21. Расскажите о транзисторе как четырехполюснике в системе h-параметров
Для определения параметров транзистора, он рассматривается как активный четырехполюсник
Для определения параметров создается режим холостого хода на входе и режим короткого замыкания на выходе.
Холост. Ход ΔI1=0, I1=const
Коротк. Замык. ΔU2=0, U2=const
h11=ΔU1/ ΔI1 | ΔU2=0 - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе
h12= ΔU1/ ΔU2 | ΔI1=0 - выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи;
h21=ΔI2/ ΔI1 | ΔU2=0 – коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи;
h22=ΔI2/ΔU2 | ΔI1=0 - коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе.
22. Дайте определение режимов работы биполярного транзистора. Расскажите условия их создания.
Существует 3 режима работы транзистора:
А) Активный
Б) Режим отсечки
В) Режим насыщения
При активном режиме эмиттерный переход смещается в прямом направлении, коллекторный – в обратном.
Режим отсечки: эмиттерный переход смещается в обратном направлении, а коллекторный переход – в прямом.
Режим насыщения: и эмиттерный, и коллекторный переходы смещаются в одном направлении. В этом режиме воздействованы все основные носители заряда.
23. Дайте определение полевого транзистора. Объясните принцип работы пт с управляющим p-n-переходом.
Полевым
транзистором называют полупроводниковый
прибор, усилительные свойства которого
обусловлены движением основных носителей
зарядов одного знака через токопроводящий
канал, который управляется электрическим
полем, создаваемым входным напряжением.
Управляющий электрод назыв. затвор
Исток
Сток
Э С
Б З
К И
У
правляющий
электрод, т.е. затвор, должен быть
изолированным от токопроводящего
канала, по способу изоляции полевые
транзисторы бывают:
1) С управляющим p-n переходом (p-n затвором)
2) С изолированным затвором:
А) Со встроенным каналом
Б) С индуцированным каналом
3) С затвором Шотки
С управляющим p-n переходом (p-n затвором)
Н
а
затвор подается только обратное смещение.
При увеличении обратного смещения на затворе возрастает уровень потенциал барьера p-n переходов (увелич. ширина p-n перехода), что приводит к уменьшению величины токопроводящего канала, и следовательно, к уменьш. тока стока, таким образом меняя напряжение на затворе мы будем управлять величиной тока стока.
Наибольшей проводимостью (максимальный ток стока) транзистор будет обладать при напряжении на затворе равном 0. UB=0
24. Дайте определение полевого транзистора. Объясните принцип работы пт с изолированным затвором со встроенным каналом.
Полевым транзистором называют полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены движением основных носителей зарядов одного знака через токопроводящий канал, который управляется электрическим полем, создаваемым входным напряжением.
Управляющий электрод назыв. затвор
Исток
Сток
Э С
Б З
К И
Управляющий электрод, т.е. затвор, должен быть изолированным от токопроводящего канала, по способу изоляции полевые транзисторы бывают:
1) С управляющим p-n переходом (p-n затвором)
2) С изолированным затвором:
А) Со встроенным каналом
Б) С индуцированным каналом
3) С затвором Шотки
С
изолированным затвором
Полевой транзистор с изолированным затвором отличается от полевого транзистора с p-n-затвором как устройством, так и принципом работы
ПТ с изолированным затвором имеют структуру МДП (металл, диэлектрик, полупроводник)
Если в качестве диэлектрика используется оксид кремния, то структура будет МОП (металл – оксид – полупроводник)
Если в ПТ с p-n-затвором на управляющий электрод, т.е. на затвор, подается только обратное смещение, то в полевых транзисторах с изолированным затвором на управляющий электрод можно подавать напряжение в любой полярности.
При подаче на затвор прямого смещения поступает так называемый “режим обеднения”, т.к. под воздействием внешнего эл. поля, основные носители зарядов токопроводящего канала (дырки) будут попадать из подложки в токопроводящий канал, поэтому ток стока будет уменьшаться.
При обратном смещении на затворе наступает “режим обогащения”, т.к. под воздействием ВЭП (внешн. эл. поле) не основные носители зарядов (дырки) из полупров. эл. типа проводимости будут попадать в токопроводящий канал, увеличивая концентрацию основных носителей зарядов, т.е. ток стока возрастает.
В полевом транзисторе с изол. затвором не имеющего встроенного токопроводящего канала необходимо создать условия для искусственного формирования этого канала.
Токопроводящий канал будет сформулирован, если на затвор будет подано обратное смещение, в этом случае неосновные носители зарядов полупроводника эл. типа проводимости (дырки) будут притягиваться к приконтактному слою и в приконтактном слое образуется высокая концентрация дырок, сформировав токопроводящий канал дырочной проводимости.
