Методические указания по выполнению задачи 2

2.1 Для выполнения задания ознакомьтесь с материалом [1] с.41-46; 52-60. Приведите таблицу с Вашим вариантом задания.

2.2 Обратитесь к Приложению 1. Разберитесь в системе принятых обозначений полупроводниковых диодов. Найдите в таблице 6 группу диодов, соответствующих по своему назначению Вашему варианту. Из найденной группы выберите тот диод, который соответствует заданному условию выбора. Приведите таблицу с его обозначением и справочными данными.

2.3 Разберитесь глубже в материалах учебника и методических указаниях, в которых рассматривается заданный Вами тип диода. Приведите запись определения заданного Вам типа диодов.

2.4 Разберитесь в принципе действия рассматриваемого диода. Используя материал учебника и методических указаний, а также материал «Рабочей тетради», кратко, по возможности одной-тремя фразами, ответьте на вопрос п.4.

2.5 В Приложении III приведены простейшие схемы:

- выпрямление переменного тока на выпрямительном диоде;

- стабилизации напряжения на полупроводниковом стабилитроне;

-включения варикапа в качестве переменной емкости колебательного контура;

- включение туннельного диода для генерирования колебаний.

Используя Приложение IV со схемными обозначениями приборов и элементов схем, выберите соответствующую Вашему варианту схему. Разберитесь в принципе ее действия. Приведите схему в контрольной работе.

2.6 Приведите вольтамперную характеристику рассматриваемого диода. Если задан варикап, то приведите график зависимости барьерной емкости от величины приложенного внешнего обратного напряжения. На характеристике туннельного диода покажите цветным карандашом область отрицательной дифференциальной проводимости. На характеристике стабилитрона выделите другим цветом область стабилизации.

2.7 В материалах учебника и методических указаний Вы найдете ответ относительно заданного параметра диода.

2.8 Используя материал [1], с. 58-59, и пояснения Приложения I, расшифруйте маркировку Вашего диода.

Например, расшифровка маркировки 2С502Н:

2 – кремний или его соединения.

С – стабилитрон.

5 – с мощностью до 5 Вт

02 – порядковый номер разработки

Н – определяет разновидность диодов данной серии.

Задача 3

Выберите из таблицы биполярный транзистор согласно условию своего варианта. Выполните необходимые вычисления, построения и сделайте выводы. Укажите физический смысл заданного в таблице 3 параметра.

Ответ должен содержать:

1) таблицу с выписанным заданием своего варианта;

2) таблицу с обозначением выбранного транзистора и его справочными данными;

3) запись определения биполярного транзистора;

4) схему включения транзистора с ОЭ в активном динамическом режиме;

5) обозначение стрелками на схеме путей прохождения токов коллектора и базы (I_к и I_б) и запись, какие точки и напряжения являются для данной схемы входными и выходными;

6) входные и выходные характеристики со всеми необходимыми построениями;

7) расчет и построения нагрузочной прямой с обозначением на выходных характеристиках напряжения, приложенного к транзистору и падения напряжения на сопротивлении нагрузки;

8) данные режимы работы транзистора;

9) таблицу расчета линии допустимых режимов и вывод о допустимости использования транзистора в заданном режиме;

10) обозначение на выходных характеристиках транзистора областей использования его в режимах отсечки и насыщения;

11) ответ о физическом смысле параметра, заданного в графе 8 таблицы 3;

12) расшифровку маркировки выбранного транзистора.

Таблица 3 – Варианты исходных данных

Номер варианта	Условие выбора транзистора	Данные для нахождения рабочей точки (р.т.) и построения нагрузочной прямой					Параметр для п.11 задания
		Iкрт	Uкэрт	Iбрт	Екрт	Rн
Транзисторы средней и большой емкости
1	fгр = 80 МГц Рк max – наибольшая			2мА	240В	1,5кОм		h12э
2	fгр = 30 МГц Uк max – наибольшая			5мА	20В	25Ом		h21э
3	fгр = 150 МГц h21min – наибольший		30В		60В	1кОм		h11э
4	fгр = 200 МГц Рк max – наибольшая	75мА			16В	130Ом		λ21э
5	fгр = 3 МГц h21min – наибольший		30В		60В	150Ом		fгр
Транзисторы малой мощности
6	fгр = 0,83 МГц Рк max – наибольшая		5В		12В	300Ом		fmax
7	fгр = 5 МГц Ск max – наименьшая	15мА			8В	320Ом		Ск
8	fгр = 0,83 МГц h21min – наибольшая		6В		12В	400Ом		Iк max
9	fгр = 120 МГц Iкб max – наименьший			0,2мА	10В	400Ом		UКЭmax
10	fгр = 250 МГц h21min – наибольший			60мкА	16 В	1 кОм		Рmax