- •1. Типы проводимости полупроводников, дайте их характеристику.
- •2. Объясните принцип работы p-n – перехода в равновесном состоянии
- •7. Назовите, какие бывают диоды по конструктивному исполнению. Объясните устройство полупроводниковых диодов.
- •11. Дайте определение варикапа. Покажите вфх, уго и параметры.
- •12. Расскажите порядок маркировки и покажите и уго.
- •13. Расскажите о биполярных транзисторах, их типах, классификации, уго.
- •14. Дайте определение биполярного транзистора. Объясните его устройство и принцип работы.
- •15. Объясните, почему биполярный транзистор обладает усилительными свойствами.
- •16. Объясните порядок включения биполярного транзистора по схеме с общей базой. Покажите преимущества и недостатки, коэффициент усиления по току и напряжение
- •17. Объясните порядок включения биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Покажите преимущества и недостатки, коэффициент усиления по току и напряжение
- •19. Покажите статистические характеристики транзистора в схеме с общей базой и объясните их содержание.
- •20. Покажите статистические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером и объясните их содержание.
- •21. Расскажите о транзисторе как четырехполюснике в системе h-параметров
- •22. Дайте определение режимов работы биполярного транзистора. Расскажите условия их создания.
- •23. Дайте определение полевого транзистора. Объясните принцип работы пт с управляющим p-n-переходом.
- •24. Дайте определение полевого транзистора. Объясните принцип работы пт с изолированным затвором со встроенным каналом.
- •2 5. Дайте определение диодных тиристоров (динистор). Объясните принцип их работы, покажите вах.
- •2 6. Дайте определение триодных тиристоров (тринистр). Объясните принцип их работы.
- •28. Дайте определение фотоэлектрических приборов. Объяснить принцип работы фотодиода, показать его уго.
- •29. Дайте определение фотоэлектрических приборов. Объяснить принцип работы фототранзистора, показать его уго.
- •30. . Дайте определение фотоэлектрических приборов. Объяснить принцип работы фоторезистора, перечислить его основные параметры, показать уго.
- •31. Дайте определение фотоэлектрических приборов. Объяснить принцип действия оптрона, показать его структуру и уго.
- •32. Дайте определение усилителей электрических сигналов. Расскажите порядок их классификации. Покажите структуру усилительного каскада.
- •33. Дайте определение усилителей электрических сигналов. Перечислите основные технические параметры и характеристики усилителей.
- •34.Перечислите и объясните виды обратных связей в усилителях.
- •35.Расскажите порядок влияния обратной связи на коэффициент усиления и входное сопротивление усилительного каскада.
- •Входное сопротивление усилителя при введении последовательной обратной связи увеличивается на величину, равную глубине обратной связи
- •41.Дайте определение усилителя постоянного тока. Перечислите основные характеристики упт
- •4 2. Дайте определение усилителя на пт с непосредственными связями
- •43. Дайте определение усилителя на пт с потенциометрическими связями
- •44.Расскажите о дрейфе нуля в упт. Назовите виды усилителей гармонических сигналов по принципу действия и схемному исполнению
- •51. Расскажите о генераторах гармонических колебаний и lc автогенераторе.
- •52. Расскажите о генераторах гармонических колебаний rc- типа.
- •53. Дайте определение генератора линейно изменяющегося напряжения. Расскажите принцип работы глин на биполярном транзисторе, покажите эквивалентную схему.
- •54. Дайте определение генератору линейно изменяющегося напряжения на биполярном транзисторе с повышенной линейностью. Покажите принцип их построения.
- •56.Дайте определение интегрирующей электрической цепи, объясните принцип ее работы.
- •57. Расскажите о способах получения импульсов.
- •58. Дайте определение комбинированным формирователям импульсов.
- •59. Дайте определение электрического импульса. Перечислите основные параметры.
- •60. Дайте определение амплитудным ограничителям. Покажите схему, принцип работы последовательного амплитудного ограничителя.
- •61. Дайте определение амплитудным ограничителям. Покажите схему, принцип работы параллельного амплитудного ограничителя.
- •62. Дайте определение выпрямителя, перечислите основные параметры выпрямителей.
- •64. Объясните принцип работы однофазного двухполупериодного выпрямителя с нулевой точкой.
- •65. Объясните принцип работы однофазного двухполупериодного выпрямителя с мостовой схемой.
- •66. Объясните принцип работы трёхфазного выпрямителя с нулевой точкой.
- •67. Дайте определение. Перечислите основные параметри и объясните принцип работы ёмкостного сглаживающего фильтра.
- •68. Дайте определение. Перечислите основные параметри и объясните принцип работы индуктивного сглаживающего фильтра.
- •69. Расскажите принцип работы транзисторного сглаживающего фильтра.
- •70. Дайте определение, перечислите основные параметры стабилизаторов напряжения и тока.
- •71. Объясните принцип работы одновибратора.
- •73.Дайте определение газоразрядных индикаторов. Поясните вах газового разряда.
- •74.Расскажите о сегментных знаковых индикаторах и светодиодах.
- •75.Расскажите о электропроводности твердого тела.
- •76.Расскажите о маркировке, уго транзисторов.
- •77.Расскажите об энергетических зонах твердого тела.
- •78.Дайте определение элт. Объясните принцип работы и структуру.
- •79.Расскажите о жидкокристаллических индикаторах. Назовите типы жидких кристаллов.
- •80. Расскажите о жидкокристаллических индикаторах. Объясните их конструкцию. Покажите достоинства и недостатки.
16. Объясните порядок включения биполярного транзистора по схеме с общей базой. Покажите преимущества и недостатки, коэффициент усиления по току и напряжение
База
подключаеться и ко входу и выходу.
Преимущества: Малый Коэффициент усиления Недостатки: Малый Коэффициент усиления
Выходные параметры: Iб, ΔIк, ΔUк.
Входные параметры: Uк. Коэф. По току уменьшается до 0.707. Входная и выходная соответственно:
17. Объясните порядок включения биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Покажите преимущества и недостатки, коэффициент усиления по току и напряжение
При
подключении по схеме с общим эмиттером.
Эмиттер подключается и к входу и к выходу
схемы.
Выходные параметры: Iб, ΔIк, ΔUк.
Входные параметры: Uк. Коэф. По току уменьшается до 0.707.3
№ 18 Объясните порядок включения биполярного транзистора по схеме с общим коллектором. Покажите преимущества и недостатки, коэффициент усиления по току и напряжение. Входной сигнал: Ток базы и напряжение базы. Вых.сигнал: Ток эмиттера. Коллектор является входной цепью и выходной. Недостатки: Малое сопротивление. Плюсы: легко подобрать. Коэф.усиления: Входное сопротивление маленькое, соответственно ухудшаются характеристики каскада.
19. Покажите статистические характеристики транзистора в схеме с общей базой и объясните их содержание.
В
ходные
характеристики – это зависимость
входного тока от входного напряжения
при постоянном выходном напряжении.
Для схемы с общей базой Iэ = f (Uэ) при Uк =
const.
Входные характеристики представляют собой прямую ветвь открытого p-n перехода. При увеличении выходного напряжения UКЭ носители заряда быстрее пролетают базу, рекомбинируют, следовательно, и ток базы уменьшается. Поэтому характеристика при UКЭ > 0 будет проходить ниже.
Резистором R1 изменяется напряжение база-эмиттер, а резистором R2 поддерживается постоянным UБК. Обычно входные характеристики измеряются при двух значениях постоянного напряжения UБК
В
ыходная
характеристика – это зависимость
выходного тока от выходного напряжения
при постоянном входном токе. Для схемы
включения с общей базой Iк = f (Uк) при Iэ
= const.
Выходные характеристики представляют собой прямые линии, почти параллельные оси напряжения.
Это объясняется тем, что коллекторный переход закрыт независимо от величины напряжения база-коллектор, и ток коллектора определяется только количеством носителей заряда, проходящих из эмиттера через базу в коллектор, т. е. током эмиттера.
20. Покажите статистические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером и объясните их содержание.
Входные
характеристики – это зависимости
Iб=f(Uб)
п
ри
Uк=const.
При напряжении Uк3=0 и Uб>0 оба перехода включены в прямом направлении, транзистор работает в режиме насыщения, электроны инжектируются в базу как из эмиттера, так и из коллектора. Поэтому при заданном напряжении Uб входной ток, определяемый инжекцией дырок из базы в коллектор и эмиттер, а также рекомбинацией электронов в базе, имеет наибольшее значение. При повышении напряжения Uк3транзистор переходит в активный режим. Входной ток уменьшается, так как прекращается инжекция дырок из базы в коллектор и уменьшается ток рекомбинации из-за снижения заряда электронов в базе. При дальнейшем повышении напряжения Uк3 входной ток уменьшается из-за снижения толщины базы и тока рекомбинации.
В
ыходная статическая характеристика –
это зависимость выходного тока IК от
выходного напряжения UК при
постоянном входном токе IБ.
Для схемы включения с общим эмиттером:
IК = f (UК) при IБ = const.
Из рисунка видно, что выходные характеристики представляют собой линии, почти параллельные оси напряжения. Это объясняется тем, что коллекторный переход закрыт независимо от величины напряжения база-коллектор, и ток коллектора определяется только количеством носителей заряда, проходящих из эмиттера через базу в коллектор, т. е. током эмиттера IЭ.
