Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
LAB_CMOS.DOC
Скачиваний:
20
Добавлен:
08.02.2015
Размер:
186.88 Кб
Скачать

2.3. Переходная характеристика кмоп-схем (отклик схемы во времени на входной импульс).

Длительности переходных процессов в КМОП схемах (величины фронтов) зависят от паразитных емкостей схемы и величины токов их заряда и разряда. Длительность положительного фронта, т.е. роста сигнала от логического "0" до логической "1", определяется зарядом паразитной емкости от осточника питания через р-канальные нагрузочные транзисторы. Длительность отрицательного фронта, т.е. уменьшения сигнала от "1" до "0", определяется разрядом паразитной емкости через п-канальные активные транзисторы на землю. Паразитная емкость включает в себя следующие составляющие:

- емкости сток-подложка активных и нагрузочных транзисторов;

- емкость нагрузки, подключенной к выходу логической схемы;

- емкости межсоединений.

В динамическом режиме микросхемы КМОП потребляют динамическую мощность на периодическую перезарядку парзитных емкостей:

Р дин = f Е2 Сн (9)

где f - частота работы схемы;

Е - напряжение питания;

Сн- паразитная емкость.

2.4. Логические элементы на кмоп-транзисторах.

Логические схемы ИЛИ-НЕ и И-НЕ приведены, соответственно, на рисунках 3 и 4. Как видно из схем, функция ИЛИ реализуется за счет параллельного включения активных (нижних) транзисторов, и функция И - соответственно, за счет последовательного включения. По сравнению со схемами на однотипных (п-канальных) транзисторах КМОП схемы требуют больше транзисторов для реализации логических функций и занимают на кристалле большую площадь за счет создания кармана.

Рис. 3 Логическая схема ИЛИ-НЕ Рис. 4 Логическая схема И-НЕ

на КМОП-транзисторах на КМОП-транзисторах

3. Описание стенда.

Работа выполняется на универсальном стенде в лаборатории электроники кафедры Э и Э. Исследуемые цепи собираются на основе одного из блоков стенда (рис. 5 ) и внешних дополнительных приборов и устройств: вольтметров, амперметров, генератора импульсов, осциллографа.

Рис. 5. Блок стенда, на котором выполняется работа.

4. Рабочее задание.

4.1. Изучение передаточной характеристики кмоп схемы или-не.

Снять передаточную характеристику Uвых =f(Uвх) и зависимость потребляемого тока Iпотр от входного напряжения Uвх по схеме, изображенной на рис. 6.

Напряжение Uвх изменять от 0 до +5 Вольт с шагом не более 0.5 Вольт, в области переключения схемы шаг необходимо делать еще меньше. Измеряются величины:

- величина входного напряжения Uвх;

- величина выходного напряжения Uвых;

- величина потребляемого тока Iпотр.

Особенно внимательно следует снимать зависимость вблизи входного напряжения близкого к половине напряжения питания. В этой области наблюдается резкий рост величины потребляемого тока.

а) б)

Рис.6 . Схема для измерения передаточной (а) и переходной (б)

характеристик КМОП-схемы 2ИЛИ-НЕ.

Измерения заносятся в таблицу:

Uвх

Uвых

Iпотр

По данным измерений построить зависимости Uвых=f(Uвх) и Iпотр=f(Uвых).

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]