2. Указания по выполнению лабораторной работы

2 .1. В соответствии разделом 1 в рабочей области окна программы Micro-Cap собирается схема для исследования ВАХ диода.

Рис.5. Схема для исследования ВАХ диода

Напряжение источника постоянного напряжения V1 задается любым или по умолчанию.

2.2. В окне параметров диода выбирается обобщенная модель диода $Generic с параметрами по умолчанию, кроме параметра BV, значение которого выбирается равным 1В.

2.3. На панели меню выбирается меню анализа схем Analysis. В этом меню выбирается анализ по постоянному току (DC). В появившемся окне, установки анализа по постоянному току DC Analysis Limits, устанавливается необходимые параметры в соответствии с заданием.

2.4. В табл.1 приведены параметры окна DC Analysis Limits для моделирование зависимости ВАХ диода от температуры.

Таблица 1

Параметры окна DC Analysis Limits для моделирования зависимости ВАХ диода от температуры

Sweep		Run Options	Normal
Variable 1		Auto Scale Ranges	-
Method	Auto	Accumulate Plots	-
Name	V1	Вывод результатов моделирования
Range	2,-2,0.001	Ignore Expression Errors	-
Variable 2		Page	-
Method	None	P	1
Name	-	X Expression	DCINPUT1
Range	-	Y Expression	I(D1)
Temperature		X Range	Auto
Method	List	Y Range	Auto
Range	T1,T2,T3
Number of Points	51
Maximum Change %	5

2.5. Командой Run выполняется моделирование.

2.6. В диалоговом окне Properties for DC Analysis форматируется зависимость прямого тока диода от температуры при заданных значениях I(D1) в окне Scales and Formats в координатах: Х – Range Low = 0, Range High > 0; У– Range Low = 0, Range High > 0.

2.7. Командой Edit – Copy to Clipboard – Copy the Visible Portion of Window in BMP Format результаты моделирования прямого тока диода в зависимости от температуры сохраняются в буфере обмена в формате BMP. Из буфера обмена результаты моделирования прямого тока диода в зависимости от температуры переносятся в любой графический редактор, где сохраняются в любом удобном формате.

2.8. В диалоговом окне Properties for DC Analysis форматируется зависимость обратного тока диода от температуры при заданных значениях I(D1) в окне Scales and Formats в координатах: Х – Range Low < 0, Range High = 0; У– Range Low < 0, Range High = 0.

2.9. Командой Edit – Copy to Clipboard – Copy the Visible Portion of Window in BMP Format результаты моделирования обратного тока диода в зависимости от температуры сохраняются в буфере обмена в формате BMP. Из буфера обмена результаты моделирования обратного тока диода в зависимости от температуры переносятся в любой графический редактор, где сохраняются в любом удобном формате.

2.19. В графическом редакторе сохраненные файлы форматируются в общий рисунок – ВАХ диода в зависимости от температуры. В качестве примера на рис. 6 приведены результаты моделирования зависимости ВАХ диода от температуры при: Т1=9 ^оС, Т2=54 ^оС, Т3=74 ^оС.

Рис.6. Результаты моделирования зависимости ВАХ диода от температуры при: Т1=9 ^оС, Т2=54 ^оС, Т3=74 ^оС.