- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Интегрально-групповой метод изготовлений полупроводниковых ис. Принцип планарно-эпитаксиальной технологии.
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Показать на диаграмме времена tзд, tнр, tрас, tси переходных процессов для бт:
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Билет Утверждаю
№15 Зав. кафедрой
Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника
-
Математическая модель диода. Реальная и идеальная ВАХ. Уравнение Шокли. https://pue8.ru/silovaya-elektronika/828-matematicheskie-modeli-diodov-i-ikh-ispolzovanie-dlya-analiza-elektronnykh-skhem.html http://hightolow.ru/diode2.php
-
Комплементарный ключ на МДП-транзисторах. Схемы, структура, особенности работы. https://lektsii.org/7-23181.html
-
Определить какая статическая характеристика БТ изображена. Указать схему включения, участки режимов работы Выходная ВАХ транзистора это зависимость тока коллектора (IК) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).
Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Билет Утверждаю
№16 Зав. кафедрой
Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника
-
Схема включения БТ с ОЭ. Статические характеристики. Основные параметры схемы. Схема включения с общим эмиттером (ОЭ) характеризуется наибольшим усилением тока и напряжения, соответственно и мощности. При данном подключении происходит смещение выходного переменного напряжения на 180 электрических градусов относительно входного. Основной недостаток – это низкая частотная характеристика, то есть малое значение граничной частоты, что не дает возможность использовать при высокочастотном входном сигнале.
-
Пять базовых физико-химических процессов получения транзисторной структуры БТ.
-
Показать на диаграмме времена tзд, tнр, tрас, tси переходных процессов для бт:
Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Билет Утверждаю
№17 Зав. кафедрой
Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника
-
Пояснить физический процесс контакта металл-полупроводник. https://studopedia.su/10_116396_tema-kontakt-metall--poluprovodnik.html
-
Цифровые ИС, назначение, основные параметры, элементная база. Условное обозначение. https://studref.com/432859/tehnika/klassifikatsiya_tsifrovyh_integralnyh_mikroshem_tsims https://studopedia.ru/3_113802_osnovnie-harakteristiki-i-parametri-tsifrovih-is.html https://studfile.net/preview/5760138/page:4/
-
Изобразить структуру полупроводниковой ИС данной электрической схемы: