БЭМЗ полищук доки / 2 / ОТИБ_469545_027(Спецификация)

Перв. примен

ОТИБ.469135.117-01

Формат

Зона

Поз.

Обозначение

Наименование

Кол.

Приме-чание

Документация

А2

ОТИБ.469545.027 СБ

Сборочный чертёж

Справ. №

Детали

А3

1

ОТИБ.758724.026

Плата печатная

1

Прочие изделия

Подп. и дата

Конденсаторы ОЖО.460.172 ТУ

5

К10-17б-М47-30 пФ ± 10%

2

С11, C12

6

К10-17б-Н50-10 нФ

1

C7

Инв. № дубл.

7

К10-17б-Н50-1 мкФ

3

C5, С9, C10

9

Танталовый ЧИП 47мкФ-16В

Взам. инв. №

тип С- 10% (-40 - +105 °C)

6

C1…C4, C6, C8

Подп. и дата

ОТИБ.469545.027

Изм

Лист

№ докум.

Подп

Дата

Инв.№подл.

Разраб.

Косяк

Блок

комбинированный

Лит.

Лист

Листов

Пров.

Кознев

1

4

Т.контр.

Н.контр.

Синюкович

Утв.

Кушнеров

Формат

Зона

Поз.

Обозначение

Наименование

Кол.

Приме-

чание

Микросхемы

11

ATTINY2313-20PU (DIP-20)

1

DD6

12

LM78L05

1

DA1

13

К561ИЕ8 бКО.348.457-14ТУ

1

DD5

14

К561ЛА7 бКО.348.457-11ТУ

2

DD2, DD4

15

К561ЛЕ6 бКО.348.457-05ТУ

1

DD3

16

К561ТЛ1 бКО.348.457-16ТУ

1

DD1

Резисторы ОЖО.468.372 ТУ

19

С2-23-0,25-56 Ом ±10%

4

R13…R16

20

С2-23-0,25-220 Ом ±10%

1

R17…R23

21

С2-23-0,25-1 кОм ±10%

1

R9

Подп. и дата

22

С2-23-0,25-2,7 кОм ±10%

1

R10

23

С2-23-0,25-3 кОм ±10%

1

R6

24

С2-23-0,25-6,2 кОм ±10%

1

R11

25

С2-23-0,25-110 кОм ±10%

2

R7, R12

Инв. № дубл.

26

С2-23-0,25-470 кОм ±10%

6

R1…R5, R8

Взам. инв. №

30

Транзистор КТ361А2

4

VT2…VT5

ФЫО.336.201ТУ/02

Подп. и дата

32

Транзистор КТ815А

1

VT1

аАО.336.185ТУ

Инв № подл

ОТИБ.469545.027

Лист

2

Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Формат

Зона

Поз.

Обозначение

Наименование

Кол.

Приме-

чание

34

Диод 1N4001

1

VD5

36

Диод 1N4148

5

VD1…VD4, VD6

38

Стабилитрон BZX55-C 4V7

1

VD7

40

Резонатор кварцевый

1

ZQ1

НС49-S-4000Мгц

Материалы

43

Проволока ММ-0,500

Подп. и дата

ТУ16.К71-087-90

0,05

г. Гор ПОС61

Инв. № дубл.

Взам. инв. №

Подп. и дата

Инв № подл

ОТИБ.469545.027

Лист

3

Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата