- •Кафедра «Конструирование и производство радиоаппаратуры» методические указания к курсовому проекту по дисциплине: «Схемотехника эвм»
- •1 Общие положения
- •2 Содержание и объем курсового проекта
- •3 Расчет элемента ттл
- •Задания на курсовой проект по дисциплине « Схемотехника эвм» расчет элемента ттл
- •Литература
- •21Дмитриев н. А. Ёхин м.Н., Иванов м.А., Ковригин б.Н., Новиков г.Г.Тышкевич в.Г., Ядыкин и.М. Схемотехника эвм. Сборник задач. Учеб. Пособие. – м.: мифи, 2012.–240 с.
- •Данилов Юрий Валентинович
- •230100 « Информатика и вычислительная техника» Учебное пособие
- •427960, Г. Сарапул, ул. Раскольникова, 152
3 Расчет элемента ттл
Исходные данные для расчета базового элемента ТТЛ.:
- напряжение питания Еп;
- максимальная потребляемая мощность в статическом состоянии Pп;
- нагрузочная способность по выходу N.
Из принципа действия элемента следует, что наибольшее потребление соответствует высокому уровню напряжения на входе, при котором транзисторы находятся в режимах: VT1 – в инверсном; VT2 и VT4 – в насыщении; VT3 – в активном. При этом от источника питания протекают токи через резисторы R1 и R2, из которых второй является существенно большим. Полагаем, что он определяет общее потребление от источника питания.
Найдем значение этого тока:
.
Тогда сопротивление резистора R2 можно рассчитать по формуле:
.
Выберем из
справочника транзисторы малой мощности
из условий: максимальное напряжение
коллектор эмиттер больше напряжения
питания схемы; максимальный постоянный
ток коллектора больше тока
;
минимальное значение коэффициента
усиления по току больше 50 единиц. Для
удобства расчетов и реализации схемы
все транзисторы целесообразно выбрать
одинаковыми.
Рассчитаем ток базы насыщения Iбн(VT2) транзистора VT2:
.
Открывающий ток
базы транзистора VT2
найдем с учетом минимального коэффициента
насыщения транзистора
:
.
Поскольку выполняется
равенство
,
то можно рассчитать сопротивление
резистора R1:
.
Рассчитаем ток эмиттера транзистора VT2:
.
Для расчета сопротивления резистора R3 найдем ток через этот резистор:
,
где
– ток базы транзистора VT4. Сопротивление R3 рассчитывается по формуле
.
Расчет резистора R4 производим, исходя из обеспечения работоспособности транзистора VT2 при коротком замыкании на выходе, когда на вход подан низкий уровень напряжения.
Выбираем
,
где
–
максимально допустимый постоянный ток
коллектора транзистора VT3.
Сопротивление R4
рассчитывается по формуле
.
Диод VD1 должен быть импульсным и выбирается по максимально допустимому прямому току:
.
В логическом элементе ТТЛ с открытым коллектором отсутствуют элементы R4, VT3, VD1 и, для формирования перепадов выходного напряжения, необходимо подключать внешнюю нагрузку. Нагрузка может быть подключена к источнику питания с повышенным напряжением, что необходимо для питания обмоток электромагнитных реле и различных индикаторов для визуального контроля.
Расчет схем с открытым коллектором, у которых выход объединяется через общий резистор R.
При проектировании схемы элемента ТТЛ с тремя состояниями на выходе базовая схема на рис. 1 дополняется ключом с открытым коллектором на выходе (рис. 2), подключаемым к точке А.
При проектировании схемы элемента ТТЛ с тремя состояниями на выходе базовая схема на рис. 1 дополняется ключом с открытым коллектором на выходе, рис. 2, подключаемым к точке А. Транзистор ключа аналогичен транзисторам базовой схеме.
Расчет резистора R5 производится по формулам:
Построим амплитудную передаточную характеристику (АПХ) рассчитанного элемента ТТЛ, рис. 2.
Для этого рассчитаем ее параметры:
;
;
;
В расчетах можно принять
АПХ строится по точкам излома, порядок определения координат которых показан стрелками на рис. 3.
