Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методичка (разработка 1.2.).doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
2.74 Mб
Скачать

10 Содержание отчета:

10.1. Цель лабораторной работы.

10.2. Таблица измерений:

Таблица 2.3

Газ

Давление, Па

U, В

I, А

10.3. Построить ВАХ магнетрона при различных значения давления и/илли типов газа.

10.4. Выводы по работе.

4.Контрольные вопросы.

На оценку «удовлетворительно»:

  1. Привести схему магнетронной распылительной системы.

  2. Какими параметрами характеризуется МРС?

  3. От чего зависит ВАХ магнетрона?

  4. Для чего нужно знать форму ВАХ магнетрона?

На оценку «хорошо»:

  1. Типы магнетронов, по какому параметру определяют тип магнетрона?

  2. Объяснить принцип работы МРС.

  3. Какими параметрами характеризуется МРС?

  4. Формы ВАХ магнетрона.

  5. Области реактивного магнетронного разряда, характеристика каждого.

  6. Зависимость выбора «правильного» и «неправильного» источников питания. Объяснить причины возникновения гистерезиса в форме ВАХ, в случае выбора «неправильного» источника питания.

  7. Что такое отрицательное динамическое сопротивление на ВАХ магнетрона, от чего она зависит?

  8. Почему возникают пульсации в магнетронном разряде, каким образом с ними можно бороться?

Примеры дополнительных вопросов на оценку «отлично»:

  1. Как будет изменяться ВАХ магнетрона при увеличении давления газа в камере?

  2. Как будет изменяться ВАХ магнетрона, если увеличивать парциальное давление реактивного газа, с чем связаны эти изменения?

3 Исследование характеристик плазмы при помощи спектрометра

Цель работы:

– научиться пользоваться спектрометром Avantes AvaSpec 2048;

– научиться снимать спектры свечения плазмы магнетронного разряда;

– научиться определять по линиям спектра элементный состав плазмы.

3.1 Теоретическая часть

Из всего спектра задач, решаемых при получении тонких пленок путем магнетронного распыления в вакуумной камере, наиболее актуальным является вопрос о качественном анализе технологического процесса получения тонких пленок. Решение этой задачи связано с организацией контролируемого технологического процесса получения тонкопленочных структур в вакуумной установке.

В настоящее время разработаны различные методы анализа процессов, происходящих во время получения тонких пленок с использованием различного оборудования, к примеру, спектрометров для спектрального анализа вещества. Существует огромное количество фирм, выпускающих большой спектр приборов, предназначенных для тех или иных видов спектрометрии.

Спектральный анализ – совокупность методов качественного и количественного определения состава объекта, основанных на изучении спектров взаимодействия материи с излучением, включая спектры электромагнитного излучения, акустических волн, распределения по массам и энергиям элементарных частиц и др.

Вопросам же практического применения методов спектрального анализа в технологическом процессе получения тонкопленочных структур внимание оказывается мало, хотя оно имеет достаточно широкую область применения.