2.4.1. Виды анализа на основе упругих и квазиупругих взаимодействий

Дифрактометрия основана на получении дифракционной кар-тины кристаллов, по которым определяют качественные и количественные структурные параметры.

Дифракция рентгеновских лучей основана на рассеянии рентгеновских лучей кристаллами.

Дифракция электронов основана на рассеянии потока электронов ядрами атомов.

Дифракция нейтронов основана на рассеянии потока нейтронов ядрами атомов, а также при взаимодействии магнитного момента нейтрона с моментами ядер и электронов.

Дифракция ионов основана на взаимодействии образца с потоком ионов.

Рефрактометрический анализ основан на разности скорости распространения света в веществе и вакууме.

Рефрактометрический анализ основан на измерении показателя преломления света в анализируемом веществе.

Поляриметрия основана на измерении вращения плоскости поляризации света для определенной концентрации оптически активных веществ.

Эллипсометрия основана на зависимости отношения амплитуд света, измеренных в параллельном и перпендикулярном к направлению падающего луча плоскостях, от концентрации анализируемого компонента в изотропном образце.

2.4.2. Виды анализа на основе молекулярной спектроскопии

Анализ основан на измерении характеристик уровня возбуждения внутренней энергии образца под воздействием электромагнитного излучения.

Вращательная и колебательная спектроскопия основана на регистрации вращательных и колебательных сигналов (спектров) при взаимодействии образца с электромагнитным излучением.

Микроволновая спектроскопия основана на регистрации сигналов (спектров) поглощения, обусловленных изменением вращения под воздействием электромагнитного излучения.

Инфракрасная спектроскопия основана на регистрации колебательных и вращательных переходов в молекулах под воздействием излучения в диапазоне ИК длин волн.

Спектроскопия комбинационного рассеяния (рамановская) основана на измерении разности значений энергии возбуждения и рамановской линии.

Электронная спектроскопия основана на фиксации энергии перехода между электронными уровнями колебательных состояний в результате воздействия потоком электронов.

Электроскопия в ультрафиолетовом и видимом свете основана на регистрации электронных спектров соединений, содержащих хромоформные группы или ионы металлов с незаполненными d- и f- орбиталями, под воздействием видимого или ультрафиолетового света.

Фотометрия основана на измерении экстинкции при установленных значениях длины волны для определенной концентрации растворов.

Флуоресцентная спектроскопия основана на измерении интенсивности возбужденных электронных спектров испускания молекул, возникающих под воздействием электромагнитного излучения.

Нефелометрия и тербидиметрия основаны на измерении рассеяния света мутными растворами или суспензиями, возникающего под воздействием электромагнитного излучения.

Спектроскопия магнитного резонанса основана на измерении резонансного поглощения частицами исследуемого вещества излучения переменного магнитного поля при снятии первоначального вырождения магнитно-дипольных переходов между уровнями электронов и нуклонов внешним магнитным полем.

Спектроскопия электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) основана на фиксации энергии переходов неспаренных электронов между спиновыми уровнями при наступлении электронно- магнитного резонанса под воздействием магнитного поля.

Спектроскопия ядерного магнитного резонанса (ЯМР) основана на фиксации энергии магнитных переходов ядер со спиновыми квантовыми числами при наступлении ядерно-магнитного резонанса под воздействием магнитного поля.

Спектроскопия ядерного квадрупольного резонанса основана на фиксации энергии перехода атомных ядер со спином 1/2 на квадрупольные уровни при их расщеплении в неоднородном электрическом поле (кристаллическое поле и поле молекулы) под действием переменных высокочастотных излучений.

Масс-спектроскопия основана на регистрации значений энергии селективных ионных потоков (пучков), возникающих при расщеплении потока ионизированного анализируемого вещества под воздействием неоднородного магнитного или электрического поля.