- •Введение
- •Электронные приборы: основные понятия
- •Раздел 1 электропроводность твердых тел
- •Строение твердого тела
- •Понятие об энергетических уровнях и энергетических зонах
- •Классификация тел по электропроводности
- •Собственная электропроводность полупроводников
- •Примесные полупроводники
- •Получение пп n-типа
- •Получение пп р-типа
- •Электронно-дырочный переход
- •Свойства р-n перехода
- •Пробой р-n перехода. Виды пробоев
- •Емкость р-n перехода
- •Примеры решения задач Задача № 1
- •Задача № 2
- •Раздел 2 полупроводниковые диоды выпрямительные диоды
- •Туннельный диод
- •Варикап
- •Система обозначений диодов
- •Раздел 3 биполярные транзисторы устройство биполярного транзистора
- •Режимы работы транзистора
- •Способы включения биполярного транзистора
- •Статические характеристики
- •Система вторичных параметров
- •Методика определения h – параметров для схемы включения бт с оэ
- •Порядок величин h параметров
- •Система обозначений транзисторов
- •Пример маркировки биполярных транзисторов
- •Раздел 4 анализ нагрузочного режима транзистора работа усилительного элемента с нагрузкой
- •Раздел 5 полевые транзисторы полевые транзисторы с управляющим
- •Принцип работы пт, включенного по схеме с общим истоком
- •Статические параметры полевого транзистора и методика их определения
- •Раздел 6 фотоэлектронные приборы
- •Внешний и внутренний фотоэффект
- •Фоторезистор
- •Фотодиод
- •Фототранзистор
- •Светодиод
- •Оптроны
- •Домашнее задание
- •Литература
Пробой р-n перехода. Виды пробоев
Пробой р-n перехода – это нарушение основного свойств р-n перехода, т.е. односторонней проводимости.
Если постепенно увеличивать Uобр, то при определенной его величине Iобр через переход резко увеличивается, а Uобр при этом почти не повышается, что говорит о резком увеличении дифференциальной проводимости р-n перехода (рисунок 9).
Рисунок 9 – Анализ пробоя по ВАХ
Различают электрический и тепловой пробой р-n перехода.
Участок 1-2 – электрический пробой, явление обратимое, т.е. при снятии Uобр свойства р-n перехода полностью восстанавливаются.
Участок 2 - тепловой пробой, необратимый процесс, в результате которого разрушается кристаллическая решетка ПП и р-n переход выходит из строя.
Электрический пробой возникает под действием сильного электрического поля в р-n переходе. При увеличении Uобр электроны приобретают большие скорости, сталкиваясь с атомами кристаллической решетки, они выбивают из них валентные электроны. В результате этого увеличивается собственная проводимость ПП, резко возрастает ток. Если Iобр, протекающий через р-n переход, превысит Iобр mах , то электрический пробой переходит в тепловой (расплавление кристаллической решетки ПП за счет выделения тепла).
Емкость р-n перехода
Р-n переход аналогичен конденсатору: два не скомпенсированных объемных заряда атомов донорной и акцепторной примеси по обе стороны перехода и между ними запирающий слой, который играет роль диэлектрика, образуют барьерную емкость Сб. Барьерная емкость зависит от величины приложенного напряжения. При повышении Uобр ширина р-n перехода возрастает и Сб уменьшается (рисунок 10).
Рисунок 10 – График зависимости Сб от Uобр
Пример решения задачи по способам включения p-n перехода.
Укажите, в каком направлении включен p-n переход, если:
а) дырки перемещаются справа налево;
б) дырки в этой области являются Н.Н. заряда.
Изобразите p-n переход. Над изображением перехода сделайте запись «о.н.» или «н.н.», в зависимости от условия своего варианта. Нанесите заданный носитель заряда (+ или -) в той части p-n перехода, откуда начинается его движение. Покажите вектором направление перемещения заданных зарядов. В соответствии с заданием обратите внимание еще раз, каким для области, откуда начинается перемещение, являются изображенные заряды – основными или неосновными. Далее надо указать проводимости левой и правой областей, т.е. где p-, где n-области: p-область та, для которой дырки являются основными носителями (о.н.), а электроны – неосновными (н.н.); n-область - та, в которой электроны – о.н., а дырки – н.н.Теперь укажите полярность подключенного к p-n переходу источника питания. Понятно, что дырки, имеющие положительный заряд, будут двигаться в сторону той области, к которой подключен отрицательный полюс источника, а электроны – в область, к которой подключен положительный плюс. Отметьте теперь на своем рисунке, какое вы получили включение источника питания: Uпр или Uобр.
Рисунок 11 - Условное обозначение p-n перехода с источником питания
