- •Тема 1 Напівпровідникові елементи
- •1.1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.2 Елементи електронних схем
- •1.2.1 Нелінійні напівпровідникові резистори
- •1.2.2 Напівпровідникові діоди
- •1.2.2.1 Випрямні діоди
- •1.2.2.2 Діод Шотки
- •1.2.2.3 Тунельні діоди
- •1.2.2.4 Фотодіодів
- •1.2.2.5 Випромінюючі діоди (світлодіоди)
- •1.2.2.6 Імпульсні діоди
- •1.2.2.7 Варикапи
- •1.2.2.8 Стабілітрон. Вах стабілітрона. Параметри стабілітрона
- •Тема 2 Біполярні і польові транзистори і їх схеми, тиристори
- •Біполярні транзистори. Пристрій і фізичні процеси в біполярному транзисторі
- •2.1.1 Принцип роботи транзистора
- •2.1.2 Режими роботи біполярного транзистора
- •2.1.3 Схеми включення транзисторів
- •2.1.3.1 Схема з сб.
- •2.1.3.2 Схема з се
- •2.1.3.3 Схема з ск
- •2.1.4 Статичні характеристики транзистора
- •2.2 Польові транзисторы
- •2.2.1 Пристрій і фізичні процеси в польових транзисторах
- •Пт с управляючим n-p-переходом
- •Тиристори
- •3.1.1 Загальні положення
- •3.1.2 Класифікація і параметри випрямлячів
- •3.1.3 Параметри навантаження
- •3.1.4 Порівняльна оцінка схем випрямлення
- •3.1.5 Паралельне і послідовне включення діодів
- •3.2 Стабілізатори. Класифікація, параметри, схеми
- •3.2.1 Параметричних стабілізаторів напруги
- •3.2.2 Компенсаційні стабілізаторі напруги
- •3.2.3 Основні параметри стабілізаторів
- •Тема 4 Электронные усилители
- •4.1 Параметры, характеристики, показатели и классификация электронных усилителей
- •4.1.1 Параметры, характеристики и показатели усилителей
- •4.1.2 Классификация усилителей
- •4.2 Усилители переменного тока
- •4.2.1 Усилители на биполярных транзисторах
- •4.2.2 Усилители на полевых транзисторах
- •4.3 Усилители постоянного тока
- •Тема 5 Операционные усилители
- •Виды операционных усилителей
- •5.2.1 Инвертирующий и неинвертирующий усилители на оу
- •5.2.2 Вычитатель и сумматоры
- •5.2.3 Интегратор и дифференциатор
- •Избирательный усилитель
- •5.2.5 Генераторы на оу
- •5.2.6 Пороговые устройства
- •Тема 6 Аналоговые ключи
- •Ключевые схемы на транзисторах
- •6.1.1 Ключ на биполярном транзисторе
- •6.1.2 Ключи на мдн - транзисторах
- •6.2 Ключевые перемножители
Український державний університет залізничного транспорту
Кафедра спеціалізованих комп’ютерних систем
ЕЛЕКТРОНІКА ТА МІКРОСХЕМОТЕХНІКА
Частина 1 «Аналогова електроніка»
Електронна версія лекцій
Харків 2015
ЗМІСТ
Вступ
Тема 1 Напівпровідникові елементи
1.1 Електропровідність напівпровідників (властивості напівпровідників и можливість їх технічного використання
1.2 Елементи електронних схем
Тема 2 Біполярні і польові транзистори та їх схеми, тиристори
2.1 Біполярні транзистори. Пристрій и фізичні процеси в біполярному транзисторі
2.2 Польові транзистори
2.3 Тиристори
Тема 3 Випрямлячі та стабілізатори
3.1 Випрямлячі. Класифікація, параметри, схеми
3.2 Стабілізатори. Класифікація, параметри, схеми
Тема 4 Аналогові підсилювачі
4.1. Параметри, характеристики, показники і класифікація аналогових підсилювачів
4.2 Підсилювачі змінного струму
4.3 Підсилювачі постійного струму
Тема 5. Операційні підсилювачі
Класифікація і характеристики операційних підсилювачів
Види операційних підсилювачів
Тема 6 Аналогові ключі
Ключові схеми на транзисторах
Ключові перемножителі
Список літератури
Вступ
Електроніка - це галузь науки і техніки, яка займається вивченням фізичних основ функціонування, дослідженням, розробкою і застосуванням приладів, принцип дії яких грунтований на протіканні електричного струму у вакуумі, газі, в твердому тілі. Такими приладами є: електронні прилади (струм у вакуумі), іонні прилади (струм в газі), напівпровідникові прилади. Нині найбільш поширені напівпровідникові прилади.
