Добавил:
vk.cc Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
elektronik_smotret_39_online.docx
Скачиваний:
49
Добавлен:
09.07.2020
Размер:
3.08 Mб
Скачать

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

15 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

  1. Математическая модель диода. Реальная и идеальная ВАХ. Уравнение Шокли. https://pue8.ru/silovaya-elektronika/828-matematicheskie-modeli-diodov-i-ikh-ispolzovanie-dlya-analiza-elektronnykh-skhem.html http://hightolow.ru/diode2.php

  2. Комплементарный ключ на МДП-транзисторах. Схемы, структура, особенности работы. https://lektsii.org/7-23181.html

  1. Определить какая статическая характеристика БТ изображена. Указать схему включения, участки режимов работы Выходная ВАХ транзистора это зависимость тока коллектора (IК) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

16 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

  1. Схема включения БТ с ОЭ. Статические характеристики. Основные параметры схемы. Схема включения с общим эмиттером (ОЭ) характеризуется наибольшим усилением тока и напряжения, соответственно и мощности. При данном подключении происходит смещение выходного переменного напряжения на 180 электрических градусов относительно входного. Основной недостаток – это низкая частотная характеристика, то есть малое значение граничной частоты, что не дает возможность использовать при высокочастотном входном сигнале.

  2. Пять базовых физико-химических процессов получения транзисторной структуры БТ.

  1. Показать на диаграмме времена tзд, tнр, tрас, tси переходных процессов для бт:

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

17 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

  1. Пояснить физический процесс контакта металл-полупроводник. https://studopedia.su/10_116396_tema-kontakt-metall--poluprovodnik.html

  2. Цифровые ИС, назначение, основные параметры, элементная база. Условное обозначение. https://studref.com/432859/tehnika/klassifikatsiya_tsifrovyh_integralnyh_mikroshem_tsims https://studopedia.ru/3_113802_osnovnie-harakteristiki-i-parametri-tsifrovih-is.html https://studfile.net/preview/5760138/page:4/

  3. Изобразить структуру полупроводниковой ИС данной электрической схемы: