Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№1 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

1. Собственные полупроводники. Соб­ственные полупроводники - это полупроводники, элек­тро­­про­водность которых определяется  собственными но­сителями за­­ря­да, появившимися в результате перехода носителей под дей­ст­ви­ем температуры из валентной зоны в зону про­во­ди­мо­сти по­лу­­про­во­д­ника.  Уравнение электрической нейтральности. Уравнение термодинамического равновесия.

2. Интегрально-групповой метод изготовлений полупроводниковых ис. Принцип планарно-эпитаксиальной технологии.

1. Определить какие элементы РЭА имеют данные статические характеристики:

На 1 изображении полевой транзистор. Выходные характеристики (рис. 4.9) представляют собой зависимость тока в цепи стока /с от приложенного напряжения на канале Ucvl при постоянном (фиксированном) напряжении на затворе ?/зи. При коротком замыкании затвора с истоком (иш = 0) и малых значениях напряжения на канале Ucvl ширина канала велика по сравнению с запирающим слоем /?-«-перехода. Поэтому с увеличением напряжения Ucvl ток стока возрастает почти линейно (участок от 0 до точки а). Наклон характеристики на этом участке прямо пропорционален проводимости канала. При дальнейшем росте напряжения Ucvl резко увеличиваются скорость перемещения электронов

На 2 изображении биполярный транзистор. При u_КЭ< u_БЭ открывается коллекторный переход, и транзистор переходит в режим насыщения. В этом режиме вследствие двойной инжекции в базе накапливается очень большой избыточный заряд электронов, их рекомбинация с дырками усиливается, и ток базы резко возрастает

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№2 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

1. Примесные полупроводники. Примесный полупроводник - это полупроводник, элек­т­ро­­­фи­зи­­чес­кие свойства которого определяются, в основном, при­ме­ся­­ми дру­гих химических элементов.  Процесс вве­дения примесей в по­­лу­­про­водник называется леги­ро­ва­нием полупроводника, а са­ми при­­­­меси называют леги­ру­ю­щи­ми. Для равномерного распре­де­­ле­­ния легирующей примеси в объ­еме полупроводника ле­ги­ро­ва­­ние осу­­щест­в­ля­ет­ся в процессе вы­ращивания монокристалла по­лу­­про­вод­ника из жидкой или га­зо­образной фазы. Локальное ле­ги­­ро­ва­ние части объема полу­про­водника­, например, при­по­ве­р­х­ностной об­­ла­сти, производится методом диффузии при силь­ном нагреве полупроводника или низкотемпературными методами ион­ного ле­ги­ро­вания. Зонная диаграмма. Уровень Ферми в примесных полупроводниках.

Сравнение входных характеристик БТ в схемах с ОБ и ОЭ. http://radio-samodel.ru/xarakter%20tranzistora.html Эффект Эрли. Влияние эффекта Эрли на статические характеристики.

Изобразить структуру полупроводниковой ИС:

Но я очень сильно сомневаюсь в правильности!