11. Дайте определение варикапа. Покажите вфх, уго и параметры.
Варикап - это п/п диод, у которого от величины приложенного обратного напряжения меняется собственная ёмкость.
Основные параметры:
1. Максимальная ёмкость (С макс.)
2. Минимальная ёмкость (C мин.)
3.Коэффицент перекрытия по емкость (К перекрытия=Смакс/Смин. )
4. Коэффициент значения обратного напряжения (U обр)
5.Добротность (Q)
12. Расскажите порядок маркировки и покажите и уго.
1.Буква – код материала
2.Буква
– тип прибора
(ИНФА
НЕ ТОЧНАЯ:
Д
— для обозначения выпрямительных,
импульсных, магнито- и термодиодов; Ц —
выпрямительных столбов и блоков; В —
варикапов; И — туннельных диодов; А —
сверхвысокочастотных диодов; С —
стабилитронов, в том числе стабисторов
и ограничителей; Л — излучающие
оптоэлектронные приборы; О — оптопары;
Н — диодные тиристоры;)
3.Серийный номер
4.Буква: модификации прибора
13. Расскажите о биполярных транзисторах, их типах, классификации, уго.
Транзистор – прибор состоящий из 2 p-n переходов, взаимодействующих между собой и 3 электрических выводов.
Биполярный транзистор сформирован в 2 p-n перехода и перенос заряда осуществляется носителями 2 видов – электронами и дырками.
Типы бывают: p-n-p и n-p-n
Классификация по: типу проводимости, допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоте.
Применение: усиливание слабого сигнала за счет дополнительного источника питания. Используются в аналоговой технике.
Хар-ка: состоит из эмиттера, базы и коллектора.
14. Дайте определение биполярного транзистора. Объясните его устройство и принцип работы.
Биполярный транзистор – это транзистор, состоящие из трёх различным образом легированных полупроводниковых слоёв: эмиттера, базы и коллектора. В зависимости от чередования типа проводимости этих слоёв различают npn и pnp транзисторы.
Пример работы n-p-n. + подключается к коллектору, а – к эмиттеру, на базу подаётся +( в p-n-p наоборот). Благодаря положительной базе, электроны эмиттера разгоняются сильнее и перелетают в коллектор, создавая максимальную мощность, но незначительная часть остаётся в базе. В итоге мы имеет слабый ток эмиттер – база и сильный(ток противоположен отрицательным частицам – электронам) и мощный ток в цепи эмиттер – коллектор.
Транзистор будет находиться в режиме насыщения. После чего потекут токи насыщения эмиттера Iэ. нас, Iк. нас коллектора.
Режим отсечки – в данном режиме коллекторный pn переход смещен в обр.направлении, а на эмиттерный переход может быть подан как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия не основный носителей заряда в область базы из эмиттера. Условие: Uэб<0,6-0,7 В или Iб=0.
Барьерный режим – в данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а коллекторную или эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающие ток через транзистор.
15. Объясните, почему биполярный транзистор обладает усилительными свойствами.
Биполярный транзистор обладает усилительными свойствами благодаря базе, которая в свою очередь не даёт мощному потоку электронов/дырок пойти от эмиттера к коллектору. Но всё меняется, если приложить к базе незначительное по величине и положительное относительно эмиттера напряжение, возникает поток от эмиттера к базе, как если бы базы не было бы (в том же направлении), из-за этого основные носители заряда из эмиттера пролетают через базу в коллектор, лишь малая часть электронов попадет в базу. При увеличении подачи напряжения на базу, происходит увеличение мощности потока электронов.