
23.Ток возникающий в обратном направлении на границе "р" и "n" проводников
называется:
1.дрейфовым;
2.диффузионным;
3.рекомбинационным;
4.флуктуациионным.
24.Полупроводниковые диоды наиболее часто применяют для:
1.стабилизация напряжения;
2.ограничение силы тока;
3.управляемое сопротивление;
4.выпрямление переменного тока.
25.В работе стабилитрона используется следующий тип пробоя:
1.электрический;
2.туннельный;
3.поверхностный;
4.тепловой.
26.В оптоэлектронных приборах используется эффект:
1.тепловой электронной эмиссии;
2.тлеющего газового разряда;
3.электрического пробоя полупроводникового диода;
4.связи электромагнитных колебаний оптического диапазона частот с изменением энергетического состояния электронов в полупроводнике.
27.Люминесценцией в полупроводниках называется:
1.самопроизвольное свечение;
2.покидание электронами поверхности полупроводника;
3.изменение сопротивления полупроводника под действием света;
4.эмиссия оптического излучения в результате возбуждения электронов в полупроводнике.
28.Под воздействием светового излучения в фотодиоде меняется
1.прямой ток;
2.обратный ток;
3.чувствительность к теплоте;
4.порог электрического пробоя.
29.В полупроводнике при внутреннем фотоэффекте:
1.увеличивается сопротивление;
2.уменьшается сопротивление;
3.меняется валентность примеси;
4.изменяется кристаллическая решѐтка.
30.Темновым сопротивлением называется:
1.сопротивление обесточенного фоторезистора;
2.сопротивление фоторезистора при отрицательной температуре;
3.импеданс фоторезистора;
4 сопротивление фоторезистора в отсутствии света.
31.В излучающих фотодиодах используется явление:
1.фотолюминесценции;
2.катодолюминесценции;
3.фитолюминесценции;
4.электролюминесценции.
32.Выпрямительный диод источником ЭДС:
1.является;
2.является при нагревании;
3.является при облучении;
4.не является.
33.Проводимость фоторезистора увеличивается:
1.за счет напряжения;
2.за счет тока;
3.за счет энергии фотонов;
4.за счет тепловой энергии.
34.Фотодиод может применяться в качестве:
1.источника фото-ЭДС;
2.элемента сравнения;
3.фотоумножителя;
4.усилителя.
35.Отличительная функция фототранзистора:
1.усиление электрического сигнала;
2.усиление оптического сигнала;
3.выпрямление сигнала;
4.возможность суммирования оптического и электрического сигналов.
36.Название транзисторов как биполярных объясняется:
1.электродами различной полярности;
2.двумя типами проводимостей полупроводников;
3.питанием постоянным источником ЭДС двух полярностей;
4.участием в проводимости носителей зарядов разной полярности.
37.Схема включения питания в активном режиме работы транзисторов
1.эмиттерный переход в прямом включении, коллекторный тоже в прямом;
2.эмиттерный переход в обратном направлении, а коллекторный в прямом;
3.оба перехода в обратном направлении;
4.эмиттерный переход в прямом, а коллекторный в обратном.
38.Встречный режим включения транзистора отличается тем, что включают:
1.эмиттерный переход в прямом, а коллекторный в обратном;
2.эмиттерный переход в обратном направлении, а коллекторный в прямом;
3.оба перехода в прямом включении;
4.оба перехода в обратном направлении.
39.Входная вольтамперная характеристика биполярных транзисторов идентична
схарактеристикой:
1.полупроводникового диода;
2.лампового диода;
3.тиристора;
4.лампового триода.
40.Уровень насыщения выходной вольтамперной характеристики биполярных транзисторов зависит от:
1.напряжения между коллектором и эмиттером;
2.ЭДС источника питания;
3.тока на базе транзистора;
4.тока у потребителя.
41.Полевые транзисторы управляются:
1.током источника питания;
2.током базы;
3.напряжением на стоке;
4.электрическим полем на затворе.
42.Входом полевого транзистора при включении с общим истоком является:
1.напряжение на базе;
2.напряжение на затворе;
3.ток стока;
4.ток коллектора.
43.Выходная вольтамперная характеристика полевых транзисторов при включении с общим истоком это:
1.зависимость тока истока от напряжения между истоком и затвором;
2.зависимость тока стока от напряжения между истоком и затвором;
3.зависимость тока затвора от напряжения на стоке;
4.зависимость тока коллектора от напряжения на базе.
44.Диэлектриком в МОП транзисторе является:
1.полупроводник;
2.пластик;
3.стекло;
4.оксид кремния.
45.Цель использования вторичных источников электропитания:
1.изменить величину напряжения;
2.повысить силу тока;
3.предохранить основную сеть питания;
4.обеспечить потребителя источником питания с заданными параметрами.
46.Основным элементом в однополупериодной выпрямительной схеме является:
1.диод;
2.транзистор;
3.конденсатор;
4.резистор.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
Основная литература
1. Славинский А. К. Электротехника с основами электроники [Электронный ресурс]: рек. Министерством образования и науки РФ в качестве учебного пособия для студентов образовательных учреждений среднего образования / А.К. Славинский, И.С. Туревский. - М.: ИД ФОРУМ: НИЦ ИНФРА-М, 2015. - 448 с. - ЭБС "Знаниум".
Дополнительная литература
1. Кузовкин, В. А. Электротехника и электроника [Электронный ресурс] : рек. УМО среднего профессионального образования в качестве учебника для студентов СПО / В. А. Кузовкин, В. В. Филатов. — М. : Издательство Юрайт, 2016. — 431 с. — ЭБС Юрайт.