- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Интегрально-групповой метод изготовлений полупроводниковых ис. Принцип планарно-эпитаксиальной технологии.
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Показать на диаграмме времена tзд, tнр, tрас, tси переходных процессов для бт:
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Билет Утверждаю
№11 Зав. кафедрой
Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника
-
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. Контактная разность потенциалов. Ширина перехода. https://sites.google.com/site/sluzebnyjdom/elektronika-1/elektronika/elektronno-dyrocnyj-perehod-v-ravnovesnom-sostoanii
-
Передаточная характеристика электронных ключей. Параметры, которые можно определить по данной характеристике.
-
Изобразить структуру полупроводниковой ИС, содержащей цепь данной схемы:
Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Билет Утверждаю
№12 Зав. кафедрой
Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника
-
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Принципы действия. Статические характеристики. https://ru.wikipedia.org/wiki/Полевой_транзистор#Транзисторы_с_управляющим_p-n-переходом
-
Основные базовые физико-химические процессы получения ИС по планарной технологии.
-
Определить к каким схемам включения БТ относятся данные статические характеристики:
1 – с общ эмиттером 2 – с общ базой
Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Билет Утверждаю
№13 Зав. кафедрой
Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника
-
Эффект Эрли. Его влияние на конструкцию БТ и статические характеристики.
-
Электрическая модель МДП-транзистора. Параметры модели. https://infopedia.su/8x99c0.html
-
Изобразить структуру полупроводниковой ИС:
Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Билет Утверждаю
№14 Зав. кафедрой
Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника
-
Зонная диаграмма полупроводников из Si, Ge. ВАХ-ти для этих полупроводников. Пояснить влияние ширины запрещенной зоны на ВАХ. https://studopedia.ru/5_119017_energeticheskie-zonnie-diagrammi-poluprovodnikov.html
-
Полевые транзисторы. Условное обозначение. Назначение областей. Основные параметры, применение. http://electrik.info/main/praktika/1388-polevye-tranzistory.html
-
Определить по структуре, какой элемент РЭА изображен. Изобразить его условное обозначение в электрических схемах: