- •Введение
- •Электронные приборы: основные понятия
- •Раздел 1 электропроводность твердых тел
- •Строение твердого тела
- •Понятие об энергетических уровнях и энергетических зонах
- •Классификация тел по электропроводности
- •Собственная электропроводность полупроводников
- •Примесные полупроводники
- •Получение пп n-типа
- •Получение пп р-типа
- •Электронно-дырочный переход
- •Свойства р-n перехода
- •Пробой р-n перехода. Виды пробоев
- •Емкость р-n перехода
- •Примеры решения задач Задача № 1
- •Задача № 2
- •Раздел 2 полупроводниковые диоды выпрямительные диоды
- •Туннельный диод
- •Варикап
- •Система обозначений диодов
- •Раздел 3 биполярные транзисторы устройство биполярного транзистора
- •Режимы работы транзистора
- •Способы включения биполярного транзистора
- •Статические характеристики
- •Система вторичных параметров
- •Методика определения h – параметров для схемы включения бт с оэ
- •Порядок величин h параметров
- •Система обозначений транзисторов
- •Пример маркировки биполярных транзисторов
- •Раздел 4 анализ нагрузочного режима транзистора работа усилительного элемента с нагрузкой
- •Раздел 5 полевые транзисторы полевые транзисторы с управляющим
- •Принцип работы пт, включенного по схеме с общим истоком
- •Статические параметры полевого транзистора и методика их определения
- •Раздел 6 фотоэлектронные приборы
- •Внешний и внутренний фотоэффект
- •Фоторезистор
- •Фотодиод
- •Фототранзистор
- •Светодиод
- •Оптроны
- •Домашнее задание
- •Литература
Туннельный диод
Туннельный диод – полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, имеющий в ВАХ при прямом включении участки с отрицательным дифференциальным сопротивлением. УГО туннельного диода приведено на рисунке 23.
Рисунок 23 – УГО туннельного диода
Туннельный эффект заключается в том, что электроны, энергия которых меньше высоты потенциального барьера, при определенных условиях могут преодолевать запрещенную зону без затрат энергии. Этот эффект возникает в p-n переходе с очень тонким запрещенным слоем. В туннельном диоде резко увеличена концентрация примеси, что по электропроводности приравнивается к металлу, поэтому его называют вырожденными полупроводником.
Вольтамперная характеристика туннельного диода приведена на рисунке 24. Приложив к диоду напряжение от 0 до UП (пиковое) проводимость почти не изменяется (уч. 0-1). Дальнейшее увеличение прямого напряжения приведет к уменьшению туннельного эффекта. При напряжении UВ (впадины - точка 2) туннельный эффект полностью прекращается и ток в этом случае обусловлен током диффузии. В дальнейшем ток на туннельном диоде увеличивается в соответствии с изменением тока в обычном диоде UРР (раствора).
Рисунок 24 – ВАХ туннельного диода
Таким образом, туннельный диод имеет впалую характеристику (уч.1-3), для него характерно отрицательное сопротивление по переменному току на участке 1 – 2.
Туннельный диод используется в колебательных контурах. С помощью отрицательного сопротивления туннельного диода можно уничтожить потери в контуре. Простейшая схема генератора колебаний с туннельным диодом приведена на рисунке 25.
Рисунок 25– Схема включения туннельного диода
Варикап
Варикап – кремниевый диод, в котором используется зависимость барьерной емкости от обратного напряжения. Применяется в качестве конденсатора переменной ёмкости.
Рисунок 26 – УГО варикапа
Рисунок 27 – Емкостная характеристика варикапа
Применяется в схемах автоматической подстройки частоты, частотной модуляции, в параметрических усилителях. Емкостная характеристика варикапа приведена на рисунке 27. Варикапы главным образом применяются для настройки колебательных контуров. На рисунке 28 показана схема включения варикапа в колебательный контур.
Изменяя с помощью потенциометра R обратное напряжение на варикапе, можно изменить резонансную частоту контура. Добавочный резистор R1 включена для того, чтобы добротность контура не снижалась заметно с уменьшением сопротивления потенциометра R. Разделительный конденсатор СР служит для того, чтобы сопротивление катушки L не снижало емкость варикапа.
Рисунок 28 – Схема включения варикапа
Система обозначений диодов
Она состоит из 5-ти элементов:
1 элемент – обозначает исходный материал (цифра или буква)
Г (1) – германий,
К (2) – кремний,
А (3) – арсенид- галлия.
2 элемент – буква, указывает подкласс прибора:
Д – выпрямительный диод, импульсный диод, ВЧ диоды,
А – СВЧ диод,
С – стабилитрон,
И – туннельный диод,
В – варикап,
Ц – выпрямительные столбы.
3 элемент – цифра, указывающая на назначение прибора и его электрические свойства.
Подкласс Д
малой мощности
большой мощности
для импульсных диодов
Подкласс В
- подстроечный варикап
2 - умножительный варикап
Подкласс И
1 - усилительные
- генераторные
– переключательные
Подкласс С
1-3 - стабилитрон с мощностью до 0,5 Вт
4-6 - стабилитрон с мощностью до 5 Вт
7-9 – стабилитрон с мощностью до 10 Вт
4 элемент – двух-, трех- или четырехзначное число, обозначающее порядковый номер разработки.
5 элемент – разновидность прибора в данной серии изготовления.
Пример расшифровки маркировки диодов.
Вопросы самоконтроля:
Выпрямительный диод. Устройство, ВАХ, параметры.
Принцип работы схемы простейшего выпрямителя.
Стабилитрон. Устройство, ВАХ, параметры.
Принцип работы схемы простейшего стабилизатора напряжения.
Туннельный диод. Устройство, ВАХ.
Схема включения туннельного диода.
Варикап: устройство, емкостная характеристика.
Схема включения варикапа.
Задача №№ 6-14 из домашнего задания.
Л. 1:[ с. 41-58]
