
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Интегрально-групповой метод изготовлений полупроводниковых ис. Принцип планарно-эпитаксиальной технологии.
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Показать на диаграмме времена tзд, tнр, tрас, tси переходных процессов для бт:
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
- •Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Билет Утверждаю
№7 Зав. кафедрой
Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника
-
Схема включения БТ с ОБ. Основные параметры. Статические характеристики. Такая схема дает только усиление по напряжению, но обладает лучшими частотными свойствами по сравнению со схемой ОЭ: те же транзисторы могут работать на более высоких частотах.
-
Инвертор на МДП-транзисторах с резистивной нагрузкой. Схема, структура ИС, логическая функция. https://studfile.net/preview/3991495/
-
Поясните какому прибору соответствует данная графическая зависимость:
Вольтампермерная характеристика диода (обратное смещение)
Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Билет Утверждаю
№8 Зав. кафедрой
Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника
-
МДП с индуцированным каналом. Принцип действия, структура ИС, статические характеристики. https://helpiks.org/3-43003.html
-
Эмиттерно-связанная логика. Принципиальная схема. Принцип действия. https://studopedia.ru/8_171194_emitterno-svyazannaya-logika.html
-
Определить какая характеристика и для какого элемента изображена на графике:
Передаточная характеристика ТТЛ-инвентора (транзисторно-транзисторной логики)
Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Билет Утверждаю
№9 Зав. кафедрой
Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника
-
Виды электрических пробоев в p-n переходе. https://studopedia.ru/3_44353_proboy-p-n-perehoda.html
-
Работа транзистора с нагрузкой – усилительный режим в схеме с ОЭ. Построить нагрузочную прямую. https://studopedia.ru/13_131570_rabota-bipolyarnogo-tranzistora-s-nagruzkoy.html
-
Какой элемент ИС изображен на рисунке. Особенности его работы.
Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации
Билет Утверждаю
№10 Зав. кафедрой
Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника
-
Электронно-дырочный переход в прямом и обратном включении. https://electroandi.ru/elektronika/elektronno-dyrochnyj-perekhod.html
-
Параметры электронных ключей. Указать в каких режимах работают БТ и МДП, если принимают импульсный сигнал. https://studopedia.ru/13_131602_tema--elektronnie-klyuchi.html
-
Изобразить структуру данной схемы для ИС: