- •1. Полупроводники
- •1.1. Основные положения теории твердых тел
- •1.2. Носители заряда в собственных полупроводниках
- •1.3. Электропроводность примесных полупроводников
- •1.4. Основные свойства и характеристики полупроводников
- •Дрейфовое и диффузионное движения носителей заряда.
- •1.5. Электронно-дырочный переход
- •1.6. Прямое и обратное смещение p-n-перехода
- •1.7. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •1.8. Емкости p-n-перехода
- •1.9. Контактные явления на границе раздела полупроводника и металла
- •2. Полупроводниковые диоды
- •2.1. Выпрямительные диоды
- •2.3. Импульсные диоды
- •2.4. Диоды Шоттки
- •2.5. Стабилитроны, или опорные диоды
- •2.6. Туннельные диоды
- •2.7. Излучающие оптоэлектронные приборы
- •3. Биполярные транзисторы
- •3.1. Принцип действия транзистора
- •3.2. Способы включения транзистора в схему
- •3.4. Статические вольт-амперные характеристики транзистора
- •3.4.1. Характеристики транзистора в схеме с об
- •3.4.2. Характеристики транзистора в схеме с оэ
- •3.5. Ключевой режим работы транзистора
- •3.6. Усилительный режим работы транзистора
- •4. Полевые (униполярные) транзисторы
- •4.1. Полевые транзисторы с р-n-переходом
- •4.2. Основные параметры полевых транзисторов
- •4.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи
- •5.1. Аналого-цифровые преобразователи (ацп)
- •5.1.1. Основные принципы, характеристики и параметры ацп
- •5.1.2. Принципы построения ацп
- •5.1.3. Интегральные микросхемы ацп
- •5.2. Цифро-аналоговые преобразователи (цап)
- •5.2.1. Основные характеристики и параметры цап
- •5.2.2. Принципы построения цап
- •5.2.3. Интегральные микросхемы цап
1.4. Основные свойства и характеристики полупроводников
Уровень Ферми, температурный потенциал. При рассмотрении принципа работы различных ПП приборов важную роль играет понятие электрохимического потенциала, или уровня Ферми [4].
Уровень Ферми для металлов – это такой энергетический уровень, вероятность нахождения на котором заряженной частицы равна 0,5 при любой температуре тела. Численно уровень Ферми равен максимальной энергии электронов металла при температуре абсолютного нуля.
В общем случае уровень Ферми характеризует работу, затрачиваемую на перенос заряженных частиц, обладающих массой и находящихся в среде, имеющей градиент электрического потенциала и какое-то количество этих частиц. Поэтому для полупроводников это энергия, значение которой зависит от концентрации носителей заряда в данном теле. Зная уровень Ферми, можно вычислить концентрацию носителей заряда, и наоборот.
(1.3)
где WF – энергия уровня Ферми; Nп – эффективная плотность состояний в зоне проводимости; k – постоянная Больцмана;
Т – абсолютная температура.
Концентрация дырок в валентной зоне
(1.4)
где Nв – эффективная плотность состояний в валентной зоне.
Если
ПП имеет собственную проводимость
теплового происхождения, когда
электроны и дырки образуются парами
и
ni
=
pi
на основе соотношений (1.3) и (1.4) при
условии, что
,
из равенства
,
находим:
(1.5)
Это равенство означает, что уровень Ферми лежит примерно в середине запрещенной зоны, что и было показано на рис. 1.2, б.
Из приведенных выше выражений для концентрации электронов и дырок следует, что
(1.6)
где
ширина
запрещенной зоны.
Так как при определенной температуре все члены, входящие в последнее уравнение, постоянны (при Т = const, Nп = const, Nв = const, ∆Wз = const), то
(1.7)
Из приведенного уравнения следует, что увеличение количества электронов при данной температуре всегда вызывает пропорциональное уменьшение количества дырок, и наоборот.
Эта закономерность обеспечивается действием механизмов генерации и рекомбинации носителей заряда в полупроводниках.
На основе уравнений (1.3) и (1.4) для ПП с примесной электропроводностью получены [4] следующие выражения для энергий уровня Ферми:
(1.8)
где
энергия уровня середины
запрещенной
зоны.
Таким образом, энергетический уровень Ферми в ПП n-типа лежит выше, а в ПП p-типа – ниже середины запрещенной зоны, как и показано на рис. 1.3 и 1.4.
Концентрация
носителей зарядов. Из
приведенного выше соотношения (1.7)
следует, что произведение концентраций
электронов и дырок при постоянной
температуре постоянно:
В
полупроводниках с примесной
проводимостью концентрация электронов
примесной проводимости значительно
превышает собственную концентрацию
ni
в
широком диапазоне температур, поэтому
можно считать, что n
= Nд.
Тогда концентрация неосновных
носителей:
(1.9)
Следовательно, при повышении температуры концентрация неосновных носителей заряда увеличивается по экспоненциальному закону. Аналогичное выражение имеет место для ПП р-типа.
