7 Временные диаграммы бис памяти
7.1 Временные диаграммы бис озу
В таблицах 12, 13 и 14, а так же в диаграммах представленных на рисунках 13 и 14 вход CEOсоответствует входуOEна чертежах.
Таблица 12 – Динамические параметры микросхемы КР537РУ10
|
Параметры
|
Значения параметров |
|
Время выборки адреса, t A(A), нc Время выбора, t CS, нc Время выборки сигнала разрешения по выходу, t A(CEO), нс Время установления сигнала CSотносительно адреса,t SU(A-CS), нс Время установления сигнала WR относительно адреса,t SU(A-WR), нс Время сохранения входных данных после сигнала записи, t V(WR-DI), нс Время сохранения входных данных после сигнала CS, t V(CS-DI), нс Время удержания сигнала записи относительно входных данных, t H(D!-WR), нс Время удержания сигнала CS относительно входных данных, t H(DI-CS), нс Длительность сигнала CS в режиме считывания, t W(CS)RD, нс Длительность сигнала CS в режиме записи,t W(CS)WR, нс Длительность сигнала записи, t W(WR), нс Время сохранения адреса относительно сигнала CS,t V(CS-A), нс Время сохранения адреса относительно сигнала WR, t V(WR-A), нс Время цикла записи, t CY(RD), нс Время цикла считывания, t CY(RD), нс |
220 220 150 30 30 30 30 160 160 220 160 160 30 30 220 220 |
Временные диаграммы микросхемы КР537РУ10 приведены на рисунке 13.
7.2 Временные диаграммы бис eeprom
Таблица 13 – Динамические параметры микросхемы КМ1609РР21Б
|
Параметры |
Максимальное значение параметров |
|
Время выборки адреса,tA(A), нc Время выбора, tCS,нс Время выборки сигнала разрешения по выходу, tA(CEO),нс Время восстановления высокого сопротивления после сигналов CS, CEO, tDIS(cs), tDIS(CEO),нс |
300 300
150
120 |
Выходное напряжение низкого уровня U0L, В ………………………………. 0,4
Выходное напряжение высокого уровня U0Н, В ……………..………………. 2,4
Таблица 14 – Параметры микросхемы КМ1609РР21Б в режиме программирования
|
Параметры |
Значения параметров | |
|
мин. |
макс. | |
|
Напряжение питания, В: UCC1 UCC2 Ток потребления, мА: ICCPR1 ICCPR2 Входное напряжение, В: низкого уровня, U1L высокого уровня, U1H Напряжение на выводе СЕО в режиме общего стирания, UCEO(PR), В Время установления сигнала PR относительно адреса, tSU(A-PR), нc Время установления сигнала PR относительно сигнала CS, tSU(CS-PR), нc Время задержки сигнала R/B относительно сигнала СЕО, PR, tD(CEO-R/B) td(PR-R/B) нc Время установления сигнала PR относительно сигнала СЕО, t SU(CEO-PR), нc Время установления сигнала PR относительно сигнала DI, t SU(DI-PR) , нc Время удержания сигнала PR относительно сигнала DI, t SU(DI-PR), нc Время сохранения сигнала CS после сигнала PR, t V(PR-CS), нс Время сохранения сигнала СЕО после сигнала PR, t V(PR-CEO), нс Длительность сигнала программирования, t W(PR),нс Длительность цикла программирования, t CY(PR) t V(PR-R/B),мс Длительность сигнала СЕО в режиме общего стирания, t W(CEO)PR, мс Длительность фронта и спада сигнала СЕО в режиме общего стирания, t R(CEO) t F(CEO),мкс |
4,75 20
— —
-0,1 2,4
9
250
150
—
150
150
150
100
250
200
—
−−
50 |
5,25 22
120 8
0,4 5,25
15
—
—
250
—
—
−−
−−
−−
−−
20
20
— |
Временные диаграммы работы микросхем КМ1609РР21Б приведены на рисунке 14.
Рисунок 13 – Временные диаграммы работы микросхем ОЗУ КР537РУ10:
а) режим записи с постоянной выборкой (CS=const); б) режим записи с импульсной выборкой (CS– импульс); в) режим считывания.
Рисунок 14 – Временные диаграммы работы микросхем КМ1609РР21Б:
а) режим считывания;
б) режим общего стирания;
в) режим программирования.