Частина електроніки, яка займається питаннями застосування різних приладів, називається промисловою електронікою. Вона розділяється на два напрями:
Інформаційна електроніка - займається питаннями управління різними процесами. До облаштувань інформаційної електроніки відносяться: аналогові підсилювачі і перетворювачі сигналів, генератори сигналів, оптоелектронні пристрої, логічні елементи, цифрові пристрої, мікропроцесорні системи. Вони призначені для виміру, обробки, передачі, зберігання і відображення інформації.
Енергетична (силова) електроніка - займається перетворенням параметрів електроенергії. До облаштувань енергетичної електроніки відносяться: випрямлячі, інвертори, перетворювачі частоти, регулятори напруги.
Електроніка є універсальним і виключно ефективним засобом при рішенні найрізноманітніших проблем в області збору і перетворення інформації, автоматичного і автоматизованого управління, вироблення і перетворення енергії.
Тема 1 Напівпровідникові елементи
План вивчення теми:
1.1 Електропровідність напівпровідників (властивості напівпровідників і можливості їх технічного використання)
1.2 Елементів електронних схем
1.1 Електропровідність напівпровідників (властивості напівпровідників і можливості їх технічного використання)
До напівпровідників відносяться тверді тіла (матеріали) які при кімнатній температурі мають питомий опір =10-3... 1010 Ом см (з питомою електропровідністю від 103 до 10 -10 1\Ом см), які залежать від температури. На відміну від провідників в п\п вільні носії струму з'являються тільки за умови повідомлення кристала енергії ззовні. Чистий напівпровідник має дуже маленьку власну провідність, яка виникає в результаті порушення валентних зв'язків, за рахунок теплової енергії.
Дія напівпровідникових приладів грунтована на явищах електропровідності в твердих тілах. Згідно квантової теорії будови речовини електрон в атомі може мати тільки цілком певні (дискретні) значення енергії і орбітальної швидкості, тобто електрон може рухатися навколо ядра тільки по певних орбітах, кожною з яких відповідає строго певна енергія (енергетичний рівень). Сукупність енергетичних рівнів утворює енергетичний спектр електрона в атомі.
Розглянемо зонну діаграму напівпровідників. Усі істотні процеси в напівпровідникових приладах можна вивчити, розглядаючи тільки дві верхні дозволені енергетичні зони, оскільки саме вони обумовлюють провідність коли можливий перехід електрона на сусідній, більш високий енергетичний рівень, а це означає, що в провідності можуть брати участь тільки електрони тих зон, в яких є вільні рівні енергії. Такі вільні рівні завжди є в самій верхній дозволеній зоні. Тому верхню дозволену зону твердого тіла називають зоною провідності, дивись рисунок 1.1.
Передостання дозволена зона називається валентною. При температурі абсолютного нуля ( К) вона виявляється повністю заповненою, і, отже, електрони цієї зони не можуть брати участь в провідності. Між цими дозволеними зонами розташована заборонена зона.
Рисунок 1.1 - Зонна діаграма напівпровідника
Взаємне положення двох верхніх дозволених зон (провідності і валентній) твердого тіла при До лежить в основі класифікації металів, напівпровідників і діелектриків. У металів зона провідності і валентна зона перекриваються, тобто заборонена зона між ними відсутня, тому навіть при нульовій температурі в зоні провідності знаходиться значна кількість електронів, що і пояснює наявність електропровідності у металів при температурі абсолютного нуля. У напівпровідників і діелектриків при нульовій температурі верхня дозволена зона порожня і провідність відсутня. Відмінність між напівпровідниками і діелектриками в основному кількісне і полягає в значно більшій ширині забороненої зони у діелектриків.
У напівпровіднику при температурі, відмінній від абсолютного нуля, деякі електрони з верхньої частини валентної зони можуть перейти в зону провідності, здолавши заборонену зону. В результаті, як зона провідності, так оскільки у верхній дозволеній зоні тепер є вільні електрони, а у валентній зоні - незаповнені енергетичні рівні, інакше що називаються дірками. Процес утворення вільного електрона і дірки називається генерацією пар електрон-дірка. Середній час, впродовж якого електрон знаходиться у збудженому стані, називається часом життя електрона.