8 Расчёт нагрузочной способности
|
Микросхема |
I1ВХ,мкА |
I0ВХ,мкА |
I1ВЫХ,мА |
I0ВЫХ,мА |
СН,пФ |
СВХ,пФ |
СВЫХ,пФ |
IУТ.ВХ, мкА |
IУТ.ВЫХ ,мкА |
|
КР1554АП6 |
0.1 |
0.1 |
24 |
24 |
200 |
4.5 |
|
|
|
|
КР1554ИР22 |
0.1 |
0.1 |
24 |
24 |
200 |
4.5 |
|
|
|
|
КР1554ИД7 |
0.1 |
0.1 |
24 |
24 |
200 |
4.5 |
|
|
|
|
КР1554ЛЕ1 |
0.1 |
0.1 |
24 |
24 |
200 |
4.5 |
|
|
|
|
КР1554ЛЛ1 |
0.1 |
0.1 |
24 |
24 |
200 |
4.5 |
|
|
|
|
КР580ВВ55 |
12 |
|
0,2 |
1,7 |
100 |
10 |
20 |
10 |
10 |
|
КР537РУ10 |
|
|
2 |
4 |
50 |
8 |
14 |
5 |
5 |
|
КМ1609РР21Б |
|
|
0,1 |
1,6 |
100 |
8 |
12 |
5 |
5 |
|
AD7892 |
|
|
10 |
10 |
50 |
10 |
15 |
5 |
5 |
|
К1816ВЕ31 |
|
|
0,1 |
2 |
100 |
10 |
20 |
|
|
Таблица 15 -Статические параметры микросхем МПС
Рассчитаем нагрузочные способности основных узлов МПС:
1. Нагрузочная способность порта P0 МП К1816ВЕ31 по наиболее нагруженной линии Р0.0:
По емкости:
∑CВХ=2∙СВХ_ИР22+СВХ_АП6+СВЫХ_AD7892=
=2∙4,5+4,5+15=28,5 пФ < СВЫХ_P0=100 пФ
По току:
∑IВХ=2∙IВХ_ИР22+IВХ_АП6+IУТ_ВЫХ_AD7892=
=2∙0,1+0,1+5=5,3 мкА < IВЫХ=100 мкА
Таблица 16 - Нагрузочную способность порта Р0
|
|
Р0.7 |
Р0.6 |
Р0.5 |
Р0.4 |
Р0.3 |
Р0.2 |
Р0.1 |
Р0.0 |
|
∑CВХ,пФ |
13,5 |
13,5 |
13,5 |
13,5 |
28,5 |
28,5 |
28,5 |
28,5 |
|
∑IВХ,мкА |
0,3 |
0,3 |
0,3 |
0,3 |
5,3 |
5,3 |
5,3 |
5,3 |
Вывод: Как видно из таблицы 16 - все линии порта Р0 обладают достаточной нагрузочной способностью.
2. Нагрузочная способность порта P1МП К1816ВЕ31 для всех линий одинакова:
По емкости:
CP1_K1816_Н= СВЫХ_AD7892=15 пФ<100 пФ
По току:
IВЫХ_ВЕ31=IУТ ВЫХ_AD7892=5 мкА<100 мкА
Вывод: Как видно из расчетов - все линии порта Р1обладают достаточной нагрузочной способностью.
3. Нагрузочная способность порта P2МП К1816ВЕ31 для всех линий одинакова:
По емкости:
CP2_K1816_Н= СВХ_ИР22=4,5 пФ<100 пФ
По току:
IВЫХ_ВЕ31=IВХ_ИР22=0,1 мкА<100 мкА
Вывод: Как видно из расчетов - все линии порта Р2обладают достаточной нагрузочной способностью.
4. Нагрузочная способность порта P3МП К1816ВЕ31:
По емкости:
CP3_K1816_Н=СВХ_AD7892+8∙СВХ_РУ10+ СВХ_ЛЕ1+ СВХ_ВВ55=
=10 + 8∙8+ 4,5+10=88,5 пФ<100 пФ
По току:
IВЫХ_K1816_Н=IУТ_ВХ_AD7892+8∙IУТ_ВХ_РУ10+IВХ_ЛЕ1+IУТ_ВХ_ВВ55=
=5+8∙5+0,1+10=55,1 мкА< 100 мкА
Вывод: Как видно из расчетов - все линии порта Р3обладают достаточной нагрузочной способностью.
5. Нагрузочную способность регистра КР1554ИР22 (DD14), т.к. его входы нагружены не одинаково будем вести по самой загруженной линииА0:
По емкости:
CИР22_Н= 8∙СВХ_РУ10+ 4∙СВХ_РР21Б+ СВХ_ВВ55=106 пФ < 200 пФ
По току:
IВЫХ_ИР22=8∙IУТ_ВХ_РУ10+ 4∙IУТ_ВХ_РР21Б+IУТ_ВХ_ВВ55= 70 мкА< 24 мА
Нагрузочную способность остальных линий регистра DD14сведем в таблицу 17:
Таблица 17 - Нагрузочная способность регистра DD14для разных линий
|
|
A7 |
A6 |
A5 |
A4 |
A3 |
A2 |
A1 |
A0 |
|
∑CВХ,пФ |
96 |
96 |
96 |
96 |
96 |
96 |
106 |
106 |
|
∑IВХ,мкА |
60 |
60 |
60 |
60 |
60 |
60 |
70 |
70 |
Вывод: Как видно из таблицы 17 – регистр DD14 обладает достаточной нагрузочной способностью.